本发明涉及一种微型热导气体传感器，包括下盖、以及与所述下盖气密性键合的上盖，所述下盖的上表面设有两个悬浮的热丝组件，其中，每个热丝组件连接一组焊盘；所述上盖的下表面上设有两组依次连接的第一浅槽气道、气道和第二浅槽气道，其中，两个气道分别...

本发明提供一种改善自热效应的SOI器件及其制备方法，制备包括：提供具有空腔结构的半导体衬底，空腔结构位于顶半导体层中并显露绝缘层，制备包覆空腔结构的有源区，制备栅极结构，源漏区及源漏电极。本发明采用含有纳米级空腔的SOI衬底，空腔结构位...

本发明提供一种毫米波三维全息图像去噪方法，包括：对目标进行毫米波扫描，获得原始三维全息图像；对原始三维全息图像进行高通滤波，获取前景图像；对前景图像各点的特征进行线性变换；对线性变换后各点的反射强度特征进行非线性变换；依据变换后的各特征...

本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型‑条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域...

本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质...

本发明涉及脑功能探测领域，特别涉及一种集成采集刺激功能的皮层脑电极及其制作方法。本发明公开了一种集成采集刺激功能的皮层脑电极，其包括光刺激电极结构、热刺激电极结构和采集电极结构；该光刺激电极结构上设有柔性粘接层；该柔性粘接层上设有该热刺...

本申请涉及一种脑电信号识别系统及方法，包括依次连接的脑电信号采集模块、特征提取模块和识别模块；脑电信号采集模块用于通过贴附于大脑皮层布洛卡区、视觉语言中枢、眶额叶皮层和扣带皮层的脑电极采集脑电信号，并将脑电信号传递至特征提取模块；特征提...

本申请提供一种可转换通道的脑电极接口及脑电极后端连接装置，该脑电极接口包括弹簧探针焊接区域和接口焊盘结构；弹簧探针焊接区域设有焊接孔阵列，焊接孔阵列的焊接孔内均焊接有弹簧探针；焊接孔阵列的焊接孔均与接口焊盘结构连接。该脑电极接口用于高通...

本发明提供一种基于NbN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属NbNx势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属NbNx势垒层，得到SNS结构约瑟夫...

本发明提供一种基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属TaN势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属TaN势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结...

本发明提供一种堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备包括提供衬底，制备NbN底层膜、超导金属复合叠层结构层以及NbN顶层膜，定义底电极和结区，制备隔离层和配线层。本发明通过引入堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方...

本申请公开了一种数据交互系统，包括数据处理设备、联盟链网络和云平台；数据处理系统包括数据处理设备和数据分析设备，数据处理设备用于获取待处理对象的基础数据，补充数据、结果贡献数据、原始数据和证明数据；以及按照第一规则对基础数据、补充数据、...

本申请公开了一种数据处理方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：获取待处理对象的基础数据；向对象对应的用户终端发送对象确认指示；若接收到对象确定信息，获取待处理对象的补充数据、结果贡献数据、原始数据和证明数据；按照第一预设规则对基...

本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上...

本发明公开了一种双向皮层脑电极制备方法及其制备的双向皮层脑电极。该双向皮层脑电极制备方法包括以下步骤：S1：制备聚合物基底层；S2：制备聚合物封装层；S3：制备蚕丝蛋白功能层；S4：制备铝掩膜层；S5：制备网格结构；S6：制备电极位点和...

本发明公开了一种具有电化学和电生理检测功能的柔性脑电极及其制备方法，所述具有电化学和电生理检测功能的柔性脑电极，包括依次设置的第一电极、第一蚕丝蛋白层、金属布线层、第二蚕丝蛋白层、第二电极和第三蚕丝蛋白层；第一电极用于电生理检测，第二电...

本发明提供一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法，所述制备方法包括：于衬底表面形成Nb/Al‑AlOx/Nb叠层结构；刻蚀Nb/Al‑AlOx/Nb叠层结构以形成共面波导谐振腔结构、泵浦线结构、地线结构、信号输入配线结构及泵浦输入配...

本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器的耦合输出结构，包括太赫兹量子级联激光器、第一离轴抛物面反射镜、第二离轴抛物面反射镜，所述第一离轴抛物面反射镜的焦点位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，用以收集和准直所述太赫兹量子级联激光器发出的激...

本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多...

本发明提供一种具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底和第二基底，在第一基底中进行离子注入形成预设剥离层，将第一基底和第二基底相键合，沿预设剥离层剥离，得到具有空腔结构的半导体衬底，空腔结构中还具有支撑结构，...