一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法技术

本发明专利技术涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V‑I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V‑I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V‑I数据；(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V‑I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。本发明专利技术避免了高温环境下的繁琐测试流程以及高温对相变存储单元的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法
本专利技术涉及相变存储器测试
，特别是涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法及系统。
技术介绍
存储器主要用于存储程序和各种数据，是现代信息技术的重要组成部分。半导体存储器自20世纪60年代出现以来，以高性能、低成本、应用便捷等优势迅速占据了市场。相变存储器作为下一代新型非易失性存储器，有着高速、低功耗、寿命长的优点，以及与先进CMOS工艺有着很好的兼容性。相变存储器的基本原理是利用非晶态(高阻)和晶态(低阻)时的电阻值差异代表二进制数值‘0’和‘1’，从而完成信息的存储。目前相变存储器颗粒已经开始量产，且针对不同的商业应用，进行了独立的产品研发。相变存储器作为新兴的存储器在未来有着很大的应用场景，然而在量产过程中，仍然有很多问题需要解决。相变存储器的相变是一个高热场和电场的过程，会引起很多可靠性的问题，在不同的应用场景中，针对存储器的热稳定性有着不同的要求。相变存储器芯片热稳定性为存储单元在高温环境下一定时间内失效单元比例，为了检查存储器热稳定性的可靠性指标，需要在高温环境本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；/n(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；/n(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；/n(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。/n

【技术特征摘要】
1.一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；
(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；
(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；
(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。


2.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(1)前还包括将所述存储单元操作到晶态的步骤。


3.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(2)中在进行电学V-I测试前，对所述存储单元进行读电阻测试，得到写脉冲操作电流下的所述存储单元的电阻值。


4.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(2)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘源广，蔡道林，李阳，崔紫荆，宋志棠，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31