本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也...

本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也...

本发明提供一种基于联邦学习的电气火灾预警方法、系统、终端及计算机存储介质，其中，方法包括：获取服务端传输的全局预警模型，作为当前周期的本地预警模型；获取各采集时刻的用电状态信息，并利用所述本地预警模型，获取与各所述用电状态信息对应的第一...

本发明提供一种防护阵列及超导芯片，包括：设置于超导电路区域的外围的第一防护子阵列及第二防护子阵列，第一防护子阵列设置于第二防护子阵列内侧；第一防护子阵列与第二防护子阵列均包括若干个防护结构，第一防护子阵列与第二防护子阵列中的防护结构均间...

本发明涉及一种基于视听多模态融合的音视频事件检测方法，包括：从待检测音视频文件中提取出2D视觉特征、3D视觉特征和音频特征；将所述2D视觉特征和3D视觉特征输入至第一模态共有

本发明提供一种磁性材料异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1，磁性材料单晶准备：将磁性材料单晶置于真空设备腔体内，在真空环境下获得新鲜的原子级洁净表面；S2，将步骤S1制备得到的磁性材料单晶加热除气；S3，磁性材料异质结的制备：将...

本发明提供一种低温三轴谐振电磁探测线圈的配置方法及探测系统至少包括：配置三轴线圈骨架，在所述三轴线圈骨架上绕制线圈；对每一方向的线圈进行电容匹配，以获取线圈的谐振频率；将线圈置于测试环境中，并对线圈进行射频防护；将线圈置于待测区域内并连...

本发明涉及一种基于运动特征弥补引导的多帧光流估计方法，包括以下步骤：提取至少连续两帧的输入图像的图像特征；基于相邻两帧的输入图像的图像特征，采用运动编码器得到初始运动特征；将初始运动特征和历史集成特征输入至MFC单元，所述MFC单元通过...

本发明提供一种MEMS差热分析传感器及DTA/DSC测试方法，该传感器包括检测热电堆、参考热电堆、环境电阻、屏蔽环，检测热电堆及参考热电堆均包括单晶硅衬底、隔热空腔、多个单晶硅热偶对及支撑膜，其中，隔热空腔位于单晶硅衬底内，多个单晶硅热...

本发明涉及一种磁弛豫传感技术检测探针的构建方法，包括将顺磁性石墨烯量子点分散液和抗体分散液混合，并使用紫外光对其进行辐照，获得磁弛豫传感技术检测探针。本发明具有构建快速(1小时内)、操作简单、无需繁琐复杂活化处理与除杂后处理等优势，所得...

本发明涉及一种高量子产率和光稳定性的碳基量子点的制备方法，包括如下步骤：(1)将前驱体和修饰剂溶解在溶剂中，得到第一混合液体；(2)将第一混合液体进行溶剂热处理，得到第二混合液体；最后进行纯化，得到所述碳基量子点。本发明制备过程中反应条...

本发明提供一种平面磁方向角检测方法、系统、介质及器件，所述方法包括以下步骤：在磁场空间中，获取放置在检测平面上的磁蛋白修饰环形微电极阵列的输出阻抗；基于所述输出阻抗获取平面磁方向角。本发明的平面磁方向角检测方法、系统、介质及器件能够基于...

本发明涉及一种倒装焊凸点限位结构及其制备方法，所述倒装焊凸点限位结构提供一基板，在所述基板表面形成凸点限位结构；在所述基板表面及所述凸点限位结构表面形成绝缘层，所述绝缘层完整包覆所述基板表面及所述凸点限位结构表面；在所述绝缘层上方形成金...

本发明提供一种封装转接板及其制备方法，该方法包括：提供掺杂的半导体晶圆；自半导体晶圆的第一表面沿其厚度方向刻蚀形成至少一个环形凹槽，环形凹槽中限定出电连接柱；采用绝缘材料层填充满环形凹槽；于半导体晶圆的第一表面形成第一重新布线层；自半导...

本发明涉及一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，每一排所述上金属电极(5)两两之间通过二级阶梯型微带线连...

本发明涉及一种基于特征级无监督域适应网络的语义分割方法，包括以下步骤：获取图像数据；将所述图像数据输入至特征级无监督域适应网络，实现对所述图像数据的分割效果可视化，所述特征级无监督域适应网络为一个包含三个共享权重分支的自训练网络，所述自...

本发明涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接，形...

本发明涉及一种多IMU外参标定方法，包括：构建IMU输出模型；标定IMU阵列上各个IMU的随机游走和噪声；录制IMU阵列数据；从IMU阵列中任取一个IMU作为基准IMU，将基准IMU的坐标系作为基准坐标系，建立基准IMU与其余待标定IM...

本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端用于输出产生的上...

本发明提供一种SOI MOS器件及其制备方法，所述SOI MOS器件包括：基底、偏置电极结构、栅极结构、源区、漏区、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，其中基底包括衬底、埋氧层、有源层、空腔及设置于空腔顶部的空腔口；偏置电极结构包括覆盖...