【技术实现步骤摘要】
一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器
[0001]本专利技术属于半导体光电器件领域,特别涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器。
技术介绍
[0002]太赫兹(Terahertz,THz)波通常是指频率从100GHz到10THz,相应波长在3mm到30μm范围内,介于毫米波与红外光之间的电磁波。THz波在电磁波谱中占有特殊的位置,处于电子学向光子学的过渡区域,其长波端与亚毫米波相重合,而短波端与远红外波段相重合,THz波技术在信息通信
、生物医学、太空探测以及全球性环境检测领域都具有非常广泛的应用潜力。
[0003]基于子带间跃迁的太赫兹量子阱探测器(THz Quantum
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Well Photodetectors,THz QWPs)是红外量子阱探测器(quantum well infrared photodetector,QWIP)在THz波段的自然扩展,其利用半导体量子阱超晶格(一般是n型掺杂的GaAs/AlGaAs)中的子带间跃迁吸收来产生光电流.,具备很高的探测灵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器,自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层;其特征在于:所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元;所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5),每一排所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接,形成上电极层;所述上金属电极(5)包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔,所述微腔为外围边长相同的正方形,然后在上电极中分别引入两个互相垂直的“工”字形缺陷。2.根据权利要求1所述的宽带天线阵列耦合器,其特征在于:所述微腔阵列单元由下至上依次包括衬底(1)、下金属电极板(2)、外延层(10)和上金属电极(5)。3.根据权利要求2所述的宽带天线阵列耦合器,其特征在于:所述外延层(10)由上至下依次包括上接触层(7)、有源区(4)和下接触层(8),且外延层(10)的几何尺寸与上金属电极(5)的几何尺寸相同。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:郑永辉,张真真,王长,曹俊诚,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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