一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器制造技术

技术编号:37983881 阅读:25 留言:0更新日期:2023-06-30 09:58
本发明专利技术涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器,自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层;所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元;所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5),所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接,形成上电极层;所述上金属电极(5)包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔。本发明专利技术利用二维微纳结构和SPPs机理实现的THz QWP光耦合结构,使得THz QWP既能实现电压可调谐,又能实现阵列化宽带探测,具有更好的市场应用前景。应用前景。应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器


[0001]本专利技术属于半导体光电器件领域,特别涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器。

技术介绍

[0002]太赫兹(Terahertz,THz)波通常是指频率从100GHz到10THz,相应波长在3mm到30μm范围内,介于毫米波与红外光之间的电磁波。THz波在电磁波谱中占有特殊的位置,处于电子学向光子学的过渡区域,其长波端与亚毫米波相重合,而短波端与远红外波段相重合,THz波技术在信息通信
、生物医学、太空探测以及全球性环境检测领域都具有非常广泛的应用潜力。
[0003]基于子带间跃迁的太赫兹量子阱探测器(THz Quantum

Well Photodetectors,THz QWPs)是红外量子阱探测器(quantum well infrared photodetector,QWIP)在THz波段的自然扩展,其利用半导体量子阱超晶格(一般是n型掺杂的GaAs/AlGaAs)中的子带间跃迁吸收来产生光电流.,具备很高的探测灵敏度和快速响应能力,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器,自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层;其特征在于:所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元;所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5),每一排所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接,形成上电极层;所述上金属电极(5)包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔,所述微腔为外围边长相同的正方形,然后在上电极中分别引入两个互相垂直的“工”字形缺陷。2.根据权利要求1所述的宽带天线阵列耦合器,其特征在于:所述微腔阵列单元由下至上依次包括衬底(1)、下金属电极板(2)、外延层(10)和上金属电极(5)。3.根据权利要求2所述的宽带天线阵列耦合器,其特征在于:所述外延层(10)由上至下依次包括上接触层(7)、有源区(4)和下接触层(8),且外延层(10)的几何尺寸与上金属电极(5)的几何尺寸相同。4....

【专利技术属性】
技术研发人员:郑永辉张真真王长曹俊诚
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1