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原子能和替代能源委员会专利技术
原子能和替代能源委员会共有376项专利
减少头部损失的气体扩散装置制造方法及图纸
本发明涉及一种气体扩散装置(6),其包括以下各层的叠层:‑复合材料层(621),其包括导电纤维和涂覆所述导电纤维的聚合型树脂;‑第一导电层(611),其在第一面和第二面之间具有开孔,并且包括第二面(67)中的第一空隙(64),第一面(6...
具有由于逆压电效应而受拉伸应力的二极管的光电器件制造技术
本发明涉及一种光电器件(1),其包括:‑至少一个二极管(2),该二极管包括其中形成有PN或PIN结的半导体部分(20);‑外围导电层(40),其在主平面中延伸以围绕半导体部分(20);‑外围压电部分(30),其在主平面中延伸以围绕半导体...
木本资源的连续真菌发酵方法技术
本发明涉及一种用于将木材剩余物转化为能够被哺乳动物食用的食品的方法,该方法由一系列真菌发酵组成,从而使得木本资源可食用。本发明还涉及通过该方法获得的食品及其用途。
用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法技术
根据本发明,一种用于制造具有二极管(2)的矩阵的光电器件(1)的方法,其中,所述二极管具有半导体堆叠(30),所述方法包括以下步骤:‑提供生长衬底(10),所述生长衬底具有涂覆有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11);...
电阻式3D存储器制造技术
存储器件,该存储器件设置有支撑件和在所述支撑件上形成的电阻式存储器单元(9
生产带金属光学分离栅的光电发射和/或接收装置的方法制造方法及图纸
本发明涉及用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法,该方法至少包括:生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102),其中,该光电发射和/或光电接收部件的至少一个第一金属电极(110)覆盖光电发射...
包括至少一个VCSEL和扩散透镜的发光器件制造技术
本发明涉及一种发光器件,包括:垂直腔表面发射激光源(10),其谐振腔(11)是横向多模式的,支持围绕主光轴(Δ)具有二阶旋转对称性的横向模式;折射率对比光栅,其包括多个凸块,上述多个凸块包括:‑中心凸块(22);‑多个外围凸块(25
用于制造包括基于氧化钒的敏感材料的微测辐射热计的方法技术
本发明涉及一种用于制造包括基于氧化钒(VO
用于制造具有基于氧化钒的敏感材料的微测辐射热计的方法技术
本发明涉及一种用于制造包括基于氧化钒(VO
用于整平冷却剂温度的双极板制造技术
本发明涉及一种用于电化学反应器的双极板(5),其包括第一和第二导电片(61、62),具有:‑反应区域(619);‑第一流体流动岐管(596);‑位于第一片的外部面上的第一流动通道(618);‑第一整平区域(614),其包括第二流动通道(...
具有原子级薄沟道的场效应晶体管制造技术
晶体管的生成,该晶体管的沟道结构包括至少一个带鳍的沟道结构,方法包括:‑从衬底(1)形成模制块(3),‑在模制块上形成细层(7),该细层从给定的半导体或半金属材料制成并由二维晶体的一个至十个原子或分子单层构成,‑移除模制块,同时保留细层...
具有双量子点的电子组件的制造方法技术
本发明涉及一种用于制造具有双量子点(21、22)和双栅极(131、132)的电子组件的方法,所述方法包括提供衬底(10),所述衬底被半导体材料层(12)与在所述半导体材料层上方形成的介电材料层(150)的堆叠覆盖,所述方法包括以下步骤:...
具有减少的串扰的电磁辐射检测装置制造方法及图纸
本发明涉及一种用于检测电磁辐射的检测装置(1),包括衬底(2)、热检测器(10)的矩阵,每个热检测器(10)包括悬置的吸收膜(11)和反射层(14)。该检测装置(1)包括至少一个不透明竖直壁(31),所述至少一个不透明竖直壁设置在衬底(...
制造设置有共面发光二极管的光电结构的方法技术
本发明涉及一种在支撑衬底(100)上制造至少一个光电结构的方法。特别地,本发明涉及具有多个共面发光二极管并由一组发光堆叠(210,220,230)形成的光电结构(10)的制造。因此,本发明使用底部具有阶差轮廓的凹腔,使得一组发光堆叠的形...
用于制造OLED微型显示器的像素的方法技术
制造OLED微型显示器的像素的方法包括连续步骤:a)设置包括结构化第一电极(E1)的衬底(1);b)在所述结构化第一电极(E1)上连续地形成第一双层叠层和第二双层叠层(2、3),每个双层叠层(2、3)连续地包括由第一材料和第二材料制成的...
生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法技术
本发明涉及一种用于生成具有光发射和/或光接收二极管(102)的器件(100)的方法,包括:‑在衬底上生成包括被掺杂的第一半导体层和第二半导体层的层的堆叠;‑进行堆叠的第一蚀刻,形成穿过第二层的整个厚度的第一开口;‑在第一开口中生成覆盖第...
调整发光二极管的光提取效率的方法技术
本发明涉及一种调整发光二极管的光提取效率的方法,该发光二极管具有表面积S和周长P,该方法的特征在于包括使用具有折射率N的封装层(12)来封装发光二极管的步骤;基于考虑发光二极管的内量子效率IQE的模型确定折射率N;并且利用封装层实现的光...
用于制造具有低暗电流的基于锗的二极管阵列的方法技术
本发明涉及一种用于制造包括基于锗的光电二极管阵列的光电器件(1)的方法,其包括以下步骤:制造由锗制成的半导体层(11、12)的堆叠;制造沟槽(13);沉积由硅制成的钝化本征半导体层(30);退火,针对每个光电二极管(2)确保钝化半导体层...
包括用于热短路的可变形部的悬浮膜热探测器制造技术
本发明涉及一种热探测器,其包括衬底(10)、吸收膜(20),该吸收膜包括固定部(21)和可变形部(30),所述可变形部包括形状记忆合金,并且相对于衬底布置成,使得其自由端(32)在高于奥氏体化开始温度A
制备基于钇的氧化物、铝的氧化物和任选的至少一种其它元素的氧化物的粉末的方法技术
本发明涉及一种制备基于钇的氧化物、铝的氧化物和任选的至少一种其它元素的氧化物的粉末的方法,包括以下步骤:a)将至少一种单体和至少一种来自聚醚类的聚合物加入到含钇、铝和任选的至少一种其它元素的溶液中的步骤,所述钇、铝和任选的至少一种其它元...
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