包括用于热短路的可变形部的悬浮膜热探测器制造技术

本发明专利技术涉及一种热探测器，其包括衬底(10)、吸收膜(20)，该吸收膜包括固定部(21)和可变形部(30)，所述可变形部包括形状记忆合金，并且相对于衬底布置成，使得其自由端(32)在高于奥氏体化开始温度A

Floating film thermal detector including deformable part for thermal short circuit

【技术实现步骤摘要】
包括用于热短路的可变形部的悬浮膜热探测器
本专利技术的领域是电磁辐射(例如红外或太赫兹)的热探测器的领域，包括与衬底热绝缘的悬浮吸收膜。本专利技术特别应用于红外或太赫兹成像、热成像或者对人或运动的探测的领域。
技术介绍
用于探测电磁辐射的设备可以包括敏感像素的矩阵，每个敏感像素均包括热探测器，该热探测器包括与读取衬底热绝缘的吸收膜。吸收膜包括与测温转化器相关联的待探测的电磁辐射的吸收体，所述吸收体的电学特性根据转化器的加热而强度发生变化。测温转化器可以是热敏电阻材料，例如氧化钒或非晶硅等。然而，由于测温转化器的温度主要取决于其环境，因此吸收膜与衬底和读取电路热绝缘，所述读取电路优选地布置在衬底中。因此，吸收膜通常通过锚柱悬浮在衬底上方，并通过绝热臂与所述衬底热绝缘。这些锚柱和绝热臂还具有电气功能，提供了吸收膜与读取电路的电气连接。然而，热探测器易经受高功率电磁辐射，例如太阳辐射或激光辐射。由于吸收膜与衬底是热绝缘的，随后其可经历强加热，因此可能会导致测温转化器的特性退化。就此而言，图1A是申请WO2003/002本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适于探测电磁辐射的热探测器(1)，包括：/n○衬底(10)；/n○吸收电磁辐射的膜(20)，相对于所述衬底(10)热绝缘，并且包括：/n■包括测温转化器(26)的固定探测部(21)，/n■可变形的热短路部(30)，/n-包括组装到所述固定探测部(21)的固定端(31)以及相对的自由端(32)，/n-适于在所述吸收膜(20)的温度变化的作用下变形，使得可变形部(30)的自由端(32)在吸收膜(20)的接触温度T

【技术特征摘要】
20181130 FR 18721401.一种适于探测电磁辐射的热探测器(1)，包括：
○衬底(10)；
○吸收电磁辐射的膜(20)，相对于所述衬底(10)热绝缘，并且包括：
■包括测温转化器(26)的固定探测部(21)，
■可变形的热短路部(30)，
-包括组装到所述固定探测部(21)的固定端(31)以及相对的自由端(32)，
-适于在所述吸收膜(20)的温度变化的作用下变形，使得可变形部(30)的自由端(32)在吸收膜(20)的接触温度Tc处与衬底(10)相接触，
○其特征在于，所述可变形部(30)：
■包括形状记忆合金，其具有所述合金在奥氏体化开始温度As与奥氏体化结束温度Af之间、由马氏体相到奥氏体相的逆马氏体转变，以及在马氏体化开始温度Ms与马氏体化结束温度Mf之间、由奥氏体相到马氏体相的正马氏体转变，所述奥氏体化结束温度Af高于所述马氏体化开始温度Ms，并且
■相对于衬底(10)布置为使得所述自由端(32)在高于所述奥氏体化开始温度As的接触温度Tc处与所述衬底(10)相接触。


2.根据权利要求1所述的热探测器(1)，其中，所述可变形部(30)：
○具有所述自由端(32)的第一位置pr与所述自由端(32)的第二位置pd,max之间的最大行程Δpmax，所述第一位置pr针对小于或等于马氏体化结束温度Mf的、吸收膜(20)的温度Tm，所述第二位置pd,max对应于大于或等于奥氏体化结束温度Af的温度Tm，并且
○相对于衬底(10)定位成，使得将占据所述第一位置pr的自由端(32)与所述衬底(10)的接触表面(18a)分开的最大距离dmax小于或等于所述最大行程Δpmax，自由端(32)在接触温度Tc接触在所述接触表面上。


3.根据权利要求1所述的热探测器(1)，其中，所述形状记忆合金是基于NiTi的金属合金。

【专利技术属性】
技术研发人员：阿卜杜卡迪尔·阿利亚内，让路易斯·乌夫里耶比费，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR