生长衬底及其制造方法、包括其的光电器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及适于通过外延制造InGaN基二极管阵列的生长衬底及其制造方法，其包括由GaN基晶体材料制成的台面M<subgt;(i)</subgt;，每个台面包括由无孔材料制成的中间绝缘层(14)成对隔开的N个掺杂层(13、15)，其中N≥2，并且每个台面具有适于通过外延制造阵列的二极管的自由上表面；该台面根据至少三种不同类别来配置，包括：其中N个掺杂层(13、15)是多孔的被称为M<subgt;(N)</subgt;的台面类别，其中掺杂层(13、15)都不是多孔的被称为M<subgt;(0)</subgt;的台面类别，以及其中n个掺杂层(13、15)是多孔的被称为M<subgt;(n)</subgt;的台面类别，其中1≤n<N。此外，本发明专利技术还涉及包括其的光电器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域是生长衬底(growth substrate)，其包括能够制造二极管阵列的台面，该二极管阵列适于以本征方式发射或检测不同波长的光辐射。

技术介绍

1、存在制造适于以本征方式(native manner)发射不同波长的光辐射的发光二极管阵列的方法。二极管阵列则可以包括适于发射红光的二极管、适于发射绿光的其它二极管以及最后适于发射蓝光的其它二极管。这种二极管阵列然后形成具有rgb(代表红、绿、蓝)本征发射的微屏幕。

2、二极管被称为具有本征发射，在某种意义上是指，以给定波长发射的每个二极管的有源区不同于以另一波长发射的二极管的有源区。在基于ingan制成的二极管的情况下，有源区因量子阱中铟的比例而彼此不同。

3、因此，这种具有本征发射的二极管阵列不同于颜色转换技术，在颜色转换技术中，所有二极管以相同的波长发射，例如蓝色，并且每个都涂有包括发光体(例如形成量子点的半导体纳米晶体)的标记(plot)，以将入射光至少部分地转换成其他波长的光。

4、为了制造具有本征发射的二极管阵列，一种方法在于使用具有台面的生长衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适于通过外延制造InGaN基二极管阵列的生长衬底(10)，包括：

2.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，每个台面M(i)包括外延再生长层(16)，所述外延再生长层(16)位于所述N个掺杂层(13、15)中的上掺杂层(15)上，由其松弛材料的晶格参数amcre大于所述下绝缘层(12)的有效晶格参数aecii的InGaN基无孔晶体材料制成：

3.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，每个台面的所述中间绝缘层(14)的厚度小于相邻的掺杂层(13、15)的厚度。

4.根据权利要求3所述的生长衬底(10)，其中，每个台面的所述中间绝缘层(...

【技术特征摘要】

1.一种适于通过外延制造ingan基二极管阵列的生长衬底(10)，包括：

2.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，每个台面m(i)包括外延再生长层(16)，所述外延再生长层(16)位于所述n个掺杂层(13、15)中的上掺杂层(15)上，由其松弛材料的晶格参数amcre大于所述下绝缘层(12)的有效晶格参数aecii的ingan基无孔晶体材料制成：

3.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，每个台面的所述中间绝缘层(14)的厚度小于相邻的掺杂层(13、15)的厚度。

4.根据权利要求3所述的生长衬底(10)，其中，每个台面的所述中间绝缘层(14)的厚度介于10nm和100nm之间。

5.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，所述下绝缘层(12)和所述中间绝缘层(14)的掺杂水平至多等于5×1017cm-3。

6.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，所述掺杂层(13、15)是n型掺杂的。

7.根据权利要求1所述的生长衬底(10)，其中，从一个台面到另一个台面，所述台面m(i)的下掺杂层(13)由相同的材料制成并且具有相同的厚度；从一个台面到另一个台面，所述台面m(i)的中间绝缘层(14)由相同的材料制成并且具有相同的厚度；以及从一个台面到另一个台面，所述台面m(i)的上掺杂层(15)由相同的材料制成并且具有相同的厚度。

8.一种光电器件(1)，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维奇·杜普瑞，阿梅莉·迪赛涅，卡罗尔·佩内尔，法比安·罗尔，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：