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本发明涉及适于通过外延制造InGaN基二极管阵列的生长衬底及其制造方法，其包括由GaN基晶体材料制成的台面M<subgt;(i)</subgt;，每个台面包括由无孔材料制成的中间绝缘层(14)成对隔开的N个掺杂层(13、15)，...
该专利属于原子能和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能和替代能源委员会授权不得商用。

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