【技术实现步骤摘要】
本公开涉及面板级半导体封装以及制造该面板级半导体封装的方法。
技术介绍
1、一般而言，面板级封装技术可以用于形成其中包装有半导体管芯的半导体封装。这些面板级封装技术可以包括形成穿过一个或多个绝缘层以暴露先前被绝缘层覆盖的半导体管芯的接触焊盘的开口。形成开口暴露接触焊盘，使得可以在接触焊盘上形成导电材料，从而可以向半导体管芯的接触焊盘提供电通路，该电通路可以用于形成与半导体封装外部的电气部件的电连接。但是，激光可能会损坏其上将形成导电材料的接触焊盘的表面。例如，激光可能导致接触焊盘的在接触焊盘表面处的导电材料被氧化。在接触焊盘表面处的导电材料的这种氧化导致在接触焊盘表面处的高电阻，这降低了可以传输到半导体封装内的半导体管芯和从半导体封装内的半导体管芯传输出来的电信号的效率。
技术实现思路
1、本公开涉及制造本公开的面板级半导体封装的实施例的方法的实施例，其至少防止对面板级半导体封装的半导体管芯的接触焊盘的损坏(例如，生成高电阻的氧化)。
2、在其中存在半导体管芯的面板级封装(plp)的至少一个实施例中，半导体管芯被包装在密封剂和粘合剂层内。粘合剂层位于密封剂的表面上和半导体管芯的表面上。密封剂包括第一侧壁，并且粘合剂层包括第二侧壁，并且粘合剂层的第二侧壁与密封剂的第一侧壁共平面。一个或多个绝缘层可以位于粘合剂层上并且通过粘合剂层与密封剂分离。一个或多个绝缘层可以包括与密封剂的第一侧壁和粘合剂层的第二侧壁共平面的一个或多个侧壁。导电结构延伸穿过一个或多个绝缘层和粘合剂层至半
3、在制造其中存在半导体管芯的plp的方法的至少一个实施例中，面板晶片形成在载体上的临时粘合层上。在载体上的临时粘合层上形成一个或多个绝缘层，并且在该一个或多个绝缘层上形成粘合剂层。在形成粘合剂层之后，穿过粘合剂层和一个或多个绝缘层形成多个开口，这些开口延伸到载体上的临时粘合层。多个管芯耦合到粘合剂层，使得多个管芯中的每个管芯的接触焊盘与多个开口中的至少一个开口重叠。形成覆盖多个管芯的密封剂。在形成密封剂之后，将包括密封剂、多个管芯、粘合剂层以及一个或多个绝缘层的面板晶片从载体上的临时粘合层去除。在从载体上的临时粘合层去除面板级晶片之后，通过在延伸穿过一个或多个绝缘层和粘合剂层的多个开口中形成导电材料，在多个开口中形成多个导电结构。在形成导电结构之后，将多个焊球耦合到形成在多个开口内的多个导电结构。在形成多个焊球之后，沿着多个管芯中的一对相邻管芯之间的一条或多条单体化(singulation)线来将面板晶片单体化，形成其中存在多个管芯中的至少一个管芯的plp。
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1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中密封剂包括与半导体管芯的第一表面共平面的第三表面。
3.如权利要求2所述的设备，其中粘合剂层位于密封剂的第三表面上，并且粘合剂层将半导体管芯的第一表面和密封剂的第三表面与绝缘层分离。
4.如权利要求1所述的设备，其中粘合剂层位于接触焊盘上。
5.如权利要求1所述的设备，其中：
6.如权利要求1所述的设备，其中导电结构包括：
7.一种方法，包括：
8.如权利要求7所述的方法，其中通过将绝缘层和粘合剂层暴露于激光来形成穿过绝缘层和粘合剂层到达临时粘合层的开口。
9.如权利要求8所述的方法，其中将绝缘层和粘合剂层暴露于激光包括一旦激光到达临时粘合层就停止激光。
10.如权利要求7所述的方法，还包括去除密封剂的一部分以暴露半导体管芯的表面。
11.如权利要求7所述的方法，其中形成开口包括形成延伸到临时粘合层的开口。
12.一种方法，包括：
13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述多个开口包
14.如权利要求12所述的方法，其中将所述多个管芯耦合到粘合剂层包括将所述多个管芯中的每个管芯的接触焊盘与所述多个开口中的至少一个开口对准。
15.如权利要求12所述的方法，还包括去除密封剂的部分，以暴露所述多个管芯的背对粘合剂层和绝缘层的相应表面。
16.如权利要求15所述的方法，还包括沿着多条单体化线将面板晶片单体化，并且其中去除密封剂的所述部分发生在沿着所述多条单体化线将面板晶片单体化之前。
17.如权利要求12所述的方法，还包括在所述多个开口中形成多个导电结构。
18.如权利要求12所述的方法，还包括从载体的临时粘合层去除面板晶片。
19.如权利要求18所述的方法，还包括在从临时粘合层去除面板晶片之后在所述多个开口中形成多个导电结构，所述多个导电结构中的每个导电结构位于所述多个开口的对应开口中。
20.如权利要求19所述的方法，还包括在形成所述多个导电结构之后沿着多条单体化线将面板晶片单体化，所述多条单体化线中的每条单体化线位于所述多个管芯中的至少一对相邻的管芯之间。
...【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中密封剂包括与半导体管芯的第一表面共平面的第三表面。
3.如权利要求2所述的设备，其中粘合剂层位于密封剂的第三表面上，并且粘合剂层将半导体管芯的第一表面和密封剂的第三表面与绝缘层分离。
4.如权利要求1所述的设备，其中粘合剂层位于接触焊盘上。
5.如权利要求1所述的设备，其中：
6.如权利要求1所述的设备，其中导电结构包括：
7.一种方法，包括：
8.如权利要求7所述的方法，其中通过将绝缘层和粘合剂层暴露于激光来形成穿过绝缘层和粘合剂层到达临时粘合层的开口。
9.如权利要求8所述的方法，其中将绝缘层和粘合剂层暴露于激光包括一旦激光到达临时粘合层就停止激光。
10.如权利要求7所述的方法，还包括去除密封剂的一部分以暴露半导体管芯的表面。
11.如权利要求7所述的方法，其中形成开口包括形成延伸到临时粘合层的开口。
12.一种方法，包括：
13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述多个开口包括将粘...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·加尼，
申请(专利权)人：意法半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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