【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子装置，并且更特别地，涉及电子装置及用于制造电子装置的方法。
技术介绍
1、先前的电子封装和用于形成电子封装的方法是不适当的，例如导致成本过量、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并且参考图式，所属领域中具通常知识者将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样为一种电子装置，所述电子装置包括：衬底，其包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层；电子组件，其在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合；包封物，其在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧；以及屏蔽物，其在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧；其中所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，并且其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。
2、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述第一突片结构包括：第一上部突片，其在所述上部电介质层之上；第一下部突片，其在所述上部电介质层之下；以及第一突片通孔，其与所述第一上部突片和所述第一下部突片耦合且延伸穿过所述上部电介质层。
3、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述第一上部突片和所述第一下部突片接触所述屏蔽物；并且所述上部电介质层在所述第一突片通孔与所述屏蔽物之间。
4、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述第一上部突片、所述第一下部突片和所述第一突片通孔在
5、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述导电结构包括在所述衬底的第二横向侧处的第二突片结构，所述第二突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。
6、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述第一突片结构包括：多个上部突片，其位于所述上部电介质层上方且包含所述第一上部突片；多个下部突片，其位于所述上部电介质层下方且包含所述第一下部突片；以及多个突片通孔，其穿过所述上部电介质层定位且包含所述第一突片通孔，其中所述多个突片通孔中的每一突片通孔耦合在所述多个上部突片中的相应一个与所述多个下部突片中的相应一个之间。
7、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述包封物在所述多个上部突片中的第一个与所述多个上部突片中的第二个之间。
8、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述第一突片结构包括：多个上部突片，其位于所述上部电介质层上方且包含所述第一上部突片；以及多个突片通孔，其穿过所述上部电介质层定位且包含所述第一突片通孔，其中所述多个突片通孔中的每一突片通孔耦合在所述多个上部突片中的相应一个与所述第一下部突片之间。
9、在根据本专利技术的所述态样的电子装置中，所述包封物在所述多个上部突片中的第一个与所述多个上部突片中的第二个之间。
10、本专利技术的另一态样为一种电子装置，所述电子装置包括：衬底，其包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层；电子组件，其在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合；包封物，其在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧；以及屏蔽物，其在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧；其中所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层下方。
11、在根据本专利技术的所述另一态样的电子装置中，所述第一突片结构跨越所述衬底的所述第一横向侧连续延伸。
12、在根据本专利技术的所述另一态样的电子装置中，所述第一突片结构包括多个间隔开的突片；并且所述电介质结构在所述多个间隔开的突片中的第一个与所述多个间隔开的突片中的第二个之间。
13、在根据本专利技术的所述另一态样的电子装置中，所述第一突片结构的上部侧的第一部分从所述上部电介质层暴露；并且所述上部电介质层在所述第一突片结构的第二部分之上。
14、在根据本专利技术的所述另一态样的电子装置中，所述包封物包括在所述第一突片结构的顶侧之上且接触所述上部电介质层的横向侧的裙部部分。
15、在根据本专利技术的所述另一态样的电子装置中，所述第一突片结构包括多个间隔开的突片；所述包封物包括在所述多个间隔开的突片的顶侧之上的裙部部分；并且所述裙部部分在所述多个间隔开的突片中的第一个与所述多个间隔开的突片中的第二个之间延伸。
16、本专利技术的又一态样为一种制造电子装置的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层；提供电子组件，所述电子组件在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合；提供包封物，所述包封物在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧；以及提供屏蔽物，所述屏蔽物在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧；其中所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，并且其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。
17、在根据本专利技术的所述又一态样的方法中，所述第一突片结构包括：第一上部突片，其在所述上部电介质层之上；第一下部突片，其在所述上部电介质层之下；以及第一突片通孔，其与所述第一上部突片和所述第一下部突片耦合且延伸穿过所述上部电介质层。
18、在根据本专利技术的所述又一态样的方法中，所述第一上部突片和所述第一下部突片接触所述屏蔽物；并且所述上部电介质层在所述第一突片通孔与所述屏蔽物之间。
19、在根据本专利技术的所述又一态样的方法中，所述第一上部突片、所述第一下部突片和所述第一突片通孔在所述衬底的所述第一横向侧处接触所述屏蔽物。
20、在根据本专利技术的所述又一态样的方法中，所述导电结构包括在所述衬底的第二横向侧处的第二突片结构，所述第二突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
6.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于：
8.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于：
12.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于：
13.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于：
14.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于：
15.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于：
16.一种制造电子装置的方
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一突片结构包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：
19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：
20.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
6.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于：
8.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一突片结构包括：
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：金舒永，其王门，翰东和，黄泰永，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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