半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

技术编号:41077891 阅读:15 留言:0更新日期:2024-04-25 10:04
半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包括:底座;衬底,其在所述底座之上且包括顶部侧、底部侧和传导结构,其中所述衬底进一步包括通道开口和孔隙,且其中所述衬底的所述底部侧朝向所述底座定向;电子组件,其在所述衬底的所述顶部侧之上且在所述孔隙之上,其中所述电子组件与所述传导结构耦合;以及烟囱状物,其在所述衬底的所述顶部侧之上且包括烟囱状物开口。所述电子组件的顶部侧通过所述烟囱状物开口暴露。本文中还公开其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及电子装置,且更确切地说涉及半导体装置及制造半导体装置的方法


技术介绍

1、先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的,例如,导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式,所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。


技术实现思路

1、本公开的各种态样提供一种电子装置,其包括:底座;衬底,其在所述底座之上且包括顶部侧、底部侧和传导结构,其中所述衬底进一步包括通道开口和孔隙,且其中所述衬底的所述底部侧朝向所述底座定向;电子组件,其在所述衬底的所述顶部侧之上且在所述孔隙之上,其中所述电子组件与所述传导结构耦合;以及烟囱状物,其在所述衬底的所述顶部侧之上且包括烟囱状物开口,其中所述电子组件的顶部侧通过所述烟囱状物开口暴露。在所述电子装置中,所述传导结构包括在所述衬底的所述顶部侧上的顶部流体端子;并且所述电子组件包括在所述顶部流体端子之上且延伸穿过所述电子组件的通孔,其中所述顶部流体端子通过所述通孔暴露。在所述电子装置中,所述电子组本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

3.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

4.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

5.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

6.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

8.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

9.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:

10.根据权利要求9所述的电子装置,其中:

11.根据权利要求9所述的电子装置,其进一步包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

3.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

4.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

5.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

6.根据权利要求3所述的电子装置,其中:

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

8.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

9.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:

10.根据权利要求9所述的电子装置,其中:

11.根据权利要求9所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员:李贤圭金炳辰李琼延
申请(专利权)人:安靠科技新加坡控股私人有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1