【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子装置，且更确切地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法存在不足，例如导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
1、在一实例中，一种电子装置包括：下部衬底，其包括下部介电结构和下部导电结构；电子组件，其与所述下部衬底的底部侧耦合且与所述下部导电结构耦合；上部衬底，其位于所述下部衬底的顶部侧上方且包括上部介电结构和上部导电结构；内部互连件，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且与所述上部导电结构和所述下部导电结构耦合；及第一天线组件，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且与所述上部导电结构耦合。
2、根据所述实例的电子装置包括：第二天线组件，其位于所述上部衬底的顶部侧上方且与所述上部导电结构耦合。
3、在根据所述实例的电子装置中，所述第一天线组件为所述上部衬底的所述底部侧上的第一天线组件阵列的部分；且所述第二天线组件为所述上部衬底的所述顶部侧上的第二天线组件阵列的部分。
4、在根据所述实例的电子装置中，所述第一天线组件阵列从所述第二天线组件阵列偏移，使得第一天线组件不与所述第二天线组件重叠。
5、在根据所述实例的电子装置中，所述第一天线组件阵列包括第一行天线组件；所述第二天线组件阵列包括第二行天线组件；且所述第一行天线组件从所述第二行天线组件
6、在根据所述实例的电子装置中，所述下部导电结构包括天线图案。
7、在根据所述实例的电子装置中，所述内部互连件包括涂布有焊料的金属芯球。
8、根据所述实例的电子装置包括：内部包封体，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且接触所述内部互连件和所述第一天线组件的横向侧。
9、在根据所述实例的电子装置中，所述内部包封体具有约60微米到约1020微米的厚度；所述第一天线组件具有约40微米到约1000微米的厚度；且所述内部包封体的所述厚度大于所述第一天线组件的所述厚度。
10、在根据所述实例的电子装置中，所述上部衬底为包括最多三个上部导电层的低复杂度衬底；且所述下部衬底为包括最多六个下部导电层的中复杂度衬底；且所述下部导电层的数目大于所述上部导电层的数目。
11、根据所述实例的电子装置包括：外部包封体，其位于所述下部衬底的所述底部侧下方且接触所述电子组件的横向侧，其中所述电子组件的底部侧从所述外部包封体暴露。
12、根据所述实例的电子装置包括：外部互连件，其与所述下部导电结构耦合且具有约50微米到约1000微米的厚度；其中：所述电子组件具有约50微米到约800微米的厚度；且所述外部互连件的所述厚度大于所述电子组件的所述厚度。
13、在另一实例中，一种电子装置包括：下部衬底，其包括下部介电结构和下部导电结构；电子组件，其位于所述下部衬底的底部侧下方且与所述下部导电结构耦合；及上部衬底，其位于所述下部衬底的顶部侧上方且包括上部介电结构和上部导电结构；其中所述上部导电结构包括贴片天线的上部天线图案；及内部互连件，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且与所述上部导电结构和所述下部导电结构耦合。
14、在根据所述另一实例的电子装置中，所述上部天线图案在所述上部衬底的顶部侧处暴露。
15、在根据所述另一实例的电子装置中，所述上部天线图案由所述上部介电结构覆盖。
16、在根据所述另一实例的电子装置中，所述上部导电结构包括用于所述贴片天线的接地平面。
17、在根据所述另一实例的电子装置中，所述下部导电结构包括用于所述贴片天线的接地平面。
18、根据所述另一实例的电子装置包括：天线组件，其与所述上部导电结构耦合。
19、根据所述另一实例的电子装置包括：外部包封体，其位于所述下部衬底的所述底部侧下方且接触所述电子组件的横向侧。
20、根据所述另一实例的电子装置包括：内部包封体，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且接触所述内部互连件。
21、在又一实例中，一种制造电子装置的方法包括：提供上部衬底，所述上部衬底包括上部介电结构和上部导电结构；提供第一天线组件，所述一天线组件与所述上部导电结构耦合；提供内部互连件，所述内部互连件位于所述上部衬底的底部侧下方且与所述上部导电结构耦合；提供下部衬底，所述下部衬底包括下部介电结构和下部导电结构，其中所述内部互连件与所述下部导电结构耦合；提供内部包封体，所述内部包封体位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且接触所述内部互连件和所述第一天线组件的横向侧；及提供电子组件，所述电子组件与所述下部衬底的底部侧耦合且与所述下部导电结构耦合。
22、根据所述又一实例的方法包括：提供第二天线组件，所述第二天线组件位于所述上部衬底的顶部侧上方且与所述上部导电结构耦合。
23、根据所述又一实例的方法包括：提供外部包封体，所述外部包封体位于所述下部衬底的所述底部侧下方且接触所述电子组件的横向侧。
24、附图说明
25、图1显示范例电子装置的横截面视图。
26、图2a到2f显示用于制造范例电子装置的范例方法的横截面视图。
27、图3显示范例电子装置的俯视图。
28、图4显示范例电子装置的横截面视图。
29、以下论述提供半导体装置和制造半导体装置的方法的各种范例。此类范例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定范例。在下文论述中，术语“范例”和“例如”是非限制性的。
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1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
13.一种电子装置，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于：
15.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于：
16.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于：
17.根据
18.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，包括：
19.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，包括：
20.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，包括：
21.一种制造电子装置的方法，其特征在于，包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，包括：
23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琼延，新及补，金炳辰，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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