【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含锂基固态电解质的固态微电池。本专利技术尤其适用于微电子、物联网以及可植入或便携式设备。
技术介绍
1、现有技术中已知的，特别是文献us2021/0359339 a1中已知的一种制造固态微电池的方法包括以下步骤：
2、a)利用薄膜沉积技术形成锂钴氧化物阴极；
3、b)抛光阴极表面；
4、c)使用氧等离子体处理来重新激活阴极表面。
5、使用厚的锂钴氧化物层(即具有几十微米的厚度)会导致高表面粗糙度并导致高漏电流。步骤b)和c)可以解决这个问题。
6、然而，这种现有技术的方法并不完全令人满意，因为步骤b)和c)可能难以实施。步骤b)和c)需要专用设备(例如用于等离子体的真空室，参见第0038段)并导致一定的困难(例如抛光会在阴极表面添加一层污染物，参见第0071段)。步骤b)和c)可能需要很长的时间来实施，并且可能需要特定的技能来优化可调节的参数(例如要使用的气体、等离子体处理时间、等离子体密度、污染物层的移除等)。
7、因此，本领域技术人员一直在研究一...
【技术保护点】
1.一种制造固态微电池的方法，包括以下连续步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述锂钴氧化物层(2)是多晶体层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述第一区域(Z1)具有100nm至500nm的厚度，并且优选具有200nm至400nm的厚度。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述锂钴氧化物层(2)具有1μm至200μm的厚度，并且优选具有10μm至200μm的厚度。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述堆叠体包括形成在...
【技术特征摘要】
1.一种制造固态微电池的方法，包括以下连续步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述锂钴氧化物层(2)是多晶体层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述第一区域(z1)具有100nm至500nm的厚度，并且优选具有200nm至400nm的厚度。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述锂钴氧化物层(2)具有1μm至200μm的厚度，并且优选具有10μm至200μm的厚度。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，执行步骤a)使得所述堆叠体包括形成在所述锂钴氧化物层(2)的第二表面(21)上的阴极集流体(6)；以及执行步骤b)使得将所述转移基底(3)接合至所述阴极集流体(6)。
6.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，执行步骤b)使得所述转移基底(3)包括接合至所述阴极(2)的第二表面(21)的阴极集流体(6)。...
【专利技术属性】
技术研发人员：让菲利普·科隆纳，萨米·欧卡西，莫德·贝特，热罗姆·德尚，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。