一种光子芯片包括：在接合界面(40)处接合到互连层(36)的光学层(38)，该光学层的厚度小于15μm；主孔道(50‑52)，其仅在下表面(34)和接合界面(40)之间延伸穿过互连层；电端子，其选自嵌入光学层(38)内部的电触点(74)...

本发明涉及一种用于校准电子鼻的方法，所述电子鼻包括布置在表面上并且能够与感兴趣气态介质接触的多个光学传感器，所述光学传感器能够在它们被光子激发时传递代表感兴趣气态介质的局部光学指数的信号，该方法的特征在于，所述方法包括以下步骤：在将电子...

本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且...

本发明涉及式(I)的新型不对称RN,N‑二烷基酰胺，其中：R

本发明涉及一种光子器件(1)，包括：载体(120)；中间层(420)；光导级(200)，该光导级(200)包括波导(210)和第一至第五波导部分(211，212，213，214，215)。光子器件(1)还包括覆盖光导级(200)的第一电...

本发明涉及一种用于集合制造多个光电芯片(P1、P2)的方法，包括以下步骤：i)提供包括多个称为基本区域(z1、z2)的区域的接收基底(1)，每个基本区域包括至少一个称为耦合波导(31、32)的波导，该波导内置于接收基底(1)中；将多个接...

本发明涉及一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，所述电子元件包括：‑第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加，以便在第一和第二半导体层之间的界面附近形成电子气层(14)；和‑传导电极的第一和第二金属接触部(21、2...

本发明涉及光发射装置(100)，该光发射装置包括：至少一个光发射结构(110)，该至少一个光发射结构包括基本平行的第一侧和第二侧；第一电极(160，170)经由接触区域与第一侧和第二侧中的一侧接触，该装置的特征在于，第一电极(160，1...

本发明涉及一种光学器件(100)，该光学器件包括：‑波导(200)，该波导包括沿对称轴线XX’延伸并且封装在包覆层(220)中的芯部(210)；‑宽度为La的致动器(400)，该致动器与芯部(210)重叠并且沿平行于对称轴线XX’的对称...

用于在以密封方式彼此隔离的第一区域与第二区域之间传递移动和力的设备，该设备包括：在平面中延伸的支撑件；传递元件(8)，该传递元件能够借助于枢轴铰链(22)相对于支撑件旋转地移动，该枢轴铰链具有平行于支撑平面的旋转轴线；在支撑件中的孔(1...

本发明涉及一种用于基于GaN制成的光电设备(1)的制造方法，该光电设备包括适于发射第一波长(λ1)的第一光辐射的发射结构(10)，所述方法包括以下步骤：i.实现生长结构(20)，该生长结构包括由至少部分地松弛的Inx2Ga1‑x2N制成...

公开了微机械或纳米机械颗粒检测设备。颗粒检测设备包括：支撑件；用于接收颗粒的平台(4)；四个梁(12.1，12.2，12.3，12.4)，所述四个梁将平台(4)悬挂在支撑件(2)上，使得平台(4)能够振动；用于使所述平台(4)以共振频率...

本发明涉及一种用于制备含U3O8颗粒和PuO2颗粒的紧密混合物且可进一步含ThO2或NpO2颗粒的粉末的方法。该方法特征在于，所述方法包括：a)经由草酸沉淀法，制备草酸铀(IV)颗粒的水性悬浮液S1和草酸钚(IV)颗粒的水性悬浮液S2；...

本发明涉及一种电磁能量转换器(10)，该电磁能量转换器包括：导电线圈(20)；主磁体(30)，该主磁体处于由导电线圈(20)形成的内部空间V中；保持装置(40)，该保持装置使得主磁体能够在两个稳定平衡位置之间围绕轴线YY'旋转；第一致动...

本发明涉及通过悬浮等离子喷涂(SPS)技术，使用含有至少一种陶瓷化合物的至少一层来涂覆固体基材的至少一个表面的方法，其中，至少一种陶瓷化合物的至少一种固体颗粒的悬浮液注入等离子体射流中，并随后将含有固体颗粒悬浮液的热射流喷射到基材表面上...

特别是麦克风类型的机电压力传感器系统，包括：机电换能器、信号处理装置、用于接纳机电换能器和/或信号处理装置的至少一个支撑件(20，30)的基板(1)、布置在基板(1)的上部面(3)上的保护盖(40),机电换能器和/或信号处理装置的支撑件...

一种用于检测电磁辐射的辐射热测量型的检测结构(10)。检测结构(10)包括与吸收元件相连的MOSFET晶体管(100)，以在电磁辐射被吸收期间检测吸收元件的温度的升高。晶体管(100)包括至少一个第一区域和至少一个第二区域(111，11...

本发明涉及一种用于制备锂‑硫电池的正电极的方法，包括以下步骤：a)通过将以下各项相接触来制备第一混合物的步骤：诸如炭黑和/或活性炭的碳添加剂，选自碳纳米管、碳纤维以及碳纳米管和碳纤维的混合物的碳添加剂，碳有机粘合剂，以及溶剂；b)使所述...

本发明公开了一种用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统，该RF开关设置有基于相变材料(20)的、布置在第一导电元件(11)和第二导电元件(12)之间的第一区域(15)，以及用于所述第一区域(15)的状态控制装置，该开关还设置有至...

本发明涉及一种适用于三维半导体元件(31)的外延生长的成核结构(10)，所述成核结构(10)包含：衬底(11)，其包含形成生长表面(13)的单晶材料；多个中间部分(14)，其由从所述生长表面(13)外延生长的中间晶体材料制成并限定中间部...