电阻式3D存储器制造技术

存储器件，该存储器件设置有支撑件和在所述支撑件上形成的电阻式存储器单元(9

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻式3D存储器
本专利技术涉及微电子学和存储器领域，尤其是涉及电阻式随机存取存储器(RRAM或ReRAM)领域。
技术介绍
电阻式存储器具有共同的工作原理，即它们的状态变化是由于被置于两个电极之间的材料的电阻率的变化而引起的。有几种类型的电阻式存储器，其中包括PCRAM(相变随机存取存储器)、CBRAM(导电桥接RAM)和OxRAM。在OxRAM中，被布置在电极之间的材料包括介电氧化物，该介电氧化物通常是绝缘的，并可以通过在施加足够的电压或电流后在该材料中创建细丝或导电路径来使其导电。不断尝试增加存储器件的密度。为此，已经出现了其中存储器单元以多个叠置的层次分布的器件。在电阻式存储器领域，由Li等人在“2016年技术论文VLSI技术文摘研讨会”上发表的“与FinFET集成为用于大脑启发式认知信息处理的通用计算单元的四层3D垂直RRAM(FourLayer3DVerticalRRAMIntegratedwithFinFETasVersatileComputingunitforBrain-InspiredC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，所述存储器件设置有支撑件和在所述支撑件上形成的电阻式存储器单元(9

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180327 FR 18526571.一种存储器件，所述存储器件设置有支撑件和在所述支撑件上形成的电阻式存储器单元(91，92，93，94，95，96)的多个叠置的层次，每个层次(N1；N2；……；)包括一个或多个电阻式存储器单元的一个行或多个行(x；x+1)，每个电阻式存储器单元包括特别是PCRAM或OxRAM类型的可变电阻式存储器元件(6)，所述可变电阻式存储器元件由布置在第一电极和第二电极之间的可变电阻率材料区域形成，所述存储器元件(6)连接到控制晶体管(4)的源极或漏极区域，所述控制晶体管(4)形成在半导电层(251，252，253，254，255)的叠置体中的给定的半导电层中，所述半导电层的叠置体形成在所述支撑件上，并且在所述半导电层的叠置体中布置了电阻式存储器单元的各自的控制晶体管的各自的沟道区。


2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，不同层次的单元的第一竖直列包括单元的所述叠置层次中的第一层次(N1)的第一单元(91)和属于第二层次(N2)的第二单元(92)，所述第一单元(91)和所述第二单元(92)分别设置有第一控制晶体管和第二控制晶体管，所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管具有公共的栅电极(41)或具有彼此连接并连接到同一导电区域(3)的各自的栅电极。


3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述公共栅电极(41)或所述各自的栅电极(41)被互连到被称为“第一字平面”(WP1)的同一导电区域(3)，单元的第二竖直列包括属于第一层次(N1)的第三单元(93)和属于第二层次(N2)的第四单元(94)，并且所述第三单元和所述第四单元分别设置有第三控制晶体管和第四控制晶体管，所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管具有连接到所述第一字平面(WP1)的栅极。


4.根据权利要求2或3中的一项所述的存储器件，其中，所述第一单元(91)和所述第三单元(93)连接到多条水平偏置线(BL1,1，BL1,2，BL2,2)中的同一条第一水平偏置线(BL1,1)，其中，所述第二单元(92)和所述第四单元(94)连接到所述多条水平偏置线中的同一条第二水平偏置线(BL1,2)。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的存储器件，其中，所述第一单元(91)和所述第三单元(93)被布置在所述第一层次(N1)的同一第一行单元上，而所述第二单元(92)和所述第四单元(94)被布置在所述第二层次(N2)的同一第一行单元上，所述器件包括不同于所述第一字平面的另一字平面，所述另一字平面分别连接到所述第一层次的第二行单元中的单元和所述第二层次的第二行单元中的单元。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的存储器件，其中，所述第一单元(91)和所述第二单元(92)连接到多条竖直偏置线(SL1，SL2，……)中的同一第一竖直偏置线(SL1)，其中，所述第三单元(93)和所述第四单元(94)连接到所述多条竖直偏置线中的同一第二竖直偏置线(SL2)。


7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，属于所述第一层次(N1)并且属于不同于所述第一行的第二行单元的第五单元(95)和属于所述第二层次(N2)的第六单元(96)连接到所述第一竖直偏置线(SL1)。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储器件，其中，所述半导电层(251，252，253，254，255)的叠置体属于包括一个或多个绝缘层(27)的堆叠体，每个绝缘层被布置在所述半导电层(251，252，253，254，255)的叠置体中的两个半导电层之间。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的存储器件，其中，所述控制晶体管的所述源极或漏极区域连接到由被布置在第一电极和第二电极之间的可变电阻率材料区域形成的另一可变电阻式存储器元件(6)，所述存储器元件和所述另一存储器元件分别被布置在所述给定的半导电层的上表面和下表面上。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的存储器件，其中，所述控制晶体管具有栅极，所述栅极抵靠所述给定的半导电层的上表面和下表面延伸。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的存储器件，其中，所述控制晶体管的源极、沟道和...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦·安德里欧，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR