相变化记忆体装置包括底部电极、底部记忆体层、顶部记忆体层和顶部电极。底部记忆体层位于底部电极上方。底部记忆体层具有第一高度并包括锥形部分和颈部。锥形部分具有第二高度。第二高度与第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内。颈部位于锥形部分和底部电极之间。顶部记忆体层位于底部记忆体层之上。底部记忆体层的锥形部分在从顶部记忆体层朝向颈部的方向上逐渐变细。顶部电极位于顶部记忆体层之上。
【技术实现步骤摘要】
相变化记忆体装置
本公开涉及相变化记忆体装置。
技术介绍
相变化记忆体(phasechangememory,PCM)是一种非挥发性记忆体(non-volatilememory)，其中相变化材料中的功能区域的状态在晶体(crystalline)和非晶体(amorphous)之间切换(例如，透过产生热能的电流)。然后，功能区域的状态用于表示储存的数据。例如，在热激发(heatexcitation)之后，如果功能区域处于晶态(crystallinestate)，则储存的数据是低逻辑准位(lowlogiclevel)(例如，低准位(Low))。然而，如果功能区域处于非晶态(amorphousstate)，则储存的数据是高逻辑准位(highlogiclevel)(例如，高准位(High))。相变化记忆体的英文亦可为phaserandomaccessmemory(PRAM)、phasechangerandomaccessmemory(PCRAM)、ovonicunifiedmemory、chalcogeniderandomaccessmemory(C-RAM)等。
技术实现思路
依据本公开的部分实施例，提供一种相变化记忆体装置，其包含：底部电极、底部记忆体层、顶部记忆体层和顶部电极。底部记忆体层位于底部电极上，其中底部记忆体层具有第一高度并包含：锥形部分和颈部。锥形部分具有第二高度，其中第二高度与该第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内。颈部位于锥形部分和底部电极之间。顶部记忆体层位于底部记忆体层上，其中底部记忆体层的锥形部分在从顶部记忆体层朝向颈部的方向上逐渐变细。顶部电极，位于该顶部记忆体层上。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。图1是根据本公开的各种实施例的记忆体装置的透视图；图2A和图2B是在各种实施例中，根据本公开用于制造记忆体装置的方法的流程图；图3A至图3N绘示在各种实施例中，根据本公开在制造记忆体装置的不同阶段的横截面图；图4是图3N中的区域P的放大视图；图5是根据一些实施例的记忆体装置的横截面图；图6是图5中区域N的放大视图；图7A和图7B是在各种实施例中，根据本公开用于制造记忆体装置的方法的流程图；图8A至图8I绘示沿图1中所示的线A-A的横截面图；图9是图8I中的区域P'的放大视图；图10是根据一些实施例的记忆体装置的横截面图；图11是图10中的区域N'的放大视图。【符号说明】110…晶片112...基板114...电路120...金属间介电层130...底部导线140...第一介电层142...沟槽150...蚀刻停止层160...第二介电层160S...侧壁160t...厚度162...第一底部开口162'...第一底部开口164...第二底部开口164'...第二底部开口166...第三底部开口166'...第三底部开口169...锐角170...聚合物层180...底部电极180s...侧壁180t...厚度190...底部记忆体层190'...底部记忆体材料层190h...高度192...锥形部分192'...锥形部分192h...高度192h'...高度192s...侧壁192s'...侧壁192t...顶表面192t'...顶表面194...颈部194s...侧壁196...第二锥形部分196'...第二锥形部分196s...侧壁196s'...侧壁210...顶部记忆体层210'...顶部记忆体材料层220...第三介电层222...开口230...顶部电极240...第四介电层250...顶部导线A-A...线BO...底部开口D1...深度D1'...深度D2...深度D3...深度D4...深度M10...方法M10'...方法N...区域N'...区域O1...开口O1'...开口P...区域P'...区域PR1...光阻S12...操作S14...操作S16...操作S18...操作S20...操作S22...操作S23...操作S24...操作S26...操作S28...操作S30...操作S32...操作S34...操作S36...操作S38...操作S40...操作W1...宽度W1'...宽度W2...宽度Wa...宽度Wa'...宽度Wb...宽度Wc...宽度Wc'...宽度Wd...宽度Wd'...宽度We...宽度θa...角度θa'...角度θb...角度θb'...角度θc...角度θc'...角度θd...角度具体实施方式以下公开内容提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。以下描述元件和配置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例，而不是限制性的。例如，在以下描述中，在第二特征之上或上方形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或文字。此重复是为了简单和清楚的目的，并且本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，本文可以使用空间相对术语，诸如“在…下面”、“在...下方”、“低于”、“在...上面”、“在...上方”等，以便于描述一个元件或特征与如图所示的另一个元件或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间相对术语旨在包括使用或操作中的装置的不同取向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向上)，并且同样可以相应地解释在此使用的空间相对描述符号。如本文所用，“大约”、“大概”、“近乎”或“实质上”通常应表示给定值或范围的20％、10％或5％。这里给出的数值是近似的，意味着如果没有明确地说明，可以推断出术语“大约”、“大概”、“近乎”或“实质上”。本公开涉及记忆体装置的制造，并且更具体地涉及透过本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种相变化记忆体装置，其特征在于，包含：/n一底部电极；/n一底部记忆体层，位于该底部电极上，其中该底部记忆体层具有一第一高度并包含：/n一锥形部分，具有一第二高度，其中该第二高度与该第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内；以及/n一颈部，位于该锥形部分和该底部电极之间；一顶部记忆体层，位于该底部记忆体层上，其中该底部记忆体层的该锥形部分在从该顶部记忆体层朝向该颈部的方向上逐渐变细；以及/n一顶部电极，位于该顶部记忆体层上。/n
【技术特征摘要】
20190516 US 16/414,5821.一种相变化记忆体装置，其特征在于，包含：
一底部电极；
一底部记忆体层，位于该底部电极上，其中该底部记忆体层具有一第一高度并包含：
一锥形部分，具有一第二高度，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东颖，余绍铭，林毓超，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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