相变化记忆体装置制造方法及图纸

相变化记忆体装置包括底部电极、底部记忆体层、顶部记忆体层和顶部电极。底部记忆体层位于底部电极上方。底部记忆体层具有第一高度并包括锥形部分和颈部。锥形部分具有第二高度。第二高度与第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内。颈部位于锥形部分和底部电极之间。顶部记忆体层位于底部记忆体层之上。底部记忆体层的锥形部分在从顶部记忆体层朝向颈部的方向上逐渐变细。顶部电极位于顶部记忆体层之上。

【技术实现步骤摘要】
相变化记忆体装置
本公开涉及相变化记忆体装置。
技术介绍
相变化记忆体(phasechangememory,PCM)是一种非挥发性记忆体(non-volatilememory)，其中相变化材料中的功能区域的状态在晶体(crystalline)和非晶体(amorphous)之间切换(例如，透过产生热能的电流)。然后，功能区域的状态用于表示储存的数据。例如，在热激发(heatexcitation)之后，如果功能区域处于晶态(crystallinestate)，则储存的数据是低逻辑准位(lowlogiclevel)(例如，低准位(Low))。然而，如果功能区域处于非晶态(amorphousstate)，则储存的数据是高逻辑准位(highlogiclevel)(例如，高准位(High))。相变化记忆体的英文亦可为phaserandomaccessmemory(PRAM)、phasechangerandomaccessmemory(PCRAM)、ovonicunifiedmemory、chalcogeniderandomaccessmemory(C-RA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变化记忆体装置，其特征在于，包含：/n一底部电极；/n一底部记忆体层，位于该底部电极上，其中该底部记忆体层具有一第一高度并包含：/n一锥形部分，具有一第二高度，其中该第二高度与该第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内；以及/n一颈部，位于该锥形部分和该底部电极之间；一顶部记忆体层，位于该底部记忆体层上，其中该底部记忆体层的该锥形部分在从该顶部记忆体层朝向该颈部的方向上逐渐变细；以及/n一顶部电极，位于该顶部记忆体层上。/n

【技术特征摘要】
20190516 US 16/414,5821.一种相变化记忆体装置，其特征在于，包含：
一底部电极；
一底部记忆体层，位于该底部电极上，其中该底部记忆体层具有一第一高度并包含：
一锥形部分，具有一第二高度，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东颖，余绍铭，林毓超，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71