存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法技术

一些实施例涉及一种存储器元件。所述存储器元件包括上覆在底部电极上的顶部电极。数据储存层上覆在所述底部电极上。所述底部电极托住所述数据储层的下侧。所述顶部电极上覆在所述数据储存层上。所述底部电极的顶表面与所述顶部电极的顶表面对齐。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法
本专利技术实施例是涉及存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法。
技术介绍
许多现代电子装置包含电子存储器。电子存储器可为易失性存储器(volatilememory)或非易失性存储器(non-volatilememory)。非易失性存储器能够在没有电力的情况下保留其所存储的数据，而易失性存储器在断电时会丢失其所存储的数据。可编程金属化单元(programmablemetallizationcell，PMC)随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)(其也可被称为导电桥接RAM(conductivebridgingRAM)、CBRAM、纳米桥或电解存储器(electrolyticmemory))因优于当前电子存储器的优点而作为下一代非易失性电子存储器的一个有希望的候选者。与当前非易失性存储器(例如，闪速随机存取存储器)相比，PMCRAM通常具有更好的性能及可靠性。与当前易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dynamicrandom-accessmemory，DRAM)及静态随机存取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器元件，包括：/n底部电极，包括中心底部电极区及外围底部电极区，所述外围底部电极区从所述中心底部电极区向上延伸；/n数据储存层，上覆在所述底部电极上，其中所述底部电极的上表面托住所述数据储存层的下侧；以及/n顶部电极，上覆在所述数据储存层上，其中所述数据储存层的上表面托住所述顶部电极的下侧且所述数据储存层将所述顶部电极与所述底部电极隔开，且其中所述底部电极的顶表面与所述顶部电极的顶表面齐平。/n

【技术特征摘要】
20190510 US 16/408,8981.一种存储器元件，包括：
底部电极，包括中心底部电极区及外围底部电极区，所述外围底部电极区从所述中心底部电极区向上延伸；
数据储存层，上覆在所述底部电极上，其中所述底部电极的上表面托住所述数据储存层的下侧；以及
顶部电极，上覆在所述数据储存层上，其中所述数据储存层的上表面托住所述顶部电极的下侧且所述数据储存层将所述顶部电极与所述底部电极隔开，且其中所述底部电极的顶表面与所述顶部电极的顶表面齐平。


2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述顶部电极的侧壁包括上覆在弯曲段上的倾斜段以使所述顶部电极的宽度从所述顶部电极的底表面到所述顶部电极的所述顶表面连续增大。


3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述顶部电极的所述顶表面及所述底部电极的所述顶表面低于所述数据储存层的顶表面。


4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述顶部电极的所述顶表面及所述底部电极的所述顶表面高于所述数据储存层的顶表面。


5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述顶部电极包括上覆在底部层上的上部层以使所述上部层包含第一材料且所述底部层包含第二材料，所述第二材料与所述第一材料不同，且其中所述底部电极包含所述第二材料。


6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋福庭，闵仲强，曾元泰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71