一种以h-BN作为中间插层的忆阻器制造技术

本发明专利技术公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种以h-BN作为中间插层的忆阻器
本专利技术涉及忆阻器
，尤其涉及一种以h-BN作为中间插层的忆阻器。
技术介绍
忆阻器(memristor)是基于所加电压不同而导致电阻发生变化的一类非易失性器件。目前，忆阻器处在发展阶段，由于其高运行速度(每次转换300ps)，超低功耗(约0.1pJ)，优异的循环耐受性能(>1012)，长储存时间(>10年)以及高级程度(>1×1011bit/cm)得到了广泛的关注，但是由于材料特性之间的差异以及简单的结构导致忆阻器的各项高性能指标分散。这使得高性能的忆阻器对于新的材料以及新的结构显得尤为重要。目前为提高忆阻器性能在忆阻器结构的工作上做了很多工作，现在文献上报道的忆阻器结构主要有垂直结构以及平面结构。其中以垂直结构最为普遍，而目前改善忆阻器性能在结构上的工作主要是将二维材料作为插入层形成四层结构来改善性能。这样由于二维材料优异的电学性能使得器件的性能更加稳定。这样的短板也很明显，将其夹在介质层与电极之间，其阻变介质还是原本的介质层，其二维材料只是起到来稳定器件的性能，并没有将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以h-BN作为中间插层的忆阻器，其特征在于，/n所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，所述底电极层与所述衬底固定连接，并位于所述衬底一侧，所述高空位介质层与所述底电极层固定连接，并位于远离所述衬底一侧，所述中间插层与所述高空位介质层固定连接，并位于远离所述底电极层一侧，所述低空位介质层与所述中间插层固定连接，并位于远离所述高空位介质层一侧，所述顶电极层与所述低空位介质层固定连接，并位于远离所述中间插层一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种以h-BN作为中间插层的忆阻器，其特征在于，
所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，所述底电极层与所述衬底固定连接，并位于所述衬底一侧，所述高空位介质层与所述底电极层固定连接，并位于远离所述衬底一侧，所述中间插层与所述高空位介质层固定连接，并位于远离所述底电极层一侧，所述低空位介质层与所述中间插层固定连接，并位于远离所述高空位介质层一侧，所述顶电极层与所述低空位介质层固定连接，并位于远离所述中间插层一侧。


2.如权利要求1所述的一种以h-BN作为中间插层的忆阻器，其特征在于，
所述底电极层为金、铂、石墨烯、铱和钯中的任意一种，厚度为1-200nm。


3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙堂友，涂杰，石卉，刘云，李海鸥，傅涛，刘兴鹏，陈永和，肖功利，李琦，张法碧，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45