【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着各种功能电路集成度的迅速提高以及对功能模块和元器件小型化的需要，集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到器件小型化的解决方案。在各种典型电路中，80％的组件为无源器件，它们占去了印刷电路板上的近50％的面积，而电容器作为基板上最常见也是分布最多的元器件，使电容器的集成技术成为集成无源技术的关键技术。电容元件常用于如射频IC、单片微波IC等集成电路中作为电子无源器件。常见的电容元件包括金属氧化物半导体(MOS)电容、PN结电容以及MIM(metal-insulator-metal，简称MIM)电容等。其中，MIM电容在某些特殊应用中提供较优于MOS电容以及PN结电容的电学特性，这是由于MOS电容以及PN结电容均受限于其本身结构，在工作时电极容易产生空穴层，导致其频率特性降低。而MIM电容可以提供较好的频率以及温度相关特性。此外，在半导体制造中，MIM电容可形成于层间金属以及铜互连制程，也降低了与CMOS前端工...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底内的凹槽；/n位于所述凹槽内和所述衬底上的若干层重叠的复合层，所述复合层包括电极层以及位于所述电极层上的第一介质层，位于上层的所述复合层暴露出位于下层的所述复合层的部分顶部表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底内的凹槽；
位于所述凹槽内和所述衬底上的若干层重叠的复合层，所述复合层包括电极层以及位于所述电极层上的第一介质层，位于上层的所述复合层暴露出位于下层的所述复合层的部分顶部表面。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述复合层的层数范围为2～5层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每层所述电极层的厚度为20nm～500nm。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每层所述第一介质层厚度为10nm～100nm。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二介质层，所述第二介质层位于所述凹槽与位于底层的所述复合层之间。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的厚度为10nm～100nm。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的第三介质层，所述第三介质层覆盖若干层所述复合层。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第三介质层和所述第一介质层内的若干导电开口，所述导电开口暴露出所述电极层的顶部表面；位于所述导电开口内的导电插塞；位于所述第三介质层上的互连层，所述互连层分别与部分所述导电插塞连接。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深度为1μm～1.5μm。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深宽比的范围为5:1～20:1。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化锆和氧化铝中的一种或多种组合。
12.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化锆和氧化铝中的一种或多种组合。
13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极层的材料包括金属，所述金属包括：铜或铝。
14.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底内的若干光电二极管区域，所述光电二极管区域内具有掺杂离子，所述凹槽位于相邻的所述光电二极管区域之间。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子包括：N型离子或P型离子；所述N型离子包括磷离子或砷离子，所述P型离子包括硼离子或氟化硼离子。
16.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底内形成凹槽；
在所述凹槽内和所述衬底上形成若干层重叠的复合层，所述复合层包括电极层以及位于所述电极层上的第一介质...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡万景，王林，黄金德，
申请(专利权)人：锐芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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