半导体结构的形成方法以及阻变式存储器技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法以及阻变式存储器，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成电极层；在所述电极层上形成盖帽层；刻蚀所述盖帽层，形成第一电极；形成所述第一电极后，对所述电极层进行周期性刻蚀工艺，形成第二电极；所述周期性刻蚀工艺的一个周期包括：向刻蚀腔室中依次通入所述电极层的刻蚀气体和氮气。所述阻变式存储器，包所述形成方法所形成的半导体结构。本发明专利技术优化了半导体结构和阻变式存储器的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法以及阻变式存储器
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法以及阻变式存储器。
技术介绍
阻变式存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM)是一种常见的非易失存储器。RRAM具有结构简单、密度高以及兼容性好等优点。RRAM具有金属-绝缘体-金属(MIM，Metal-Insulator-Metal)的结构，包括底电极和顶电极以及位于两者之间的阻变材料层。所述阻变材料层根据施加底电极和顶电极上电压的不同，在高阻态(HRS，HighResistanceState)和低阻态(LRS，LowResistanceState)间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，实现各种信息的存储。然而，现有RRAM的电学性能不符合技术发展的需求。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法以及阻变式存储器，优化半导体结构的电学性能。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成电极层；/n在所述电极层上形成盖帽层；/n刻蚀所述盖帽层，形成第一电极；/n形成所述第一电极后，对所述电极层进行周期性刻蚀工艺，形成第二电极；/n所述周期性刻蚀工艺的一个周期包括：向刻蚀腔室中依次通入所述电极层的刻蚀气体和氮气。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成电极层；
在所述电极层上形成盖帽层；
刻蚀所述盖帽层，形成第一电极；
形成所述第一电极后，对所述电极层进行周期性刻蚀工艺，形成第二电极；
所述周期性刻蚀工艺的一个周期包括：向刻蚀腔室中依次通入所述电极层的刻蚀气体和氮气。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：采用化学气相沉积的方法在所述第一电极和第二电极的侧壁上形成衬里层。


3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬里层的材料为低温氧化硅、碳氮化硅和氮掺杂的碳材料中的一种或多种。


4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬里层的厚度在20～50埃的范围内。


5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向刻蚀腔室中通入氮气的步骤中，还向所述刻蚀腔室中通入载气以及碳氢氟化物。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述载气包括Ar和He。


7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向刻蚀腔室中通入氮气的工艺参数包括：气压为4～50mTorr，气体流量为100～1000sccm，射频功率为200～1000W。


8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向刻蚀腔室中通入氮气的时间占一个周期的10％～90％。


9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，周期性刻蚀工艺一个周期的时间为10～60s。


10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括Cl2、BCl3或...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑二虎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31