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本发明提供一种半导体结构的形成方法以及阻变式存储器，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成电极层；在所述电极层上形成盖帽层；刻蚀所述盖帽层，形成第一电极；形成所述第一电极后，对所述电极层进行周期性刻蚀工艺，形成第二电极；所述周期性刻蚀...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。