一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器及制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，忆阻器自上而下依次具有上电极、阻变层、下电极、柔性基底的垂直四层结构；忆阻器的上电极为铜薄膜或银薄膜；忆阻器件的阻变层为偏铝酸铜薄膜；下电极为氧化铟锡透明导电薄膜；柔性基底为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料，本发明专利技术基于偏铝酸铜薄膜的柔性忆阻器，制备工艺简单、成本低廉且能够在聚合物柔性基底上获得良好的阻变特性。本发明专利技术所述的忆阻器扩宽了忆阻器阻变层的材料体系，有望在柔性器件、可穿戴电子器件领域获得应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器及制备方法
本专利技术属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器及其制备方法。
技术介绍
忆阻器作为电阻、电容和电感之后第四种基本电路元件，具有器件结构简单、工作速度快和功耗低等特点，在信息存储、逻辑运算和神经形态芯片等领域有重要的应用前景。忆阻器具有“电极/阻变层/电极”三明治结构，其阻变特性与电极材料和阻变材料密切相关。在某种程度上忆阻器呈现出的阻变特性决定了其应用领域。为了满足不同的应用场景，研究者已经采用各种方法，来获得不同的阻变特性。其中，选取不同的阻变层材料是改变忆阻器阻变特性的一种有效方法。到目前为止，研究者针对不同的阻变材料，开展了大量的研究，所涉及的阻变材料种类繁多，有绝缘体和半导体等。研究表明，分别采用绝缘体材料、本征半导体材料和n型半导体材料作为忆阻器阻变层时，忆阻器显示出了不同的阻变特性，从而能够适用于不同的应用场景。忆阻器所采用的基底也会对其应用场景产生影响。近年来，随着可穿戴电子领域的不断发展，研究者开始把目光投向了以柔性材料作为基底的电子器件。对于忆阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，其特征在于：/n所述忆阻器自上而下依次具有上电极(4)、阻变层(3)、下电极(2)、柔性基底(1)的垂直四层结构；所述忆阻器的上电极(4)为铜薄膜或银薄膜；所述忆阻器件的阻变层(3)为偏铝酸铜薄膜；下电极(2)为氧化铟锡透明导电薄膜；所述忆阻器的柔性基底(1)为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，其特征在于：
所述忆阻器自上而下依次具有上电极(4)、阻变层(3)、下电极(2)、柔性基底(1)的垂直四层结构；所述忆阻器的上电极(4)为铜薄膜或银薄膜；所述忆阻器件的阻变层(3)为偏铝酸铜薄膜；下电极(2)为氧化铟锡透明导电薄膜；所述忆阻器的柔性基底(1)为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。


2.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，其特征在于：所述忆阻器的阻变层(3)采用射频溅射获得，厚度为50nm～300nm。


3.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，其特征在于：所述忆阻器的上电极(4)为铜薄膜或银薄膜。


4.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，其特征在于：下电极(2)为氧化铟锡底电极，厚度为100～200nm。


5.权利要求1至4任意一项所述的一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器的制备方法，其特征在于包括如下工艺步骤：
(1)准备聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯作为柔性基底，并进行清洗和干燥处理；
(2)采用氧化铟锡靶材，通过直流溅射法在聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯柔性基底上沉积氧化铟...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，伊海，田伟，陈鹏宇，李东阳，李春梅，蒋向东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51