【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法
本专利技术的领域是具有发光二极管或光电二极管的矩阵阵列的光电器件的领域。本专利技术尤其应用于照明器件、显示屏和图像投影仪的领域，以及光电检测器和传感器的领域。
技术介绍
已经存在适于形成照明器件、显示屏或图像投影仪的具有发光二极管的矩阵阵列的光电器件。由此，文献EP2960940示出具有发光二极管的矩阵阵列的光电器件的示例。如图1示意性地示出的，该光电器件A1包括多个发光二极管A2，其每个包括彼此通过有源区域A32分隔的n掺杂段A31和p掺杂段A33形成的半导体堆叠，其中，发光二极管A2的光辐射大多从所述有源区域生成。发光二极管A2就有称为台面的结构，即它们是基于旨在形成各种掺杂段A31、A33和有源区域A32的二维半导体层的堆叠获得的，实施局部蚀刻以使得发光二极管A2单个化。在本示例中，每个二极管A2具有L形，其侧部除了在掺杂段A31形成的凹处A8以外，覆盖有钝化隔离层。电极A3支承在掺杂段A33上，电极A4在二极管A2之间延伸并与掺杂段A31形成的凹处A8...
【技术保护点】
1.一种用于制造具有二极管(2)的矩阵阵列的光电器件(1)的方法，每个二极管(2)包括：由第一掺杂段(31)和第二掺杂段(33)形成的半导体堆叠(30)，在所述第一掺杂段与第二掺杂段之间设置有有源区域(32)，并且所述半导体堆叠具有热膨胀系数α
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180420 FR 18534951.一种用于制造具有二极管(2)的矩阵阵列的光电器件(1)的方法，每个二极管(2)包括：由第一掺杂段(31)和第二掺杂段(33)形成的半导体堆叠(30)，在所述第一掺杂段与第二掺杂段之间设置有有源区域(32)，并且所述半导体堆叠具有热膨胀系数αes，所述方法包括以下步骤：
i)提供具有小于αes的热膨胀系数αsc的生长衬底(10)，并且所述生长衬底包括覆盖有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11)；
ii)在所述成核表面(12b)上沉积由具有小于αes的热膨胀系数αmc的电绝缘材料制成的电介质层(20)；
iii)在所述电介质层(20)中形成通向所述成核表面(12b)的多个通孔(21)；
o蚀刻位于所述通孔(21)中的成核层(12)，以空出所述承载衬底(11)的上表面并暴露所述成核层(12)的侧面，从而形成成核侧面(12c)；
o形成在所述承载衬底中或上延伸的电介质区域(13、15)，以使得在外延生长的步骤iv)期间，每个第一掺杂段(31)尤其是自所述成核侧面(12c)形成的；
iv)通过外延生长在所述通孔(21)中并且自所述成核表面(12b)产生所述半导体堆叠(30)，以使得至少所述第一掺杂段(31)和所述有源区域(32)位于所述通孔(21)中。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，每个通孔(21)包括单个成核表面(12b)，所述单个成核表面在所述通孔(21)的轮廓的一部分上延伸，并且其成核侧面(12c)在与所述承载衬底(11)的平面平行的平面中以凸起或连续直线的方式延伸。
3.如权利要求2所述的制造方法，每个通孔被所述电介质层(20)的至少一个侧边界(22)横向地限定，其中，所述成核侧面(12c)与所述侧边界(22)齐平。
4.如权利要求2所述的制造方法，其中，每个通孔(21)包括所述成核层的凸起部(14)，所述凸起部(14)延伸到所述承载衬底(11)上的通孔(21)中，并且不被所述电介质层(20)覆盖。
5.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述凸起部(14)的上部面(14b)参与形成所述成核表面(12b)。
6.如权利要求4所述的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：沉积薄的电介质层(15)，以覆盖所述凸起部(14)的上部面(14b)以及所述承载衬底(11)的上部面，从而形成所述电介质区域(13、15)，同时空出所述成核侧面(12c)。
7.如权利要求1至6中任一项所述的制造方法，其中，所述电介质区域(13、15)通过硅基承载衬底(11)的氧化或氮化，或通过沉积薄的电介质层(15)来形成。
8.如权利要求1至7中任一项所述的制造方法，其中，在所述外延生长步骤期间，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·查尔斯，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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