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根据本发明，一种用于制造具有二极管(2)的矩阵的光电器件(1)的方法，其中，所述二极管具有半导体堆叠(30)，所述方法包括以下步骤：‑提供生长衬底(10)，所述生长衬底具有涂覆有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11)；‑在...
该专利属于原子能和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能和替代能源委员会授权不得商用。

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