【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储装置
实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
将存储单元三维配置的半导体存储装置的研发得到发展。例如，NAND型非易失性存储装置包括层叠在导电层上的多个电极层和在贯通多个电极层而延伸的存储器孔内设置的半导体膜及电荷保持膜，在存储器孔贯通电极层的部分配置有存储单元。这样的存储装置通过增加电极层的层叠数量，能够增大其存储容量。但是，随着电极层的层叠数量增加，形成贯通多个电极层的存储器孔变困难。对此能够使用这样的方法，形成贯通多个第一电极层的第一存储器孔，进而形成贯通层叠在第一电极层上的多个第二电极层并连通第一存储器孔的第二存储器孔。由此，用于形成贯通层叠数量大的电极层的存储器孔的蚀刻的难度减小，但是有时由于第二存储器孔的位置偏离，在第一存储器孔内形成的电荷保持膜遭受工艺损伤。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009－135324号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题实施方式提供一种能够防止电荷保持膜的工艺损伤的半导体存储装置...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其具有：/n多个第一电极层，沿第一方向进行层叠；/n多个第二电极层，沿所述第一方向进行层叠；/n第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；/n第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；/n连接部，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及/n岛状的垫片膜，包围所述连接部，/n所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，/n所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180320 JP 2018-0525581.一种半导体存储装置，其具有：
多个第一电极层，沿第一方向进行层叠；
多个第二电极层，沿所述第一方向进行层叠；
第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；
第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；
连接部，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及
岛状的垫片膜，包围所述连接部，
所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，
所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
被所述垫片膜包围的所述连接部在与所述第一方向正交的第二方向上的最小宽度，比贯通所述多个第一电极层的部分处的所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度窄。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述垫片膜在与所述第一方向正交的第二方向上的宽度，比所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度宽。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
与所述第一方向正交的截面处的所述第一柱状体具有大致圆形的形状，所述截面处的所述第一柱状体的中心以及与所述第一方向正交的截面处的所述垫片膜的中心大致一致。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第一柱状体在贯通所述多个第一电极层中的与所述连接部最远的第一电极层的部分，具有比所述连接部的所述最小宽度窄的所述第二方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第二柱状体的所述第二方向上的宽度小于所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第一柱状体及所述连接部包括沿所述第一方向延伸的绝缘性核心和包围所述绝缘性核心并沿所述第一方向延伸的半导体膜，
所述第一柱状体处的所述半导体膜的外径大于所述连接部处的所述半导体膜的外径的最小值。
8.一种半导体存储装置，其具有：
多个第一电极层，沿第一方向层叠；
多个第二电极层，沿所述第一方向层叠；
第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；
第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层，与所述第一柱状体连接；以及
岛状的阻挡膜，包围所述第一柱状体的与所述第二柱状体连接的端部，
所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，
所述阻挡膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间，
所述阻挡膜包括第一部分以及位于所述第一柱状体和所述第一部分之间的第二部分，所述第一部分的所述第一方向上的第一宽度小于所述第二部分的所述第一方向上的第二宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：长友健，泉达雄，铃木亮太，西川拓也，中岛康人，高山大希，内藤大明，川口元气，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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