温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体存储装置(1)具有：多个第一电极层(SGS，WL1)，沿第一方向(Z)层叠；多个第二电极层(WL2，SGD)，沿所述第一方向层叠；第一柱状体(PB1)，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；第二柱状体(PB2)，沿所述第一方向贯通所述...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。