微型半导体结构及其制造方法技术

一种微型半导体结构及其制造方法，其中微型半导体结构包含一基板、一解离层、一保护层及一微型半导体。解离层位于基板的一侧，保护层位于基板两侧中的至少一侧，微型半导体位于基板两侧中与解离层相同的一侧。保护层对波长小于360nm的光源穿透率小于20％。借此，保护层可在激光解离工艺中避免微型半导体受激光光源照射而产生异常或损坏。

【技术实现步骤摘要】
微型半导体结构及其制造方法
本公开内容涉及一种微型半导体结构及其制造方法，且特别是一种应用在激光解离工艺的微型半导体结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，各类电子装置广泛应用各种微型半导体，例如：有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode；OLED)或微型发光二极管(MicroLight-EmittingDiode；MicroLED)。制作微型半导体的过程中，微型半导体经常需要在不同基板上进行加工，而工艺上经常以激光解离(LaserLift-Off；LLO)工艺使微型半导体脱离基板，以利微型半导体在不同基板间转移并进行加工。然而在微型半导体微缩至微米等级后，在激光解离工艺中，微型半导体经常因为激光光源照射产生异常或损坏。因此，发展一种适合激光解离工艺的微型半导体结构及其制造方法遂成为产业上重要且急欲解决的问题。
技术实现思路
本公开内容提供一种微型半导体结构及其制造方法，通过配置对激光光有低穿透率的保护层降低激光解离工艺中微型半导体结构的损坏率。依据本公开内容一实施方式提供一种微型半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型半导体结构，其特征在于，包含：/n一基板；/n一解离层，位于该基板的一侧；/n一保护层，位于该基板的至少一侧；以及/n一微型半导体，位于该基板的该侧；/n其中，该保护层对波长小于360nm的一光源的穿透率小于20％。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型半导体结构，其特征在于，包含：
一基板；
一解离层，位于该基板的一侧；
一保护层，位于该基板的至少一侧；以及
一微型半导体，位于该基板的该侧；
其中，该保护层对波长小于360nm的一光源的穿透率小于20％。


2.如权利要求1所述的微型半导体结构，其特征在于，该保护层的一杨氏模量大于该解离层的一杨氏模量。


3.如权利要求1所述的微型半导体结构，其特征在于，该解离层、该保护层、该微型半导体皆位于该基板的该侧，且该解离层设置于该基板上，该保护层设置于该解离层上，该微型半导体设置于该保护层上。


4.如权利要求3所述的微型半导体结构，其特征在于，还包含：
一易移除层，设置于该保护层与该微型半导体之间。


5.如权利要求4所述的微型半导体结构，其特征在于，该易移除层与该解离层皆为有机材质，该保护层为无机材质。


6.如权利要求1所述的微型半导体结构，其特征在于，该保护层为一图案化结构。


7.如权利要求6所述的微型半导体结构，其特征在于，该保护层投影至该基板的一总面积与该解离层投影至该基板的一面积的比值介于0.5与1之间。


8.如权利要求6所述的微型半导体结构，其特征在于，该解离层对应设置于该保护层下，且该保护层于该基板的一投影面积大于或等于该解离层于该基板的一投影面积。


9.如权利要求8所述的微型半导体结构，其特征在于，该保护层包含金属材料。


10.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴柏威，杨翔甯，罗玉云，史诒君，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71