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原子能和替代能源委员会专利技术
原子能和替代能源委员会共有376项专利
包括减缓堆芯熔化事故的安全设备的整体式快中子反应堆制造技术
本发明涉及一种包括减缓堆芯熔化事故的安全设备的整体式快中子反应堆,本发明的主要目的是一种整体式快中子核反应堆,该反应堆包括:包括堆芯的主罐;包括主泵、中间热交换器和用于排出剩余功率的热交换器的集成式主回路;将热传递流体的体积分成热收集器...
半导体器件和制造半导体器件的方法技术
一种半导体器件,包括:衬底基体(2),其具有表面(3);导体(5),其包括覆盖至少部分表面(3)的导体材料(5a);以及电介质(4),其设置在未被导体(5)覆盖的表面(3)的部分上。其中,导体(5)与衬底基体(2)接触,导体(5)与电介...
用于制造具有改善的电气特性的气体扩散设备的方法技术
本发明涉及一种用于制造气体扩散设备(3)的方法,其包括以下步骤:
用于在热失控的情况下熄灭电化学发生器的方法技术
公开了用于特别地在热失控的情况下熄灭电化学发生器(10)的方法,电化学发生器(10)包括第一电极和第二电极,第一电极连接到第一端子(22),并且第二电极连接到第二端子(32)或连接到电化学发生器的接地部,该方法包括如下的步骤:在该步骤中...
用于无损检查的超声靶制造技术
本发明的第一主题是一种超声靶,其包括主反射器,该主反射器:
光发射和/或光接收二极管阵列器件制造技术
公开了光发射和/或光接收二极管(102)阵列器件(100),该阵列器件包括:
用于通过光声检测来检测分析物的设备制造技术
一种旨在通过接触面(3)施加于待分析介质的光声检测设备(1),该设备包括:
整体尺寸减小的微机电传声器制造技术
本发明涉及一种整体尺寸减小的微机电传声器,包括:由第一基板制造的传声器单元,传声器单元包括能够在压差的作用下移动的可移动元件和用于测量所述可移动元件的位移的测量装置,由第二基板制造的盖,所述盖具有第一凹槽,用于将测量装置电连接到控制单元...
电容性装置制造方法及图纸
本发明涉及一种电容性装置(10),该电容性装置包括:金属层(20);从金属层的面延伸的纳米管或纳米线束(40)的网络;以一致性的方式覆盖金属层(20)和纳米管束(40)的电容性叠组(50),所述叠组包括上导电层(51)和隔离层(52),...
用于制备、检测和分析流体样品的自动化系统技术方案
本发明涉及一种用于制备、检测和分析包含生物物种的第一流体样品的自动化系统,所述制备、检测和分析系统包括:‑至少一个流体盒体(2),其包括至少一个浓缩和裂解流体模块(MF1)和包括并行地布置的多个扩增室的网络(30)的检测流体模块(MF2...
利用填充液体从多个腔中选择性地填充一组腔的方法技术
S 66194GR‑G‑EXT PCT 29摘要本发明涉及一种利用填充液体(15)选择性地填充多个腔(10)之中的第一腔(11)的方法,每个腔在衬底的正面(21)处向外打开,该方法包括以下步骤:a)处理步骤,旨在改变第一腔(11)的第一...
用于制造具有最佳吸收率的检测结构的方法以及所述结构技术
本发明涉及一种形成用于检测电磁辐射的检测结构(10)的方法,该检测结构包括作为换能器的MOS晶体管(100)。该方法基于使用侧向延伸元件(134,135,136)作为用于晶体管的半导体层(113P)的掺杂掩模和用于同一半导体层113P)...
具有信息存储和显示功能的光伏太阳能电池制造技术
一种光伏电池,所述光伏电池具有发射光辐射的结构,并且包括一个或多个雕刻图案,所述一个或多个雕刻图案在第一层中形成,所述第一层与第二层形成结,所述图案根据与至少一个信息符号相对应的,特别是与电池有关的信息项相对应的预定布置被分布,所述结在...
包括有纹理的外部密封层的金属密封件制造技术
本发明主要涉及一种包括外部密封层的静态金属密封件(1),其中,外部密封层包括有纹理的表面(3),有纹理的表面被构造成与待密封表面发生接触,所述有纹理的表面(3)包括在有纹理的表面(3)上彼此间隔开的凹陷(4)的网络,其中凹陷(4)是盲式...
具有优化的吸收的电磁辐射检测结构及用于形成这种结构的方法技术
本发明涉及一种电磁辐射检测结构(10),该电磁辐射检测结构包括限定吸收平面的至少一个吸收元件和MOSFET晶体管(100)。该晶体管包括:具有第一导电类型的至少一个第一区域和至少一个第二区域(111,112);至少一个将第一区域和第二区...
显示抗胞内作用毒素、胞内病毒和细菌的保护活性的新二氢喹唑啉酮制造技术
本发明涉及一种2,3‑二氢喹唑啉‑4(1H)‑酮类的新家族化合物及其作为胞内作用毒素,或病毒或细菌的毒性作用的抑制剂的用途,其中所述胞内作用毒素诸如为蓖麻毒素、志贺毒素或霍乱毒素,利用逆向转运使细胞中毒,所述病毒或细菌利用逆向转运和/或...
确定影响电离辐射的像素化检测器的像素的偏置的方法技术
一种用于确定影响电离辐射的检测器(1)的至少一个像素的偏置(β
弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法技术
本发明涉及一种弛豫GaN/InGaN结构及其制造方法,包括以下步骤:a)提供一种装置,包括:GaN/InGaN结构,其包括局部覆盖有InGaN台面(100)的导电掺杂的GaN层(204),InGaN台面包括掺杂的InGaN层(101)和...
制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法技术
一种制造衬底的方法,包括以下步骤:提供包括初始衬底、氮化镓层、掺杂的氮化铟镓层(13)以及非故意掺杂的氮化铟镓层(14)的堆叠;将掺杂的氮化铟镓层(13)和非故意掺杂的氮化铟镓层(14)转接到阳极氧化支撑体(21)上,以形成第二堆叠(2...
具有增加的生产能力的等离子体增强化学气相沉积装置制造方法及图纸
一种用于在多个基板上进行等离子体增强化学气相沉积的装置,包括:腔室;连接到腔室的气体供应构件和排气构件;船形件‑保持器(6),容纳在腔室中并被构造成通过开口进入腔室以及从腔室中取出;被构造成支撑基板的船形件(4),所述船形件包括多个板,...
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