本发明涉及一种旨在经由接触面(3)被施加在待分析的介质(2)上的光声检测装置(1)，该装置包括：·‑中空空腔(20)；·‑脉冲化或幅度调制的光源(10)；·‑声学检测器(28)，其被配置为检测延伸通过所述空腔的声波(12)，所述装置的特...

一种使用伽马相机重建源的位置的方法。该伽马相机结合了两种成像模式：编码掩模成像模式和康普顿成像模式。该方法包括选择至少一种同位素，根据贝叶斯概率方法进行重建，并考虑到每个选择的同位素。

本发明涉及一种用于获取和处理由伽马相机采集的图像的方法，该伽马相机包括检测器，该检测器被配置为检测在伽马相机的观察场(Ω)中发射的X射线或伽马射线光子以获得重建图像。重建图像对应于观察场中的辐射源的位置，重建图像可以包括与热点相对应的多...

本发明涉及微电子器件的制备，其包括：a)制备具有承载件(100)的结构，承载件(100)设置有具有第一层级(N1)的元件的半导体层(12)，承载件(100)设置有具有第二层级(N2)的另一半导体层(120)，另一半导体层(120)具有下...

一种用于将图像投射到眼睛(O)上的设备(1)，包括：‑沿着各个发射轴线的光发射器；‑光学组合器(30)，其被配置为从每个光波形成准直光波；该设备使得：‑光发射器包括定向屏幕(10)，定向屏幕包括各个像素(10<subgt;i<...

本发明涉及一种用于将图像投射到眼睛上的设备，所述设备包括：‑光发射器，被配置为沿着各个相应的发射轴线发射光波；‑光学组合器，所述光学组合器光学耦合到所述光发射器，并且被配置为从由所述光发射器发射的每个光波形成传播到所述眼睛的瞳孔的准直光...

本发明涉及存储装置、微电子部件以及用于制造存储装置的方法，该存储装置(100)包括与选择晶体管串联地电连接的至少一个存储堆叠部(158)，选择晶体管包括：‑半导体层(120)，半导体层的第一区(122)被叠置并形成沟道；‑静电控制栅极(...

本发明涉及用于从含有选自稀土元素和锕系元素的金属的至少一种盐的酸性水相中液‑液萃取所述金属的所述盐的方法，所述方法特别包括将含有所述金属的所述盐和至少一种非离子水溶助剂的酸性水相与含有至少一种非离子水溶助剂和至少一种萃取剂的有机相混合的...

本发明涉及用于从固体材料中萃取至少一种镧系元素的方法，实施包含水、至少一种有机非质子溶剂和至少一种带电的水溶助剂的组合物的方法，以及所述组合物用于回收镧系元素、更具体地用于回收WEEE和用于净化流出物的用途，所述镧系元素优选选自镧(La...

本发明涉及适于通过外延制造InGaN基二极管阵列的生长衬底及其制造方法，其包括由GaN基晶体材料制成的台面M<subgt;(i)</subgt;，每个台面包括由无孔材料制成的中间绝缘层(14)成对隔开的N个掺杂层(13、15...

本发明涉及一种平面光电二极管1，包括由锗基材料M0制成的检测部分10和外围侧面部分3，外围侧面部分3包括彼此堆叠的几种材料，该几种材料包括热膨胀系数低于材料M0的热膨胀系数的材料M1和热膨胀系数高于或等于材料M0的热膨胀系数的材料M2。...

本发明涉及一种用于制造热电结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由第一材料制成的衬底(100)，b)通过增材制造，优选地通过SLS或PBF来在衬底(100)上沉积由第二材料制成的热电元件(200)，c)使衬底(100)变薄并对衬底进行...

本发明涉及一种用于制造热电结构的方法和用于对热电结构进行金属化的方法。用于制造热电结构的方法包括以下步骤：a)提供覆盖有金属层(300)的衬底(100)，b)通过增材制造，优选地通过SLS或PBF来在金属层(300)上形成热电元件(20...

本发明涉及一种固态微电池，其包括：‑基底(S)；‑锂钴氧化物层(2)，其形成具有相对的第一表面(20)和第二表面(21)的阴极；‑在阴极(2)的第一表面(20)上形成的锂基固态电解质(4)；阴极(2)的第二表面(21)朝向基底(S)；‑...

用于制造原生发射矩阵的方法，该方法包括以下步骤：a)提供基部结构(10)，基部结构依次包括：衬底(11)；GaN层(12)；掺杂In(x)GaN层(13)，其中，x介于0％至8％之间；以及非有意掺杂In(x)GaN外延再生长层(14)，...

本发明涉及在PWR反应堆的运行周期期间，处理初级回路的由镍基或钴基合金制成的金属部件的内表面的方法。该方法包括：估算金属部件将会排出至初级回路中的镍量；计算固定所估算的镍总量所需的磁铁矿的量；通过在水具有80℃至180℃的温度时，将计算...

本发明涉及一种串联光伏器件，该串联光伏器件以如下层叠顺序包括：A/硅基子电池A，特别是硅异质结子电池或隧穿氧化物钝化接触TOPCon架构子电池；以及B/钙钛矿基子电池B，该钙钛矿基子电池至少包括：‑导电层或半导体层，该导电层或半导体层在...

本发明涉及一种具有相控阵天线的光电发射器

本发明涉及一种用于制造检测装置(1)的方法，该方法包括以下步骤：

本发明涉及一种光电二极管，包括：由第一锗基晶体半导体材料制成的检测部分10，检测部分10包括第一掺杂区域11、第二掺杂区域12和中间区域13；与第一掺杂区域11接触的间隙部分27，间隙部分27由晶体半导体材料制成，该晶体半导体材料具有等...