生产带金属光学分离栅的光电发射和/或接收装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，该方法至少包括：生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，该光电发射和/或光电接收部件的至少一个第一金属电极(110)覆盖光电发射和/或光电接收部件的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到光电发射和/或光电接收部件的至少一个发射和/或接收面(112)；对第一金属电极的位于发射和/或接收面处的至少一个面进行处理，使得能够将第一金属电极的所述面润湿；在至少一个支撑件(142)上生产金属光学分离栅；通过钎焊将金属光学分离栅紧固在第一金属电极的所述面上；移除该支撑件。

【技术实现步骤摘要】
生产带金属光学分离栅的光电发射和/或接收装置的方法
本专利技术涉及带有诸如发光二极管(被称为LED或微型LED)的光电发射二极管和/或带有诸如光电二极管的光电接收二极管的装置的领域。本专利技术尤其适用于以下领域：-LED照明装置、包括LED矩阵的诸如屏幕、投影仪或电视墙的电子装置；-包括光电二极管矩阵的光电接收微电子或电子装置，诸如图像传感器；-包括光电发射二极管和光电接收二极管的装置，该装置例如形成传感器和屏幕。
技术介绍
在光电发射和/或光电接收二极管装置中，通常有利的是通过装置的表面单元来增加装置的分辨率，即，增加有源单元或像素点的数量。该分辨率的增加既涉及减小像素点的单位尺寸，又涉及改善像素点之间的光学分离，以便特别地减小“串扰”，即，减小在邻近像素点之间发生的光学干扰。在像素点包括光电发射二极管的情况下，该像素点的方向性的增加也参与了该装置可以达到的分辨率的增加。此外，必须通过限制与装置的接收和/或发射的灵敏度相关的损耗来实现该分辨率的增加，这意味着像素点的有用表面或敏感表面(即像素点的接收和/或发射表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，其特征在于，所述方法至少包括：/n-生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个第一金属电极(110)覆盖所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个发射和/或接收面(112)；/n-对所述第一金属电极(110)的位于所述发射和/或接收面(112)处的至少一个面进行处理，使得能够将所述第一金属电极(110)的所述面润湿；/n-在至少一个支...

【技术特征摘要】
20190426 FR 19044331.用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
-生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个第一金属电极(110)覆盖所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个发射和/或接收面(112)；
-对所述第一金属电极(110)的位于所述发射和/或接收面(112)处的至少一个面进行处理，使得能够将所述第一金属电极(110)的所述面润湿；
-在至少一个支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)；
-通过钎焊将所述金属光学分离栅(140)紧固在所述第一金属电极(110)的所述面上；
-移除所述支撑件(142)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)包括至少一个光电发射和/或光电接收二极管，所述至少一个光电发射和/或光电接收二极管至少包括：
-掺杂半导体的第一部分和第二部分(104，108)，所述第一部分和所述第二部分是所述半导体堆叠部的一部分并且形成p-n结，所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)与所述掺杂半导体的第二部分(108)之间；
-介电部分(118)，所述介电部分覆盖所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)的侧翼和所述掺杂半导体的第二部分(108)的侧翼；
-第二电极(124)，所述第二电极电联接到所述掺杂半导体的第二部分(108)并且使得所述掺杂半导体的第二部分(108)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)与所述第二电极(124)之间；
并且其中，所述第一金属电极(110)抵靠所述介电部分(118)的外侧翼并且抵靠所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)的侧翼布置，使得所述第一金属电极(110)电联接到所述掺杂半导体的第一部分(104)并与所述掺杂半导体的第二部分(108)电绝缘。


3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述光电发射和/或光电接收部件(102)与对所述第一金属电极(110)的面进行处理之间或者在将所述支撑件(142)移除之后进一步包括，在与所述发射和/或接收面(112)相对的一侧上，将所述光电发射和/或光电接收部件(102)电联接和机械联接到至少一个电子控制电路(130)。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述第一金属电极(110)的面进行处理包括将至少一个可润湿材料(136)沉积在所述第一金属电极(110)的面上，或者当所述第一金属电极(110)包括被至少一个第二不可润湿材料(116)覆盖的至少一个第一可润湿的金属材料(114)时，对所述第一金属电极(110)的面上的所述第二不可润湿材料(116)进行蚀刻。


5.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述金属光学分离栅(140)与紧固所述金属光学分离栅(140)之间进一步包括将至少一种钎焊材料(150)沉积在所述金属光学分离栅(140)上。


6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个牺牲层(144)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安·加斯，卢多维奇·杜普瑞，马里恩·沃尔博特，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR