本公开涉及半导体器件。提供了一种半导体器件，包括：衬底，衬底具有第一表面和第二表面；衬底中的、在第一表面和第二表面之间的第一裸片，第一裸片具有第一触点；在衬底的第一表面上的第二裸片；穿过衬底从第一表面到第二表面的第一开口；第一导电层，第...

本公开涉及晶片级封装件，其包括第一集成电路管芯；第二集成电路管，粘合剂层将第二集成电路管芯后侧粘附至第一集成电路管芯的前侧；树脂层，包围第二集成电路管芯边缘侧和前侧，包围第一集成电路管芯前侧；阻焊层，其后表面与树脂层前表面接触；分布层，...

本公开涉及光学传感器封装件及装置。例如，光学传感器封装件包括被安装到封装件衬底的上表面的发射器管芯。使用在封装件衬底的上表面上延伸并包封发射器管芯的管芯上薄膜(FOD)粘合剂层将传感器管芯被安装到封装件衬底的上表面。传感器管芯相对于发射...

本公开的实施例涉及集成电路晶体管器件。一种集成电路晶体管器件，包括：半导体衬底，提供漏极；第一掺杂区域，被掩埋在半导体衬底中提供主体；第二掺杂区域，在半导体衬底中提供源极，其中第二掺杂区域与第一掺杂区域相邻；沟槽，延伸到半导体衬底中并且...

本公开涉及半导体器件，包括通过激光直接成型工艺形成的多个导电过孔和迹线的半导体器件封装的实施例，该激光直接成型工艺至少包括激光步骤和电镀步骤。多个导电过孔中的第一导电过孔延伸到密封剂中到达被包封在密封剂内的裸片的接触焊盘，并且多个导电过...

本公开涉及集成电路及标准单元，集成电路包括：绝缘体上硅衬底；至少一个第一标准单元，由两个第二标准单元框定，该三个单元被彼此相邻设置，每个单元包括：位于绝缘体上硅衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，第一标准单元的至...

本公开涉及一种电子芯片，包括第一集成电路、第二集成电路、连接第一集成电路和第二集成电路的第一链路、连接第一集成电路和第二集成电路的第二链路、表面安装部件，该部件被配置以及放置以限制由第二链路的第一链路的电磁干扰。磁干扰。磁干扰。

本公开的实施例涉及无源静电放电传感器和用于检测静电放电的方法。集成电路由具有半导体衬底的半导体部件和包括金属层的互连部件形成。静电放电传感器包括半导体部件中的半导体结构和互连部件中的金属天线网络。静电放电传感器具有在半导体结构中具有电阻...

本公开的实施例涉及电子器件。一种电子器件，其特征在于，包括：第一管芯，具有第一表面；第二管芯，具有第二表面；互连衬底，在第一管芯和第二管芯之间并且耦合到第一管芯和第二管芯，互连衬底具有第三表面；以及第一树脂，覆盖第一管芯、第二管芯的相应...

本公开涉及传感器/发射器管芯堆叠配置的光学集成电路传感器封装件。例如，光学传感器封装件包括被安装到封装件衬底的上表面的发射器管芯。使用在封装件衬底的上表面上延伸并包封发射器管芯的管芯上薄膜(FOD)粘合剂层将传感器管芯被安装到封装件衬底...

本公开的实施例涉及光电子器件。一种光电子器件，包括：微透镜阵列，包括透镜阵列，所述透镜阵列中的每个透镜被配置成定位在光电子器件的多个光敏部分的相应光敏部分之上，并且其中所述透镜阵列中的每个透镜的尺寸从所述微透镜阵列的中心到所述微透镜阵列...

本公开的各实施例涉及集成电路与射频功率放大器，集成电路包括第一级联射频(RF)功率放大器，功率放大器包括：第一共源极晶体管，具有被配置为接收第一RF信号的栅极和被连接到中性点的源极；第一共栅极晶体管，具有被连接到电源节点的栅极和漏极以及...

本公开的各实施例涉及带有晶闸管的电子电路。本说明书涉及一种转换器，包括AC

本公开的实施例涉及制造电子设备的方法以及对应的电子设备。一种衬底包括导电轨道。半导体芯片被布置在衬底上，并且芯片被电耦合到所述导电轨道中的选择导电轨道。在导电轨道上的选择位置提供容纳结构，其中容纳结构具有限定相应腔体的相应周界壁。每个腔...

本公开的实施例涉及低轮廓传感器封装。本公开针对光学传感器封装的实施例。例如，光学传感器封装的至少一个实施例包括第一树脂内的发光管芯、光接收管芯和互连衬底。第一透明部分定位在发光管芯和互连衬底上，并且第二透明部分定位在光接收管芯和互连衬底...

本公开涉及半导体设备。一种半导体设备，其特征在于，包括：基板；第一管芯，在基板上；第二管芯，在第一管芯上；第一树脂，在基板、第一管芯和第二管芯上，第一树脂具有多个台阶；第一导电层，电耦接至基板、第一管芯和第二管芯，第一导电层位于多个台阶...

本公开的实施例涉及微透镜阵列及其形成方法。一种形成器件的方法，方法包括：在基板之上沉积第一光致抗蚀剂层，通过图案化和回流第一光致抗蚀剂层形成种子透镜阵列，种子透镜阵列的尺寸跨基板变化，在种子透镜阵列之上形成第二光致抗蚀剂层，以及通过图案...

本公开的实施例涉及用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构。一种集成电路晶体管器件包括：半导体衬底，提供漏极；第一掺杂区域，被掩埋在所述半导体衬底中提供主体；以及提供源极的所述半导体衬底中的第二掺杂区域。沟槽延伸到所述半...

本公开的各个实施例涉及用于DTOF传感器的防闪烁滤波器。一种方法包括：在相应连续时刻处从由传感器设备递送的第一直方图信号中检测相继目标集合；确定针对当前检测目标的当前集合的当前直方图输出，对于当前集合的每个当前检测目标，当前直方图输出具...

本公开涉及具有导电过孔的半导体器件封装及其制造方法，包括通过激光直接成型工艺形成的多个导电过孔和迹线的半导体器件封装的实施例，该激光直接成型工艺至少包括激光步骤和电镀步骤。多个导电过孔中的第一导电过孔延伸到密封剂中到达被包封在密封剂内的...