半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。提供了一种半导体器件，包括：衬底，衬底具有第一表面和第二表面；衬底中的、在第一表面和第二表面之间的第一裸片，第一裸片具有第一触点；在衬底的第一表面上的第二裸片；穿过衬底从第一表面到第二表面的第一开口；第一导电层，第一导电层在衬底的第一表面上、在第一开口的侧壁上、以及在衬底的第二表面上，第一导电层耦合到第一裸片的第一触点。由此，提供了改进的半导体器件。提供了改进的半导体器件。提供了改进的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及一种具有嵌入式集成电路的传感器封装，嵌入式集成电路具有从激光直接成型方法形成的至少一个迹线。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS)和其它传感器有时被封装在印刷电路板(PCB)上的专用集成电路(ASIC)附近。
[0003]MEMS麦克风可以具有压敏隔膜(膜)，压敏隔膜通过特定的MEMS工艺被蚀刻到硅晶片中并且与通过PCB的开口对准以接收声音。壳体或盖覆盖麦克风和ASIC。
[0004]MEMS麦克风被广泛地用于消费产品中，特别是移动应用中。由于当前的设计和制造能力，传统的MEMS封装设计具有大的形状因子x、y和z方向。随着产品中的技术设计在大小上变得越来越小，大型封装大小已经变得具有挑战性并且将成为未来小型化要求中的问题。此外，低水平的集成产生低成品率制造问题。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供一种半导体器件，其至少解决了上述问题中的一些问题。
[0006]根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；所述衬底中的、在所述第一表面和所述第二表面之间的第一裸片，所述第一裸片具有第一触点；在所述衬底的所述第一表面上的第二裸片；穿过所述衬底从所述第一表面到所述第二表面的第一开口；第一导电层，所述第一导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上，所述第一导电层耦合到所述第一裸片的所述第一触点。
[0007]在一些实施例中，半导体器件进一步包括第二导电层，所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的所述侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上。
[0008]在一些实施例中，半导体器件进一步包括耦合到所述衬底的盖。
[0009]在一些实施例中，所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面处耦合到所述盖。
[0010]在一些实施例中，半导体器件进一步包括介电层，所述介电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述衬底的所述第二表面上、以及在所述第一导电层和所述第二导电层上。
[0011]在一些实施例中，半导体器件进一步包括穿过所述衬底的所述第二表面上的所述介电层的第二触点，所述第二触点是所述第二导电层的部分。
[0012]在一些实施例中，所述第一裸片包括第二触点，与所述第二表面相比，所述第一触点和所述第二触点更靠近所述衬底的所述第一表面。
[0013]在一些实施例中，所述第二裸片包括第三触点，所述第三触点被电耦合到所述第一裸片的所述第二触点。
[0014]在一些实施例中，半导体器件进一步包括在所述衬底的所述第一表面上的棱镜。
[0015]在一些实施例中，所述棱镜通过所述第一开口与所述第二裸片被间隔开。
[0016]在一些实施例中，所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘，并且覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。
[0017]在一些实施例中，所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘并覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。
[0018]在一些实施例中，半导体器件进一步包括：在所述衬底的所述第一表面上的第三裸片；以及穿过所述衬底的第二开口，所述第三裸片与所述第二开口对准。
[0019]根据本公开的第二方面，提供了一种半导体器件，包括：具有第一表面和第二表面的激光反应模制化合物；所述激光反应模制化合物中的、在所述第一表面与所述第二表面之间的第一裸片；穿过所述激光反应模制化合物从所述第一表面到所述第二表面的第一开口；以及第一激光直接成型迹线，所述第一激光直接成型迹线穿过所述开口从所述第一裸片延伸到所述激光反应模制化合物的所述第二表面。
[0020]在一些实施例中，半导体器件进一步包括在所述激光反应模制化合物的所述第一表面上的第二裸片。
[0021]在一些实施例中，所述第二裸片被对准并且覆盖所述第一开口。
[0022]在一些实施例中，所述第二裸片包括膜和腔室，所述第一开口与所述腔室流体连通。
[0023]在一些实施例中，半导体器件进一步包括：腔室；以及耦合到所述激光反应模制化合物的所述第一表面的盖，所述腔室在所述盖和所述激光反应模制化合物的所述表面之间，所述第二裸片在所述腔室中。
[0024]在一些实施例中，所述激光反应模制化合物包括所述第一表面上的第一触点，所述盖耦合到所述第一触点。
[0025]根据本公开的第三方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有与第二表面相对的第一表面；所述衬底中的第一裸片；穿过所述衬底的开口；所述第一裸片上的第一触点；第一迹线，所述第一迹线被耦合到所述第一触点并且穿过所述开口从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面；第二迹线，所述第二迹线穿过所述开口从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面。
[0026]在一些实施例中，所述第一迹线与所述第二迹线被间隔开。
[0027]在一些实施例中，半导体器件进一步包括所述衬底上的第二裸片并且所述第二裸片被配置为与所述开口相互作用。
[0028]在一些实施例中，所述第二裸片被耦合到所述第二迹线。
[0029]根据本公开的第四方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有与第二表面相对的第一表面；所述衬底中的第一裸片；穿过所述衬底的开口；所述第一裸片上的第一触点；在所述衬底的所述第二表面上的第二触点；第一迹线，所述第一迹线被电耦合到所述第一触点并且穿过所述开口从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面上的所述第二触点。
[0030]在一些实施例中，半导体器件进一步包括第二迹线，所述第二迹线穿过所述开口从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面。
[0031]在一些实施例中，半导体器件进一步包括在所述衬底的所述第一表面上的第二裸片，所述第二裸片与所述开口流体连通。
[0032]本公开涉及一种封装，其包括衬底，衬底具有与第二表面相对的第一表面。第一裸片在衬底中并且包括第一触点。存在穿过衬底的开口。在衬底的第二表面上存在第二触点。第一迹线电耦合到第一触点，并且穿过开口从第一表面延伸到衬底的第二表面上的第二触点。第一裸片可以是被嵌入在激光直接成型化合物中的专用集成电路，诸如包括对激光起反应的添加物的激光直接成型化合物。
[0033]封装可以包括穿过开口从衬底的第一表面延伸到第二表面的第二迹线。此外，封装可以包括在衬底的第一表面上的第二裸片，第二裸片与开口流体连通。在一个实施例中，第二裸片是微电子机械体系，诸如麦克风。备选地，第二裸片可以是边缘发射激光器，其被配置为将光信号从棱镜传输到开口中。
[0034]与具有嵌入的第一裸片的衬底附接的盖包围第二裸片并且构建腔室。从衬底的第二表面到盖的外表面的封装的总高度小于当前设计。随着制造商继续减小其产品(例如平板计算机、蜂窝式或移动电话及膝上型计算机)的大小，较薄的封装可以被集成到较小电子器件中。这也提供用于了生产或制造这些封装的更有效的技术。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；所述衬底中的、在所述第一表面和所述第二表面之间的第一裸片，所述第一裸片具有第一触点；在所述衬底的所述第一表面上的第二裸片；穿过所述衬底从所述第一表面到所述第二表面的第一开口；第一导电层，所述第一导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上，所述第一导电层耦合到所述第一裸片的所述第一触点。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第二导电层，所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的所述侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合到所述衬底的盖。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面处耦合到所述盖。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括介电层，所述介电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述衬底的所述第二表面上、以及在所述第一导电层和所述第二导电层上。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括穿过所述衬底的所述第二表面上的所述介电层的第二触点，所述第二触点是所述第二导电层的部分。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一裸片包括第二触点，与所述第二表面相比，所述第一触点和所述第二触点更靠近所述衬底的所述第一表面。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二裸片包括第三触点，所述第三触点被电耦合到所述第一裸片的所述第二触点。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述衬底的所述第一表面上的棱镜。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述棱镜通过所述第一开口与所述第二裸片被间隔开。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘，并且覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘并覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：在所述衬底的所述第一表面上的第三裸片；以及穿过所述衬底的第二开口，所述第三裸片与所述第二开口对准。14.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第一表面和第二表面的激光反应模制化合物；所述激光反应模制化合物中的、在所述第一表面与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：