晶片级封装件制造技术

本公开涉及晶片级封装件，其包括第一集成电路管芯；第二集成电路管，粘合剂层将第二集成电路管芯后侧粘附至第一集成电路管芯的前侧；树脂层，包围第二集成电路管芯边缘侧和前侧，包围第一集成电路管芯前侧；阻焊层，其后表面与树脂层前表面接触；分布层，包括：树脂层的第一活化和金属化部分，与第二集成电路管芯前侧上的焊盘相邻；树脂层的第二活化和金属化部分，与第一集成电路管芯的前侧上焊盘相邻；树脂层的第三活化和金属化部分，从树脂层的第一活化和金属化部分中给定部分沿第二集成电路管芯边缘侧向下且跨第一集成电路管芯的前侧上的树脂层的部分延伸。本实用新型专利技术的技术以低成本实现了改进性能的晶片级封装件。成本实现了改进性能的晶片级封装件。成本实现了改进性能的晶片级封装件。

【技术实现步骤摘要】
晶片级封装件


[0001]本公开涉及用于形成晶片级封装件的技术，并且具体地涉及形成具有使用激光直接结构形成的再分布层的晶片级封装件，以使得能够形成包含多个互连集成电路管芯的紧凑封装件。

技术介绍

[0002]集成电路管芯被封装以保护管芯免受操作环境的影响，并提供管芯与利用管芯的电子装置之间的电接口。传统上，管芯封装技术不同于晶片级处理中使用的半导体制造技术。然而，近年来，诸如晶片级芯片级封装(WLCSP)的晶片级处理技术已经开始用于构建管芯封装。
[0003]图1是包括通过形成在第一集成电路管芯9上的相应再分布层与第二集成电路管芯8连接的第一集成电路管芯9的已知封装件10的截面图。
[0004]更详细地，第一集成电路管芯9具有被示出为暴露的后侧和其上形成有焊盘12a和12b的前侧，焊盘12a和12b提供到第一集成电路管芯9内的内部电路的连接。钝化层13设置在第一集成电路管芯9的前侧，并且阻焊层15形成在钝化层13上。形成在钝化层13和阻焊层15内的第一再分布层包括分别连接至焊盘12a和12b的互连件14a和14d，以及连接至第一集成电路管芯9的前侧上的未示出的焊盘的互连件14b、14c、27a和27b。焊球16a
‑
16d分别连接至互连件14a
‑
14d。
[0005]第二集成电路管芯8具有被示出为由包封层23包封的后侧和其上形成有焊盘19a和19b的前侧，焊盘19a和19b提供到第二集成电路管芯8内的内部电路的连接。钝化层20设置在第二集成电路管芯8的前侧，并且阻焊层22形成在钝化层20上。形成在钝化层20和阻焊层22内的第二再分布层包括分别连接至焊盘19a和19b的互连件21a和21b。焊球17a和17b将第一集成电路管芯9的互连件27a和27b连接至第二集成电路管芯8的互连件21a和21b。包封层23包封第二集成电路管芯8的边缘侧和前表面，并将其与第一集成电路管芯9的阻焊剂15密封。
[0006]根据诸如图1中的现有技术的晶片级处理技术形成的晶片级封装具有若干限制。例如，形成高密度、大尺寸和高引脚计数的晶片级封装件的成本可能高于期望，特别是当要使用扇出布置时。此外，利用多个集成电路管芯的晶片级封装件可能难以形成，并且使用焊球连接不同管芯可能消耗不期望的空间量。
[0007]因此，需要进一步发展。
[0008]本技术的技术以低成本实现了改进性能的晶片级封装件。

技术实现思路

[0009]鉴于上述针对集成电路管芯封装所面临的问题，本公开的实施例旨在以低成本提供改进性能的封装件。
[0010]本文公开了一种晶片级封装，包括：第一集成电路管芯，其前侧具有多个焊盘；第
二集成电路管芯，其前侧具有多个焊盘，其中，粘合剂层将第二集成电路管芯的后侧粘附至第一集成电路管芯的前侧；树脂层，包围第二集成电路管芯的边缘侧和第二集成电路管芯的前侧，并包围第一集成电路管芯的前侧，其中，树脂层包括可活化催化剂材料；阻焊层，其后侧与树脂层的前表面接触；以及再分布层。该再分布层包括：树脂层的第一活化和金属化部分，其与第二集成电路管芯的前侧上的多个焊盘相邻；树脂层的第二活化和金属化部分，其与第一集成电路管芯的前侧上的多个焊盘相邻；以及树脂层的第三活化和金属化部分，其从树脂层的第一活化和金属化部分中的给定部分沿着第二集成电路管芯的边缘侧向下且跨第一集成电路管芯的前侧上的树脂层的部分延伸，从而在第二集成电路管芯的前侧上的多个焊盘中的给定焊盘与第一集成电路管芯的前侧上的树脂层上的位置之间提供电连接。
[0011]树脂层的第四活化和金属化部分可以将树脂层的第一活化和金属化部分中的某些部分电连接至树脂层的第二活化和金属化部分中的某些部分，从而将第二集成电路管芯的前侧上的某些焊盘电连接至第一集成电路管芯的前侧上的某些焊盘。
[0012]树脂层的第四活化和金属化部分可以在第一集成电路管芯的前侧上。树脂层的第五活化和金属化部分可以将第一活化和金属化部分中的一个电连接至树脂层的第四活化和金属化部分。
[0013]无源元件可以电连接至树脂层的第四活化和金属化部分。
[0014]模制层可以包封无源元件。
[0015]模制层可以包封第一集成电路管芯的一部分和树脂层的第二活化和金属化部分中的一个。可以在模制层上形成焊盘。过孔可以从形成在模制层上的焊盘延伸穿过模制层，以接触树脂层的第二活化和金属化部分中的一个，从而将形成在模制层上的焊盘电连接至树脂层的第二活化和金属化部分中的一个。
[0016]芯片可以连接至第一集成电路管芯的前侧上的树脂层的第三活化和金属化部分中的一个。
[0017]模制层可以包封芯片。
附图说明
[0018]图1是使用现有技术形成的晶片级封装件的截面图。
[0019]图2A至图2B是使用本文所述的技术形成的第一晶片级封装件的截面图。
[0020]图3至图11示出了制造图2A的第一晶片级封装件所涉及的一系列步骤。
[0021]图12是使用本文所述的技术形成的第二晶片级封装件的截面图。
[0022]图13至图19示出了制造图12的第二晶片级封装件所涉及的一系列步骤。
[0023]图20是使用本文所述的技术形成的第三晶片级封装件的截面图。
具体实施方式
[0024]以下公开使得本领域技术人员能够制造和使用本文公开的主题。在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本文描述的一般原理可以应用于除上述详细描述的实施例和应用之外的实施例和应用。本公开并非旨在限于所示的实施例，而是要符合与本文公开或暗示的原理和特征一致的最宽泛范围。
[0025]在以下公开中，对元件“连接”的引用可以指示那些组件电连接，并且可以直接电连接以及物理连接。
[0026]本文一方面公开了一种从晶片形成晶片级封装件的方法，包括：将第二集成电路的后侧粘性地附接至包括多个第一集成电路的晶片的前侧，使得暴露第一集成电路的前侧上的焊盘和第二集成电路的前侧上的焊盘；在第一集成电路和第二集成电路的前侧上以及第二集成电路的边缘上形成激光直接结构化(LDS)可活化层；活化LDS可活化层的一部分以在LDS可活化层内形成结构化区域的期望图案，该LDS可活化层内的结构化区域的期望图案中的一些从第二集成电路的前侧上的焊盘延伸到第一集成电路的前侧上的焊盘；对结构化区域的期望图案进行金属化以在LDS可活化层内形成导电区域，所形成的导电区域中的一些将第一集成电路的焊盘电连接至第二集成电路的焊盘；并且对晶片进行切单从而形成多个晶片级封装件，每个晶片级封装件包含第一集成电路中的一个和第二集成电路中的一个。
[0027]可以将焊球附接至所形成的导电区域中的期望导电区域，使得附接至第一集成电路的前侧上的所形成的导电区域的焊球中的一些电连接至第二集成电路的前侧上的焊盘。
[0028]可以在切单之前在第一集成电路的后侧上形成涂层。
[0029]可以在LDS可活化层上形成阻焊层。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片级封装件，其特征在于，包括：第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯的前侧具有多个焊盘；第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯的前侧具有多个焊盘，其中粘合剂层将所述第二集成电路管芯的后侧粘附至所述第一集成电路管芯的前侧；树脂层，包围所述第二集成电路管芯的边缘侧和所述第二集成电路管芯的前侧，并包围所述第一集成电路管芯的前侧，其中所述树脂层包括可活化催化剂材料；阻焊层，所述阻焊层的后表面与所述树脂层的前表面接触；以及再分布层，包括：所述树脂层的第一活化和金属化部分，与所述第二集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘相邻；所述树脂层的第二活化和金属化部分，与所述第一集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘相邻；以及所述树脂层的第三活化和金属化部分，从所述树脂层的所述第一活化和金属化部分中的给定部分沿着所述第二集成电路管芯的边缘侧向下并且跨所述第一集成电路管芯的前侧上的所述树脂层的部分延伸，从而在所述第二集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘中的给定焊盘与所述第一集成电路管芯的前侧上的所述树脂层上的位置之间提供电连接。2.根据权利要求1所述的晶片级封装件，其特征在于，包括：所述树脂层的第四活化和金属化部分，将所述树脂层的所述第一活化和金属化部分中的某些部分电连接至所述树脂层的所述第二活化和金属化部分中的某些部分，从而将所述第二集成电路管芯的前侧上的某些焊盘电连接至...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：