专利查询
首页
专利评估
登录
注册
意法半导体有限公司专利技术
意法半导体有限公司共有401项专利
使用有源负载调制的对象和读取器之间的无接触通信方法技术
本公开涉及使用有源负载调制的对象和读取器之间的无接触通信方法。在一个实施例中,对象可以使用有源负载调制与读取器无接触地通信。该方法包括检测由读取器发射的感测磁场,初始化对象的锁相环,在初始化对象的锁相环完成之前检测由读取器发射的感测磁场...
双极晶体管制造技术
本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成:集电极的第一部分,在绝缘沟槽下方延伸;以及集电极的第二部分,穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
半导体器件制造技术
本公开涉及一种半导体器件。根据本公开的半导体器件,包括:载体衬底;掩埋介电区,覆盖载体衬底;半导体膜,通过掩埋介电区与载体衬底分隔;以及NMOS晶体管和PMOS晶体管,设置在半导体膜的表面处并且耦合在一起以形成静态随机存取存储器SRAM...
半导体器件和功率封装件制造技术
本公开涉及半导体器件和功率封装件。一种半导体器件包括:封装件,包括:管芯,具有与第二表面相对的第一表面和与第二侧相对的第一侧;第一接触,在第一表面处耦合到管芯且延伸超过管芯的第二表面,第一接触在第一表面处覆盖管芯的第一区域;第二接触,在...
静电放电保护制造技术
本公开涉及静电放电保护。一种电子器件,包括第一导电类型的掺杂半导体衬底。与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂阱从掺杂半导体衬底的表面延伸到掺杂半导体衬底中。第一导电类型的第二掺杂阱位于第一阱中。第三电绝缘阱位于第二阱中。第一导电类...
具有铜镀层和模制结构的功率封装件制造技术
本公开涉及具有铜镀层和模制结构的功率封装件。本公开涉及一种具有铜镀层端子的功率封装。功率封装包括耦合到半导体管芯的至少两个端子。第一端子的面积大于第二端子的面积。第一和第二端子延伸到封装后侧中的第一和第二导电层。第三导电层耦合到与第一和...
具有静态随机存取存储器电路的绝缘体上硅半导体器件制造技术
本公开涉及具有静态随机存取存储器电路的绝缘体上硅半导体器件。在一个实施例中,半导体器件包括载体衬底,覆盖载体衬底的掩埋介电区,以及通过掩埋介电区与载体衬底分隔的半导体膜。NMOS晶体管和PMOS晶体管设置在半导体膜的表面并耦合在一起以形...
用于近场通信设备的时钟发生器电路制造技术
一种时钟发生器电路包括耦合到偏置电路的振荡器电路。偏置电路包括电流镜、第三晶体管和第四晶体管以及共源共栅晶体管。电流镜包括参考晶体管和可编程的一组复制晶体管。第三晶体管具有连接到冷点的源极、漏极和连接到该漏极的栅极。第四晶体管具有连接到...
电子器件制造技术
公开了电子器件。电子器件包括:衬底;在衬底上的半导体器件;在衬底上的玻璃板,玻璃板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及对应于半导体器件的传感器区域;粘合剂,在半导体器件与玻璃板之间;以及多个孔,从第一表面穿过玻璃板到第二表面,多个...
电压转换器制造技术
本公开的各实施例涉及转换器电路。本说明书涉及一种用于从第一AC电压转换为第二电压的电路。该电路包括:第一晶闸管;第一晶闸管的第一控制电路;包括线圈的功率因数校正电路;以及被配置为将第三电压转换为第四DC电压的第一电路。第三电压与连接到线...
集成光学开关制造技术
本公开涉及一种集成光学开关,其形成在半导体衬底中和在半导体衬底上,该集成光学开关包括光电导体体部
半导体器件制造技术
本公开涉及一种半导体器件。一种器件包括有源半导体层,所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所述本体区使用穿过所述绝缘层...
在嵌入式存储器上部署文件系统的方法、系统和电路技术方案
本申请涉及在嵌入式存储器上部署文件系统的方法、系统和电路。用于模拟存储器架构以为嵌入在可编程计算设备上的存储器生成文件树的bin映像的系统、方法和电路系统。获得存储器的存储器配置和标识要在存储器中使用的文件结构的文件树。使用存储器模拟器...
电子器件和封装件制造技术
本公开的实施例涉及电子器件和封装件。一种电子器件,其特征在于,包括:管芯,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;第一层压层,在管芯的第一表面上;多个开口,穿过第一层压层;再分布层,在第一层压层上、穿过多个开口延伸至管芯的第一表面;多个...
静电放电保护设备制造技术
本实用新型涉及静电放电保护设备。静电放电保护设备仅使用电连接的晶体管来形成。晶体管包括:第一MOS型晶体管,形成耦合在第一供应节点与第二供应节点之间的钳位电路;第二MOS型晶体管,被耦合在第一供应节点与第一MOS型晶体管的栅极端子之间;...
静电放电保护设备制造技术
本实用新型涉及静电放电保护设备。静电放电保护设备仅使用电连接的晶体管来形成。晶体管包括:第一MOS型晶体管,形成耦合在第一供应节点与第二供应节点之间的钳位电路;第二MOS型晶体管,被耦合在第一供应节点与第一MOS型晶体管的栅极端子之间;...
集成电路晶体管器件制造技术
本公开的各实施例涉及集成电路晶体管器件。半导体衬底包括:掺杂有第一类型掺杂剂的基底衬底层;在基底衬底层上的第一外延层,第一外延层具有第一厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第一电阻率;在第一外延层上的第二外延层,第二外延层具有第二厚度并且...
具有气体释放孔的半导体封装件制造技术
公开了具有气体释放孔的半导体封装件。一种半导体封装件包括具有有源表面和无源表面的硅衬底。半导体器件,例如图像、光或光学传感器,形成在有源表面中并设置在衬底上。玻璃板用粘合剂耦接到衬底上。玻璃板包括对应于半导体器件的区域的传感器区域和穿过...
沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法技术
本公开涉及沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法。一种垂直导电沟槽栅极类型的MOS晶体管包括与沟槽栅极的栅极氧化物的从半导体衬底突出的部分相邻的第一间隔物和第二间隔物,第一间隔物和第二间隔物关于对称轴彼此镜像;通过使...
不利用引线框架的集成电路芯片封装制造技术
本公开的实施例涉及一种不利用引线框架的集成电路芯片封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在...
1
2
3
4
5
6
7
8
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
110345
珠海格力电器股份有限公司
85834
中国石油化工股份有限公司
71223
浙江大学
66963
中兴通讯股份有限公司
62311
三星电子株式会社
60658
国家电网公司
59735
清华大学
47618
腾讯科技深圳有限公司
45340
华南理工大学
44407
最新更新发明人
山东青山绿水农林科技有限公司
22
德钦县拖顶乡珠巴洛河生物工程有限责任公司
8
张家港保税区万盛机械工业有限公司
53
塔里木大学
3178
澄城县利恒繁育养殖有限公司
1
钲成世纪广州新媒体科技有限公司
5
韩国模具股份有限公司
6
贵州省建筑设计研究院有限责任公司
25
龙口市龙林密封材料有限公司
13
云南特固电气有限公司
30