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信越化学工业株式会社专利技术
信越化学工业株式会社共有3967项专利
抗蚀剂组合物和图案化方法技术
本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法。通过将抗蚀剂组合物涂布到基材上,烘焙,将该抗蚀剂膜曝光,PEB,和在有机溶剂显影剂中显影,从而形成图案。该抗蚀剂组合物包括(A)PPD抑制剂、(B)适于在酸的作用下改变其在有机溶剂中的溶解性的聚合物、...
多孔质玻璃母材的烧结方法和烧结装置制造方法及图纸
多孔质玻璃母材的烧结方法,使垂下的多孔质玻璃母材相对于加热炉相对移动,顺次地从一端至另一端加热所述多孔质玻璃母材来进行透明玻璃化的多孔质玻璃母材,测量所述多孔质玻璃母材的输送速度Vf和该玻璃母材的下端的移动速度Vw,对于基于比值Vw/V...
树脂组合物、树脂膜、半导体器件及其制造方法技术
本发明涉及树脂组合物、树脂膜、半导体器件及其制造方法。用于封装大直径薄膜晶片的成膜树脂组合物包括(A)具有3,000‑500,000的重均分子量且含有式(1)的重复单元的有机硅树脂:其中R1‑R4为一价烃基,但R3和R4不都为甲基,m和...
含有氟聚醚的聚合物改性硅烷、表面处理剂和处理过的物品制造技术
本发明涉及含有氟聚醚的聚合物改性硅烷、表面处理剂和处理过的物品,该聚合物改性硅烷为具有通式(1)的含有氟聚醚的聚合物改性硅烷:其中Rf为含有一价氟代氧烷基或二价氟代氧亚烷基的聚合物残基,Y为可具有硅原子和/或硅氧烷键的二价至六价烃基,W...
硅酮、聚合物、眼科器件及硅酮的制造方法技术
本发明的目的在于提供一种硅酮、聚合物、眼科器件及硅酮的制造方法,本发明的硅酮为在两末端具有聚合性的基团的聚硅氧烷,由下述式(1)所表示,其与其他亲水性单体的相容性良好,且形成机械强度的耐久性得到提高的(共)聚合物。
非水电解质二次电池及其负极材料的制造方法、其负极活性物质及该物质的制造方法技术
本发明提供一种能够增加电池容量,并提高循环特性的非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法。本发明非水电解质二次电池用负极活性物质具有含有包含锂化合物的硅化合物SiOx的负极活性物质颗粒,0.5≤x≤1.6,且对将含有负极活性物质颗粒...
复合基板制造技术
本发明涉及复合基板,是在热导率为5W/m·K以上并且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板11的至少表面具有单晶半导体薄膜13的复合基板,其中,在上述无机绝缘性烧结体基板11和单晶半导体薄膜13之间具有由多晶硅或非晶硅...
消泡剂组合物制造技术
本申请涉及消泡剂组合物以及制造和使用这样的组合物的方法,还涉及包含有这样的组合物的消费产品及其用途。这种消泡剂组合物即使具有较低粘度,仍是有效的消泡剂。
聚硅氧烷共聚物以及含有其的抗静电剂和树脂组合物制造技术
本发明提供对于树脂能够赋予高抗静电性、具有可耐受在树脂中的熔融混炼时的高温的良好的耐热性、能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂的聚硅氧烷共聚物。聚硅氧烷共聚物,其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷...
负型抗蚀剂组合物和图案形成方法技术
提供了负型抗蚀剂组合物,其包含(A)包含具有酸能消除的基团的重复单元和能够在曝光时产生酸的重复单元的聚合物,和(B)羧酸鎓盐。当该负型抗蚀剂组合物通过微加工技术、特别是EB光刻法处理时,它形成具有非常高的分辨率和最小LER的图案。
使用新型鎓盐的化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法技术
化学增幅型负型抗蚀剂组合物定义为包括(A)具有阴离子基团的鎓盐,该阴离子基团为稠环结构的含氮羧酸根,(B)基础树脂,和(C)交联剂。该抗蚀剂组合物在曝光步骤过程中对于控制酸扩散有效,在图案形成过程中显示非常高的分辨率,并且形成具有最小L...
轴向间隙型旋转电机制造技术
提供具有高生产率低成本和高性能的轴向间隙型旋转电机。具体地,轴向间隙型旋转电机(10)在外壳(19)中包括:旋转轴(11);至少两个转子(12a、12b),其包括能与作为中心轴的旋转轴(11)一起转动且布置为垂直于旋转轴(11)并且沿着...
光掩模坯、抗蚀剂图案形成方法和光掩模的制造方法技术
光掩模坯具有化学增幅型负型抗蚀剂膜,该化学增幅型负型抗蚀剂膜包括(A)包含特定结构的重复单元和具有氟的重复单元的聚合物,(B)适于在酸的作用下降低其在碱显影剂中的溶解性的基础树脂,(C)产酸剂,和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜对于抗静电膜...
多孔玻璃基材的制造方法技术
提供了一种多孔玻璃基材的制造方法。在利用VAD工艺的大型多孔基材的制造装置中,通过形成平滑的锥形状部来抑制基材的龟裂和外径变化,而无需改变非有效部的长度。在利用VAD工艺制造多孔基材时,在将玻璃微粒沉积在基材的靠外侧的层的燃烧器中,气体...
半色调相移掩模坯,半色调相移掩模,和图案曝光方法技术
在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中,该半色调相移膜由硅基材料组成,该硅基材料由硅、氮和0-6at%的氧构成,该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4-0.7的消光系数k为和40-67nm的厚度。该半色调相移膜足...
R-Fe-B烧结磁体及制备方法技术
本发明涉及R-Fe-B烧结磁体及制备方法。本发明提供了一种R-Fe-B烧结磁体,其基本上由12-17at%的Nd、Pr和R、0.1-3at%的M1、0.05-0.5at%的M2、4.8+2×m至5.9+2×m at%的B及余量的Fe构成...
非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法、以及非水电解质二次电池技术
本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料,其包含由导电性碳膜包覆硅系活性物质粒子的表面而成的导电性粉末,所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于,所述导电性碳膜的由拉曼光谱测量出的d频带的峰半值宽为100cm
烧结装置及烧结方法制造方法及图纸
一种烧结多孔质玻璃母材的烧结装置,包括:炉心管,容纳多孔质玻璃母材,由加热器围绕;盖部件,具有与多孔质玻璃母材结合的保持杆插通的插通孔,安装在炉心管的一端;密封腔,具有导入密封气体的供给口和排出密封气体的排出口,覆盖插通孔,设置在盖部件...
相移掩模坯、相移掩模和坯制备方法技术
在包括透明基板和其上沉积并且相对于亚200nm光具有150-200°的相移的相移膜的相移掩模坯中,该相移膜由硅、氮和任选的氧构成的硅基材料组成,具有至多70nm的厚度,并且在该基板上沉积该相移膜的前后在该基板的表面的中央区域中提供至多0...
照明装置制造方法及图纸
本发明为照明装置,其具备在波长420~480nm具有最大峰的蓝色LED芯片、和在该蓝色LED芯片的发光方向前方配置的含有荧光体的树脂层,该含有荧光体的树脂层通过使由Lu3Al5O12:Ce3+表示并且相对于Lu的Ce活化率为2摩尔%以下...
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