本发明专利技术提供对于树脂能够赋予高抗静电性、具有可耐受在树脂中的熔融混炼时的高温的良好的耐热性、能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂的聚硅氧烷共聚物。聚硅氧烷共聚物，其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及聚硅氧烷共聚物以及含有其的抗静电剂和配合了该抗静电剂的树脂组合物。
技术介绍
报道了阳离子为具有三烷氧基甲硅烷基烷基的铵或鏻、阴离子为全氟烷基磺酰基亚胺的鎓盐能够用作氟树脂用的低分子型抗静电剂(参照专利文献1：日本特开2010-248165号公报)。但是，本专利技术人将作为上述鎓盐的1种的1-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)-1，1，1-三丁基鏻＝双(三氟甲磺酰基)亚胺用作聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和有机硅树脂的抗静电剂，结果可知虽然对于有机硅树脂能够赋予抗静电性能，但对于聚碳酸酯树脂和丙烯酸系树脂不能赋予实用的抗静电性能。进而，将抗静电剂在聚碳酸酯树脂中加热熔融进行混炼的情况下，要求抗静电剂自身的耐热性。但是，对于铵型的鎓盐、包含其的聚硅氧烷共聚物，不具有可耐受熔融混炼时的高温那样的充分的耐热性。另外，对于有机硅树脂，可知有机硅树脂的固化反应没有充分地进行，无法获得作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂组合物(参照后述的比较例)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-248165号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题因此，本专利技术的目的在于提供对于聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和有机硅树脂能够赋予高抗静电性、特别是作为抗静电剂在聚碳酸酯树脂中加热熔融进行混炼时的耐热性优异、并且能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂的聚硅氧烷共聚物和含有该聚硅氧烷共聚物的抗静电剂。进而，另一目的在于提供配合了该抗静电剂的树脂组合物。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述目的进行了深入研究，结果发现通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到的聚硅氧烷共聚物，同时发现将该聚硅氧烷共聚物作为抗静电剂在聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和有机硅树脂中使用，结果对于各种树脂能够赋予高抗静电性能。进而发现该聚硅氧烷共聚物具有特别可耐受在聚碳酸酯树脂中的熔融混炼时的高温的良好的耐热性。还发现有机硅树脂的固化反应顺利地进行，可得到具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂组合物，完成了本专利技术。即，本专利技术提供下述的聚硅氧烷共聚物、其制造方法、抗静电剂、树脂组合物。[1]聚硅氧烷共聚物，其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到。式(1)：[化1](式中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子。R1表示碳数1～3的烷基，R2～R4表示碳数1～8的烷基。R2与R3可在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存在。X-表示阴离子。n为0～3的整数。)式(2)：[化2]R5-Si(OR6)3 (2)(式中，R5表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数7～10的芳烷基、或碳数2～8的烯基，R6表示碳数1～3的烷基。)式(3)：[化3](式中，R7表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、或碳数7～10的芳烷基，R8表示碳数1～3的烷基。)[2][1]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，在上述式(1)中，Q+为磷阳离子。[3][1]或[2]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式(1)中，X-为卤素阴离子或含氟阴离子。[4][3]所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述含氟阴离子为三氟甲磺酸阴离子、双(三氟甲磺酰基)亚胺阴离子、四氟硼酸根阴离子或六氟磷酸根阴离子。[5][1]～[4]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式(1)表示的鎓盐1摩尔、使由上述式(2)表示的三烷氧基硅烷0.5～95摩尔和由上述式(3)表示的二烷氧基硅烷0～49摩尔共聚而得到。[6][1]～[4]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物，其通过相对于由上述式(1)表示的鎓盐1摩尔、使由上述式(2)表示的三烷氧基硅烷0.5～95摩尔和由上述式(3)表示的二烷氧基硅烷4～49摩尔共聚而得到。[7]抗静电剂，其含有[1]～[6]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物。[8]树脂组合物，其含有[7]所述的抗静电剂。[9][8]所述的树脂组合物，其中，上述树脂组合物为聚碳酸酯树脂组合物、丙烯酸系树脂组合物或有机硅树脂组合物。[10][1]～[6]的任一项所述的聚硅氧烷共聚物的制造方法，其特征在于，在盐酸存在下使由上述式(1)表示的鎓盐、由上述式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由上述式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚。专利技术的效果本专利技术的聚硅氧烷共聚物能够用作抗静电剂，通过将该抗静电剂用于聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和有机硅树脂，能够制造具有高抗静电性能的树脂组合物，特别是在聚碳酸酯树脂中的熔融混炼时所需的耐热性也优异，另外如果使用本专利技术的聚硅氧烷共聚物，能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂组合物。具体实施方式以下对本专利技术具体地说明。本专利技术涉及的聚硅氧烷共聚物如上述那样，通过将由式(1)表示的鎓盐(以下称为鎓盐(1))和由式(2)表示的三烷氧基硅烷(以下称为三烷氧基硅烷(2))和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷(以下称为二烷氧基硅烷(3))共聚而得到。式(1)：[化4](式中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子。R1表示碳数1～3的烷基，R2～R4表示碳数1～8的烷基。R2与R3可以在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存在。X-表示阴离子。n为0～3的整数。)式(2)：[化5]R5-Si(OR6)3 (2)(式中，R5表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数7～10的芳烷基、或碳数2～8的烯基，R6表示碳数1～3的烷基。)式(3)：[化6](式中，R7表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、或碳数7～10的芳烷基，R8表示碳数1～3的烷基。)以下对上述成分进一步详述，本专利技术中使用的鎓盐(1)可以按照日本特开2010-248165号公报中记载的方法制造。式(1)中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子，优选磷阳离子。R1为碳数1～3的烷基，具体地，可列举甲基、乙基、丙基和异丙基，优选甲基和乙基，特别优选甲基。R2～R4表示碳数1～8的烷基，可以是直链状和分支链状的任一种，优选为直链状的烷基。具体地，例如可列举甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基等，优选甲基、乙基、丙基和丁基，特别优选丁基。R2和R3可在末端相互地结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环。不过，R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存在。X-表示阴离子。作为X-，可列举卤素阴离子或含氟阴离子，作为卤素阴离子，更优选氯阴离子、溴阴离子、碘阴离子，更优选氯阴离子。作为含氟阴离子，优选三氟甲磺酸阴离子、双(三氟甲磺酰基)亚胺阴离子、四氟硼酸根阴离子、六氟磷酸根阴离子，更优选双(三氟甲磺酰基)亚胺阴离子。作为鎓盐(1)的具体例，可列举1，1，1-三甲基-1-[(三甲氧基甲硅烷基)甲基]铵＝双(三氟甲磺酰基)亚胺、1，1，1-三甲基-1-[2-(三甲氧基甲硅烷基)乙基]铵＝双(三氟甲磺酰基本文档来自技高网...
【技术保护点】
聚硅氧烷共聚物，其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到：式(1)：式中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子，R1表示碳数1～3的烷基，R2～R4表示碳数1～8的烷基，R2与R3可以在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环，其中，R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存在，X‑表示阴离子，n为0～3的整数，式(2)：[化2]R5‑Si(OR6)3 (2)式中，R5表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数7～10的芳烷基、或碳数2～8的烯基，R6表示碳数1～3的烷基，式(3)：[化3]式中，R7表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、或碳数7～10的芳烷基，R8表示碳数1～3的烷基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.21 JP 2014-0871341.聚硅氧烷共聚物，其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到：式(1)：式中，Q+表示氮阳离子或磷阳离子，R1表示碳数1～3的烷基，R2～R4表示碳数1～8的烷基，R2与R3可以在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环，其中，R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下，R4不存在，X-表示阴离子，n为0～3的整数，式(2)：[化2]R5-Si(OR6)3 (2)式中，R5表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数7～10的芳烷基、或碳数2～8的烯基，R6表示碳数1～3的烷基，式(3)：[化3]式中，R7表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、或碳数7～10的芳烷基，R8表示碳数1～3的烷基。2.权利要求1所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式(1)中，Q+为磷阳离子。3.权利要求1或2所述的聚硅氧烷共聚物，其中，上述式(1)中，X-为卤...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田哲郎，吉川裕司，石井祐典，今泉晓，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，广荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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