信越化学工业株式会社专利技术

信越化学工业株式会社共有3967项专利

  • 提供了生产(±)‑(E)‑2‑异丙基‑5‑甲基‑3,5‑己二烯基醋酸酯的几何选择性方法,所述(±)‑(E)‑2‑异丙基‑5‑甲基‑3,5‑己二烯基醋酸酯为葡萄菠萝粉蚧(GPMB)的性信息素。具体地,提供了生产(E)‑2‑异丙基‑5‑甲基...
  • 本发明涉及可加成固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体封装体,该可加成固化的有机聚硅氧烷组合物包括(A)每分子具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷,(B)每分子具有至少两个与硅键合的氢原子的硅亚苯基低聚物和(C)氢化硅烷化催化剂,固化成具有令人满意...
  • 晶片加工用粘接材料、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法
    本发明涉及晶片加工用粘接材料、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法,具体提供晶片加工用粘接材料、通过该粘接材料使晶片和支承体贴合而成的晶片层叠体、及使用其的薄型晶片的制造方法;晶片加工用粘接材料能够抑制将晶片和支承体剥离时成为污染源的颗粒的产...
  • 多晶硅棒制造用的硅芯线和多晶硅棒的制造装置
    芯线支架(34)(保持构件)其下端部具有形成正锥角的锥度。另一方面,关于在用于对硅芯线(100)通电的金属电极(30)与芯线支架(34)(保持构件)的连接中使用的转接器(33)(支撑构件),插入芯线支架(34)(保持构件)的下端部的孔部...
  • 本发明涉及加成固化性硅橡胶组合物。将(E)三唑系化合物和(F)异氰酸酯系化合物的阻燃剂组合添加到包括(A)具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷、(B)具有至少两个SiH基的有机氢聚硅氧烷、(C)增强二氧化硅和(D)铂催化剂的加成固化性硅橡胶组...
  • 本发明提供显示介于二甲基聚硅氧烷油和凝胶状的硅氧烷交联物之间的物性的有机聚硅氧烷交联物及其制造方法。一种油状的有机聚硅氧烷,其如下获得:在使具有烯基的有机聚硅氧烷与具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷在铂族金属系催化剂存在下进行氢化...
  • CMP研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法
    本发明是一种CMP研磨剂,包括研磨粒子、保护膜形成剂及水,所述CMP研磨剂的特征在于,所述保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物,所述共聚物的平均分子量是500以上且20000以下。据此,提供一种研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法,其...
  • 热固性环氧树脂组合物
    本发明提供具有优异的操作性,且在所获得的固化物中兼备耐热膨胀性、耐热性、粘合性以及低吸水性的固化性环氧树脂组合物。其包含(A)环氧树脂、(B)不含有羧基的固化剂、以及(C)环状碳二亚胺化合物,其中,(B)不含有羧基的固化剂相对于(A)环...
  • 化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
    本发明为化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法,本发明提供了化学增幅型正型抗蚀剂组合物,其包括(A)在酸作用下适应于变得可溶于碱性水溶液中的聚合物,(B)光致产酸剂,(C)羧酸和(D)苯并三唑化合物和/或咪唑化合物。当将所述抗蚀剂组合...
  • 多晶硅棒的表面温度的计算方法和控制方法、多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒以及多晶硅块
    在本发明中,由第一衍射图和第二衍射图,求出针对旋转角度的平均衍射强度比(y=(h1,k1,l1)/(h2,k2,l2)),基于该平均衍射强度比,计算析出时的表面温度。然后,基于计算出的多晶硅棒的表面温度和该多晶硅棒的析出时的供给电流和施...
  • 提供显示介于二甲基聚硅氧烷油和凝胶状的硅氧烷交联物之间的物性的、具有流动性或溶解于溶剂而显示流动性的硅氧烷组合物及其制造方法。一种硅氧烷组合物,其是重均分子量为5,000~300,000,000、每1,000mol硅氧烷单元含有0.1~...
  • 非水电解质二次电池用负极、其材料、非水电解质二次电池及负极活性物质颗粒的制造方法
    本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料,其包含负极活性物质颗粒,所述负极活性物质颗粒由包含锂化合物的硅化合物SiOx构成,其中,0.5≤x≤1.6,所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于,所述负极活性物质颗粒是由被膜所覆盖,所述被...
  • 半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置以及这些装置的制造方法
    本发明是一种半导体装置,其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线,金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接,其中,所述半导体装置,具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘...
  • 本发明提供一种加成固化性液态硅橡胶组合物,即使在液态硅橡胶组合物中添加有机硅生橡胶时,也经时增粘少、保存稳定性优异且能够提供固化后的硬度低的硅橡胶。一种加成固化性液态硅橡胶组合物,其含有:(A)平均聚合度为1,500以下、室温时为液态的...
  • 钇基喷涂涂层和制造方法
    本发明涉及钇基喷涂涂层和制造方法。通过将氧化钇、氟化钇或氧氟化钇热喷涂到基材上以形成10‑500μm厚的涂层,并且用有机酸、无机酸或其混合物的清洁液对该涂层进行化学清洁直至该涂层表面具有300nm以下的尺寸的颗粒的粒数变为不多于5个颗粒...
  • 多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块
    通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103),将硅多晶棒取出到反应器外(S104),进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明,不一定需要清洗、蚀刻...
  • 偶极环磁场产生器
    提供一种偶极环磁场产生器,其能够在不使用具有扇形或梯形截面的永磁块的情况下,在环的内部空间中产生大致单向磁场,结果是,在其中实现较小的倾斜角。所述永磁块的截面形成为矩形形状,并且多个所述矩形永磁块呈环状地布置在预定位置。作为主永磁单元的...
  • 简单、高效和选择性地合成目标化合物。更具体地,提供一种制备(2,4,4‑三甲基‑1‑环己烯)甲醛的方法,所述方法包含以下步骤:使2,4,4‑三甲基‑2‑环已烯酮(1)的羰基基团反应,以获得2,4,4‑三甲基‑2‑环己烯亚基甲基醚化合物(...
  • 本发明提供透明的磁光材料,其包含含有由下述式(1)表示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或由下述式(1)表示的复合氧化物的单晶,波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上,不会吸收波段0.9~1.1μm的光纤激光,也...
  • 多晶硅的制造方法
    本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时,在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下,在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中,采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处...