本发明涉及R‑(Fe,Co)‑B烧结磁体及制造方法。具体地，提供了一种基本上由12‑17原子％的R(含有Nd和Pr)、0.1‑3原子％的M

本发明的课题在于提供一种底层涂料组合物，所述底层涂料组合物，可以提高构装有光半导体元件的基板、与密封光半导体元件的加成反应固化型硅酮组合物的固化物之间的粘接性，同时防止基板上的金属电极的腐蚀，并提高底层涂料的耐热性和可挠性。为了解决上述...

本发明涉及外刃切割砂轮及其制造方法，该外刃切割砂轮，包含硬质合金的环形薄圆片基底，该环形薄圆片基底的外径为80‑200mm，内径为30‑80mm，厚度为0.1‑1.0mm，及位于该基底的外周缘的刃部，刃部包含与杨氏模量为0.7‑4.0×10

全氟聚醚改性的聚硅氮烷由具有下式的硅氮烷单元组成：F(CF

本发明提供一种研磨组合物，其包含金属氧化物颗粒作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，作为所述金属氧化物颗粒，包含：在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半值宽度不足1°的金属氧化物颗粒；进一步地，作为选择比调节剂，包含：2种以...

本发明为一种皮膜形成性组合物，其包含对下述物质进行聚合而得到的聚合物：(A)5～80质量％的硅酮树脂，其具有R

提供一种在包装使用前清洁容易并且包装时内部密闭性优良的同时、防尘薄膜组件收纳容器的收纳取出操作容易的防尘薄膜组件收纳容器的包装构造体。本发明的防尘薄膜组件收纳容器的包装构造体为包装收纳至少一个边长大于500mm的防尘薄膜组件的防尘薄膜组...

在本发明中，通过西门子法制造多晶硅棒时，在将进行多晶硅的析出反应时的反应温度设定于例如1100℃～1150℃的范围且将反应炉内控制于0.45～0.9MPa的压力范围的状态下使多晶硅析出。通过控制于这样的压力范围，可以得到在任意部位在利用...

提供一种在EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂和使用其的防尘薄膜组件，该防尘薄膜组件的制造方法，以及EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂的选择方法。本发明的接着剂为，接着剂的硬化物在300℃的氛围气中进行7日连续静置时的用下述式表示...

可以以膜形式形成包括(A)有机硅树脂、(B)经三嗪改性的酚醛清漆化合物和(C)填料的阻燃树脂组合物。所述树脂膜对大尺寸/薄的晶片具有令人满意的覆盖或封装性能。

本发明涉及导热性氟化固化性组合物、其固化物、和电气/电子部件。本发明提供的导热性氟化固化性组合物包括(A)含有烯基的线型多氟化化合物、(B)具有氟化有机基团和SiH基的氟化有机氢硅氧烷、(C)铂催化剂、(D)导热性填料和(E)具有氟化有...

本发明涉及消泡剂用油复配物，其含有(A)有机聚硅氧烷、(B)微粉末二氧化硅、(C)式(I)和/或(II)的有机聚硅氧烷所示的基团[c、d、e为0以上的整数。其中，X1～X3中的至少1个为由式(i)表示的基团]，使用(C)成分作为(B)成...

本发明提供一种底层涂料组合物，该底层涂料组合物的各种耐久性优异、且在施工后的短时间内能够对各种粘附体表现出良好的粘着性，同时其储藏稳定性也高。本发明的底层涂料组合物包含成分(A)、成分(B)及溶剂(C)，其中，所述成分(A)是将包括含有...

提供了化学增幅型正型抗蚀剂组合物，其包括在有机溶剂中的适应于在酸的作用下变成可溶于碱性水溶液中的特定的碱溶性聚合物作为基础树脂，碱溶性聚合物和光致产酸剂。所述组合物形成抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜可以短时间显影从而以高感光度形成图案而不在图案...

提供了具有36μm或更小的平均孔径和30μm至300μm的平均粒度的多孔水溶性非离子型纤维素醚；以及提供了连续生产所述纤维素醚的方法，所述方法包括以下步骤：粉碎第一水溶性非离子型纤维素醚以获得第一粉碎产物，以及通过具有40μm至400μ...

氟化钇喷涂材料包含Y5O4F7和YF3并具有10‑60μm的平均粒度和1.2‑2.5g/cm3的堆积密度。所述氟化钇喷涂材料中的Y5O4F7和YF3由30至90重量％的Y5O4F7和余量的YF3组成。通过大气等离子体喷涂所述喷涂材料获得...

防止由于EUV曝光而使防尘膜升温而产生的防尘膜的变形以及破损，脱落。本发明的内容为在防尘薄膜组件的接着层中配合热传导性充填剂。

本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满...

本文中公开的是加成单组分固化型导热有机硅润滑脂组合物，作为不可或缺的组分，其包含：(A)有机聚硅氧烷，其每分子包含至少一个烯基并且具有50mPa·s至100,000mPa·s的在25℃的粘度，(B)有机氢聚硅氧烷，其每分子包含至少两个硅...

本发明是一种太阳能电池，其在第1导电型半导体基板的背面，具备由第1接触部与第1集电部构成的第1指状电极、由第2接触部与第2集电部构成的第2指状电极、第1母线电极、以及第2母线电极，所述第1导电型半导体基板在受光面的相反侧的背面具有第1导...