钇基喷涂涂层和制造方法技术

本发明专利技术涉及钇基喷涂涂层和制造方法。通过将氧化钇、氟化钇或氧氟化钇热喷涂到基材上以形成10‑500μm厚的涂层，并且用有机酸、无机酸或其混合物的清洁液对该涂层进行化学清洁直至该涂层表面具有300nm以下的尺寸的颗粒的粒数变为不多于5个颗粒/mm2，从而得到钇基喷涂涂层。该钇基喷涂涂层即使在卤素气体等离子体气氛中也显示出高耐腐蚀性并且防止钇基颗粒在蚀刻处理过程中剥落。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2015年7月31日在日本提交的专利申请No.2015-151568的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及通过热喷涂氧化钇、氟化钇和/或氧氟化钇而形成的钇基喷涂涂层，其适合作为半导体器件制造工艺中遇到的在腐蚀性等离子体气氛中使用的部件和物品上的低起灰涂层。
技术介绍
在用于制造半导体器件的现有技术方法中，常常在腐蚀性卤素系气体等离子体气氛中进行处理。典型的腐蚀性卤素系气体为氟系气体例如SF6、CF4、CHF3、ClF3和HF以及氯系气体例如Cl2、BCl3和HCl。用于这样的处理的装置典型地包括在它们的表面上具有耐腐蚀的涂层的部件或组件。例如，已知具有通过将氧化钇(专利文献1)和氟化钇(专利文献2和3)喷涂于金属铝和氧化铝陶瓷基材的表面而形成的涂层的部件或组件完全耐腐蚀并且在实际中使用。随着目前的半导体技术以更高的集成度为目标，相互连接部的尺寸接近20nm以下。器件制造工艺中，钇基颗粒在蚀刻处理过程中可能从部件上的钇基涂层的表面剥落并且掉落到硅片上而干扰该蚀刻处理。这使得半导体器件的制造产量降本文档来自技高网...

【技术保护点】
钇基喷涂涂层，包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的至少一种化合物并且具有10‑500μm的厚度，其中具有300nm以下的大小的颗粒以每平方毫米不多于5个颗粒的粒数存在于所述涂层表面。

【技术特征摘要】
2015.07.31 JP 2015-1515681.钇基喷涂涂层，包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的至少一种化合物并且具有10-500μm的厚度，其中具有300nm以下的大小的颗粒以每平方毫米不多于5个颗粒的粒数存在于所述涂层表面。2.根据权利要求1所述的钇基喷涂涂层，其具有80-400μm的厚度。3.根据权利要求1所述的钇基喷涂涂层，其被喷涂到金属铝、氧化铝或金属硅的基材的表面。4.制备钇基喷涂涂层的方法，包括下述步骤：热喷涂颗粒喷涂材料以形成具有10-500μm的厚度的钇基喷涂涂层，所述颗粒喷涂材料包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的至少一种化合物，和用清洁液对所述涂层的表面进行化学清洁直至每平方毫米的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高井康，浜谷典明，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP