公开了一种半导体器件的接触的形成方法，在半导体衬底上淀积有不同腐蚀速率的绝缘膜和金属氧化物膜，形成光刻胶图形，使其宽度是用常规曝光设备所能达到的最小线宽。用光刻胶图形腐蚀绝缘膜和金属氧化物膜时，由于彼此的腐蚀速率不同，使构成的接触孔比其...

本发明揭示一种形成半导体器件精细图案的方法，该方法包括以下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面覆盖图案材料以形成图案布图；此外，在包括所述布图区在内的硅衬底表面设置多个虚设图案，每个虚设图案的宽度小于允许光刻产生的最小宽度；利用上面设置有所述...

一种形成半导体器件的通孔的方法，包括：在已蒸镀下部金属布线层的半导体衬底上的第一绝缘膜上蒸镀金属膜，按预定的第一掩模图形蚀刻金属膜，形成金属布线；形成金属布线后，除去在金属膜上的第一掩模图形，在整个金属布线表面上涂敷第二掩模图形，按第二...

一种形成半导体器件金属布线的方法，所说金属布线方法包括双层铝合金淀积，即在低温下淀积厚度为整个布线厚度的一部分的第一铝合金层，它以某种方式固定在接触层，和在高温下淀积厚度为所淀积布线厚度的其余部分的第二铝合金层，第一铝合金层的淀积是在２...

一种用于轴外照明的标度掩模板具有不同尺寸的间距，其中辅助图形是以标度掩模板的全部图形的衍射角相同或相近的方式在间距图形处形成，该间距图形的尺寸比最大焦点范围的裕度的间距大，这样，用轴外照明是不合适的。重复设置的辅助图形是点状或突出形状的...

一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，其中的多晶硅层被淀积在起着使ＭＯＳＦＥＴ的栅同ＭＯＳＦＥＴ的基片绝缘作用的栅氧化膜上。当利用金属膜或金属硅化物侧壁作掩模形成栅电极时，多晶硅层起着防止栅氧化膜被腐蚀的作用，所以，当形成栅电极时，可...

本发明披露一种在多晶硅电荷储存电极的顶部和侧壁形成一层铂层的半导体器件的电荷储存电极的形成方法，其中的铂层能抑制流经高介电层的泄漏电流同时又能提高电容量。

一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于在将杂质离子注入硅衬底形成的沟道上形成栅极氧化膜和栅极之后在通过注入空穴离子形成空穴区之前，淀积和蚀刻具有预定厚度的氧化膜从而形成源／漏结。空穴区是通过在由蚀刻氧化膜而露出的源／漏区...

本发明提供一种在半导体器件上形成微细图形而不发生塌倒的方法，它包含：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上光刻成型，随后显影形成光敏膜图形；通过自旋在大圆晶片上散布第一洗液，使第一洗液停留在包括光敏膜图形在内的大圆晶片上；在大圆晶...

本发明公开了一种制作非易失性存储器的方法。根据本发明，在非易失性存储器中把相等的电压施加到沿位线两侧形成的栅极上，控制栅极的连续性可以通过控制栅极在单元阵列内的互连而得到提高，结果达到器件更高的集成度和使其中电阻率降低，因此提高了器件的...

本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接触孔内形成柱塞；在其上形成Ｔｉ／ＴｉＮ...

一种形成金属布线的方法，它包括以下步骤：在绝缘薄膜上形成相应于其后将形成的诸金属布线的导电图形，对获得的结构表面进行等离子体处理，用ＳｉＨ↓［４］－Ｎ↓［２］Ｏ混合气体，形成含过量Ｓｉ原子的折射率为１．４７或以上的氧化薄膜，以及在氧化薄...

一种半导体器件中的隔离膜和形成该隔离膜的方法，通过在一隔离区的ＳＯＩ（绝缘体上的硅）层中注入杂质离子，能增大有源区的尺寸和改善隔离膜的平整度，并减少了工艺步骤。

一种测量半导体器件结区漏电流的方法，该法是在隔离元件的氧化膜形成之后通过实行简单的加工步骤能完成漏电流的简单而精确的测量。该法包括以下各步骤：制备一块主导电类型的硅基片；在该主导电类型硅基片上形成隔离元件的氧化膜，因而在所说的主导电类型...

本发明的ＭＯＳ晶体管具有ＬＤＤ结构，其特征是，漏是由Ｎ↑［－］型杂质区或Ｎ↑［－］／Ｎ↑［＋］杂质区构成，源是由Ｎ↑［＋］型杂质区构成，所以源和漏间的寄生效应是相同的。

一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，其中用于形成晶体管源／漏的高浓度杂质扩散区与晶体管栅极重叠。因此，可减少栅极工作的延迟。由于高浓度杂质扩散区与栅极重叠，因而可获得晶体管工作速度的增加。栅极具有可降低栅极电阻的多晶化硅结构。

本发明揭示一种快速ＥＥＰＲＯＭ单元，特别是一种对于一个浮动栅极用使用掩模的蚀刻工艺将第一多晶硅膜形成图形，注入杂质离子形成一个源区和漏区，形成一个向沟道方向延伸的控制栅极，而使其尺寸减到最小的单元。此外，本发明提供一种独特的结构防止在自...

一种半导体器件及其制造方法，其中在第二硅基片的边缘部分上形成厚的侧壁氧化膜或多晶硅层。在氧化膜或多晶硅层的侧壁上，有效半导体基片在其边缘部分的厚度增加了，由此在该边缘部分获得提高的阈值电压。即，通过实施侧壁氧化膜的形成来防止半导体器件栅...

本发明公开了一种含有多晶硅膜的半导体器件的制造方法，该方法能够除去自然氧化膜和沾污物，并且，利用硅离子注入和退火形成大的晶粒。本发明还公开了一种方法，其中在ＣＦ↓［４］等离子清洁处理后，除去自然氧化膜和沾污物，并且防止该自然氧化膜再生长...

本发明涉及一种快速ＥＥＰＲＯＭ（电可擦可编程只读存贮器）单元及其制造方法，特别地，通过根据两个浮栅是否被编程或删除而使有效沟道长度改变以及偏置连接，使得这种ＥＥＰＲＯＭ单元具有三种不同的输出电平，其中两个浮栅形成于沟道区中。