【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,特别是涉及形成多晶硅膜的方法,该方法能够除去自然氧化物膜和沾污物,并且通过注入硅离子和退火形成大的晶粒。在制造半导体器件过程中,广泛采用多晶硅膜作为导体膜。现在参考附图说明图1A和图1B,表示按照现有技术制造多晶硅膜的方法。图1A和图1B剖视图表示制造常规多晶硅膜的一种方法。图1A表示,绝缘膜(3)形成在具有结区(2)的硅衬底(1)上。利用接触孔掩模通过光剂处理,使绝缘膜(3)形成图形,使结区(2)的硅衬底(1)暴露出来,由此,形成接触孔(4),通常,自然氧化膜(10)生长在露出的硅衬底(1)上。图1B表示,为了除去自氧化膜(10),利用BOE(缓冲氧化腐蚀剂)或者HF化学制品进行湿式清洁处理。然后在300℃的淀积管中淀积多晶硅膜(5),以便和结区(2)接触。但是,由上述工艺形成多晶硅膜(5)的晶粒(A)是0.1-0.5μm的微粒,所以存在减小电子迁移率和电导率的缺点。并且由于残存自然氧化膜(10)增加接触电阻。本专利技术的目的是提供一种制造含有多晶硅膜的半导体器件的方法,该方法能够除去自然氧化膜和沾污物,并且通过注入硅离子和进行退火形成大的晶粒。本专利技术的另一个目的是提供一种方法,在CF4等离子清洁处理后,能除去自然氧化膜和防止再生长自然氧化膜,接着把硅衬底装入要流过惰性气体的非晶硅膜淀积管。为了达到上述目的,本专利技术包括下列步骤在含有结区的硅衬底上面形成绝缘膜;把绝缘膜刻成图形,直到露出结区的硅衬底,由此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,以便除去露出的硅衬底上面的自然氧化层和沾污物;把硅衬底装入要通惰性气体 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在有结区的硅衬底上面形成绝缘膜;把所说的绝缘膜形成图形,直到露出所说的结区的所说的硅衬底,因此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,除去所说的露出硅衬底上的自然氧化层和沾污物;把所说的硅衬底装入要输入惰性气体的非晶硅膜淀积管中;形成非晶硅膜;把硅离子注入所说的非晶硅膜中;及热处理所述的非晶硅膜,形成多晶硅膜。化学制品的任一种进行湿式清洁处理。
【技术特征摘要】
KR 1995-5-4 10983/951.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤在有结区的硅衬底上面形成绝缘膜;把所说的绝缘膜形成图形,直到露出所说的结区的所说的硅衬底,因此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,除去所说的露出硅衬底上的自然氧化层和沾污物;把所说的硅衬底装入要输入惰性气体的非晶硅膜淀积管中;形成非晶硅膜;把硅离子注入所说的非晶硅膜中;及热处理所述的非晶硅膜,形成多晶硅膜。2.按照权利要求1的方法,其特征是利用BOE和HF化学制品的任一种进行湿式清洁处理。3.按照权利要求1的方法,其特征是利用CF4气体进行等离子处理,时间为20到40秒。4.按照权利要求1的方法,其特征是把所说的硅衬底装入所说的非晶硅膜淀积管中,把惰性气体输入管中,因此,限制氧气浓度。5.按照权利要求1的方法,其特征是,由LPCVD工艺,利用在560到580℃的SH4气体热分解,淀积所说的非晶硅膜。6.按照权利要求1的方法,其特征是,淀积所说的非晶硅膜,厚度为1000到3000。7.按照权利要求1的方法,其特征是,以大约1015cm-2量级的剂量注入所说的硅离子。8.按照权利要求1的方法,其特征是,在氮气中以500到700℃热处理所说的非晶硅膜,由此使之转变为多晶硅。9.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤在具有结区的硅衬底上,形成绝缘膜;使所说的绝缘膜形成图形,直到露出所说结区的所说硅衬底,由此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,除去所说露出的硅衬底上面的自然氧化层和沾污物;形成非晶硅膜;热处理所说非晶硅膜,形成多晶硅膜。10.按照权利要求9的方法,其特征是,利用BOE和HF化学制品的任一种进行湿式处理。11.按照权利要求9的方法,其特征是,利用CF4气体进行等离子处理,时间为20到40秒。12.按照权利要求9的方法,其特征是,由LPCVD工艺,通过在560℃到580℃分解SH4气体淀积所说的非晶硅膜。13.按照权利要求9的方法,其特征是,淀积所说的非晶硅膜,厚度为1000到3000。14.按照权利要求9的方法,其特征是,在氮气中以500℃到700℃热处理所说的非晶硅膜,由此,使之转变成多晶硅膜。15.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤在具有结区的硅衬底上,形成绝缘膜;使所说的绝缘膜形成图形,直到露出所说结区的所说硅衬底,由此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,除去所说露出的硅衬底上面的自然氧化层和沾污物;把所说的硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中;形成非晶硅膜;热处理所说非晶硅膜,以形成多晶硅膜。16.按照权利要求15的方法,其特征是,利用BOE和HF的化学制品的任一种进行湿式清洁处理。17.按照权利要求15的方法,其特征是,利用CF4气体进行等离子处理,时间为20到40秒。18.按照权利要求15的方法,其特征是,把所说的硅衬底装入通入惰性气体的所说的非晶硅膜淀积管中,因此,限制氧气浓度。19.按照权利要求15的方法,其特征是,由LPCVD工艺,通过温度为560℃到580℃下热分解的SiH4气体,淀积所说的非晶硅膜。20.按照权利要求15的方法,其特征是,淀积所说的非晶硅膜,厚度为1000到3000。21.按照权利要求15的方法,其特征是,在氮气中以500℃到700℃热处理所说的非晶硅膜,由此,使之转变为多晶硅。22.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜;使所说的绝缘膜形成图形,直到露出所说结区的所说硅衬底,由此,形成接触孔;接着,进行湿式清洁处理和等离子处理,以便除去所说露出的硅衬底上的自然氧化层和沾污物;形成非晶硅膜;把硅离子注入到所说的非晶硅膜;热处理所说非晶硅膜,以便形成多晶硅膜。2...
【专利技术属性】
技术研发人员:权五成,金辰泰,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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