本发明涉及一种图形对准标记，其具有至少一个在半导体器件的制造工艺期间用于对准的已指定测量图形，包括：具有衰减所述已指定的测量图形中具有较高光反射强度的测量图形的光反射的装置，本发明通过消除在测量图形的重叠精度时光反射强度的差异，事先防止...

本发明提供一种采用激光对产生缺陷的元件进行修复的方法，使半导体集成电路的制造过程中熔丝导线产生缺陷的部位断路，其特征在于把熔丝导线之上的绝缘层各向同性地部分蚀刻至预定厚度，目的在于使入射的激光束折射至熔丝导线产生缺陷的部位。

本发明公开一种半导体器件，它显著缩小了元件隔离区的面积和基底电极的面积，因而促进了高集成化，该器件包括一含有Ｎ阱、Ｐ阱及深槽元件隔膜的Ｐ型半导体基片，该深槽元件隔离膜介于Ｎ阱和Ｐ阱之间，在每个Ｎ阱和Ｐ阱内分别建立Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－Ｍ...

一种方法，包括以下各步骤，在一给定的基础结构上形成一绝缘膜；在该绝缘膜上形成一些导电布线；在所得结构上形成均厚层间绝缘膜；再在其上形成第一光刻胶膜图形；在第一光刻胶膜图形的侧壁形成牺牲膜调距层；在牺牲膜调距层之间的层间绝缘膜上形成第二光...

一种制造半导体器件的方法，通过在没有位线的区域形成其高度与位线同高的存贮电极，能缓和单元区和外围电路区之间的台阶，以及不使用额外的存贮电极掩模，当使用存贮电极接触孔掩模通过腐蚀工艺形成存贮电极接触孔时，使在位线上的腐蚀阻挡层作为自对准腐...

一种半导体器件的接触结构包括在接触孔塞上形成腐蚀阻挡层，该腐蚀阻挡层是由不同于上层导电布线的材料制成的，并在刻制上层导电布线时起腐蚀停止作用。通过形成接触孔露出半导体基片的构成下层导电布线的扩散区；在接触孔内形成由用于连接的导电层和用于...

在半导体器件的生产中，用于测量各种特性的微调游标。在该微调游标中，用于测量自动图形套准的第一图形，用于测量分辨率和聚焦的第二图形，及用于测量视觉图形套准的第三图形彼此靠拢在一起，以使在晶片划线范围内预定位置各自所占区域的尺寸减至最小。所...

本发明公开了一种形成半导体器件场氧化层的方法，该方法通过蚀刻预定部分的硅基片、形成场氧化层和在经腐蚀的硅基片上形成单晶硅层可以最大限度地减少鸟嘴。

公开了一种制造半导体器件用的炉子和用这种炉子形成栅氧化层的方法。这种炉子和方法能减少半导体器件热量聚集的现象，而且提高氧化层的质量。具体措施是：光分解保持高温的源炉子中的Ｎ↓［２］Ｏ气以消除所产生的Ｈ↓［２］气因Ｎ↓［２］Ｏ和ＮＨ↓［３...

一种制造可用于高集成化半导体器件如６４兆级或以上的ＤＲＡＭ的叠层电容器的方法，通过使用选择性氧化膜只可能淀积在氧化膜上的特性和多晶硅膜优良台阶覆盖率特性，使得所制成的叠层电容器分别在其存储电极两端上具有右转９０°Ｕ形和左转９０°Ｕ形的翼...

一种形成半导体器件超微细图案的方法，其步骤为：在底层上涂覆光刻胶薄膜；通过掩模先接受一次曝光，光能量小于薄膜厚度的阈能；掩模位移预定距离后，再接受小于阈能的第二次曝光；显影完全除去两次曝光重叠区域及半除去一次曝光区域，形成光刻胶薄膜图案...

一种半导体器件，包括一双多硅栅结构，其中的Ｐ型多硅栅与Ｎ型多硅栅是无接触点双层导电布线结构连接的，因而对高集成化有显著的贡献，以及一种改善产额的制造半导体器件的方法。

一种半导体器件包括：一Ｐ型半导体基片、第一和第二Ｐ阱、介于第一和第二Ｐ阱之间的Ｎ阱、用于使各阱相互电隔离及使第一阱与Ｐ型半导体基片电隔离的深槽元件隔离膜、以及在第一Ｐ阱之下所形成的介于深槽元件隔离膜的Ｎ型隐埋区，它适合于高集成化，并改善...

一种用特有的方法制造的晶体管，该方法包含在形成栅极之前形成源极／漏极区，然后形成与源极／漏极接触但与栅极绝缘的源极／漏极接区，该晶体管包含ＭＯＳＦＥＴ结构，在该结构中，在半导体基片上的两个相同的导体彼此相隔一预定距离，在各导体下方以与它...

一种用以形成抗蚀图形的方法，它是通过涂覆具有小厚度的主光致抗蚀图形，并然后在主光致抗蚀图形上涂覆次光致抗蚀图形而制成的。另一方面，抗蚀图形可通过涂覆主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光以在主光致抗蚀膜上限定曝光区，在主光致抗蚀膜上涂覆次光致...

一种相移掩模能够利用中间色调型掩模形成的图形除掉由于０°相位的光和１８０°相位的光相遇产生的寄生图象。该相移掩模包括具有透光部分和遮光部分的光刻胶膜图形，用于改变通过光刻胶膜图形透光部分的光相位的相移层，用于除掉由于主光波形相对的两边光...

一种形成于一个基底上的东膜晶体管，包括：一形成于所述基底上的刻成预定图形的栅电极；一在所述栅电极周围形成的沟道层，有一栅绝缘层间隔其间；一个形成于所述沟道层上的中间绝缘层；和形成于所述沟道层两侧壁及所述中间绝缘层两侧部分上的、相互隔离的...

一种用于半导体元件测试的探测卡，它包括一具有一组带有一弯折形段的探针支撑孔的基片和一组分别插入所述探针支撑孔的探针。由于探测卡是由与晶片相同的材料制成的而使探测卡的热膨胀率与该晶片的热膨胀率相同，由此防止了由温度改变而引起的测试误差，而...

一种半导体器件，其中在接触孔内确保了有效表面积，并且其中存储电极精确地构成方角图样。在接触孔内的有效表面积可以通过存储电极接触孔与一部分存储电极重叠而获得，以便保证较大容量。朝向最后存储电极使有效表面积减小的矩形存储电极的圆角可通过在接...

本发明提供采用简单的且能得到增大的表面面积并达到提高生产率及工作可靠性的工艺步骤来形成半导体器件电荷存贮电极的方法，该方法包括以下各步骤：使用电荷存贮电极掩模对填充在电荷存贮电极接触孔的多晶硅层刻图；在位于刻成图形的多晶硅层之下的层间绝...