制造半导体器件电容器的方法，包括在衬底和接触孔结构上淀积第一导电层，依次形成第一绝缘膜、第一导电层和第二绝缘膜，选择生长第二绝缘膜，以形成选择生长的氧化膜，再腐蚀该氧化膜、第二绝缘膜和第一导电层的预定部位，形成选择生长的氧化膜图形，形成...

通过在有用于在下氧化层上形成第一金属布线层的光刻胶膜图形的情况下，使选择的氧化层生长到第一金属布线厚度得到的平整化层上淀积一绝缘层，来制造无空隙的双平面金属结构。此外，由于第一金属布线的平整化层，使对在该绝缘层上所淀积的第二金属层的刻图...

一检测晶片缺陷的方法，它包括下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，该边缘部分没有图案芯片；将该晶片装到一缺陷检测仪中；调整假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；并实施后续工序，按此采用检测的缺陷，观测后续工序...

本发明的半导体器件是这样形成的：形成Ｔ形栅极；在Ｔ形栅极两侧下方的潜挖部位形成与Ｔ形栅极容性耦合的辅助栅极；利用掺杂氧化膜在硅衬底中辅助栅极之下形成轻掺杂区；并形成连至轻掺杂区的重掺杂区。 因此，本发明可形成高速集成电路器件所需的...

一种ＥＥＰＲＯＭ，它包括覆盖浮栅一侧面和源电极某一部分的选择栅和覆盖浮栅另一侧面和漏电极某一部分的控制栅，ＥＥＰＲＯＭ在电荷耦合率方面得到改善，即使在低的外加电压情况也使编程效率增加。低的外加电压加于ＥＥＰＲＯＭ，使外围晶体管的栅氧化膜...

本发明公开了一种形成高度集成化的半导体器件的图形的方法，该方法能够防止图形的宽度变化。它是通过利用仅仅残留在光致抗蚀剂未曝光部分的胶质层和有选择地仅仅形成于胶质层上的金属层作为蚀刻阻挡层来除去光致抗蚀剂，和随后在导电层或介电层上形成图形...

公开了一种用于防止绝缘破裂的虚设图形的形成方法，通过在靠近监测部分或外围电路区的选定部位上，形成宽度和高度恒定的虚设图形，可以防止绝缘层的破裂。

本发明提供了一种用于形成半导体器件的微细接触的方法，改善了半导体器件的可靠性并实现了半导体器件的高集成化。

一种在相移区具有均匀厚度的相移掩模，它包括：一块设有多个凹槽的石英衬底；在各凹槽与每隔一个位于两个相邻凹槽的那部分石英衬底上所涂镀的铬图形；以及在未被铬图形覆盖的那部分石英衬底上所涂镀的相移材料图形，该相移材料图形与位于未被铬图形覆盖的...

一种用于半导体器件的曝光掩膜，其位于掩模中间部分的重复图型具有最小的线／间距宽度，位于掩模外围部分的重复图型具有较大的线／间距宽度，不一致图型的间距宽度比最小间距宽度大，以及独立图型的线宽比最小线宽大。具有这种结构的曝光掩模能够克服因按...

一种在半导体器件中形成接触孔的方法，它包括在接触区域上形成环形垫。环形垫在形成接触孔时可被用作蚀刻阻挡膜。该环形垫的使用使得很容易地形成具有临界尺寸的接触孔。根据该方法，便可以在形成接触孔时增大加工裕度用的提供具有临界尺寸的接触孔，同时...

本发明提供半导体器件中针形接点的形成方法，包含步骤为构成穿过绝缘层而暴露出底层的开口；把选择性金属层填入开口以致选择性金属层之一在具有较低布局的开口中，超出绝缘层的表面生产过量；在所得结构上形成光致抗蚀剂层；使光致抗蚀剂层形成图案以暴露...

在一片基片上形成具有顶板和底板的第一和第二想象电容器。通过金属导线将第一想象电容器的顶板和第二想象电容器的底板相连接，由此形成实际电容器的第一板。用金属导线将第一想象电容器的底板和第二想象电容器的顶板相连，形成实际电容器的第二板。在上述...

本发明公开了一种防止含杂绝缘层吸潮的方法，其包括步骤：在一个基底上形成一个含杂绝缘层；和在含杂绝缘层上涂覆一层醇基物质，形成一个醇膜。

公开了一种制造ＣＭＯＳ器件栅电极的方法，包含步骤为在半导体衬底上，按顺序形成栅绝缘层，第一导电层和保护层；选择腐蚀保护层待形成ＰＭＯＳ晶体管的预定部分；在所述衬底的整个表面形成第二导电层；除掉形成在保护层上的第二导层，把保护层部分地腐蚀...

一种形成晶体管的方法，包含以下各步骤：在一块衬底内形成深槽；使绝缘层填入除上部外的所述深槽的下部中；使导电层填入所述深槽上部暨所述绝缘层之上，作为所述晶体管的沟道；在所得结构上形成栅氧化层；以及在所述栅氧化层上形成栅电极；以及使杂质离子...

一种用于半导体器件间隔离的方法，包括：在硅衬底上形成第一氧化膜和氮化硅膜；形成第一光致抗蚀膜图形，蚀刻露出部分至一定深度；去除第一抗蚀膜；生长第二氧化物，至离开构成图形的氮化硅层和第一氧化层一定距离；在除氮化硅层之外形成第二光致抗蚀膜；...

本发明公开了一种能最大限度地减少鸟嘴出现的半导体器件场氧化层形成方法，减少鸟嘴的具体措施是：在氮化层上绘制线路图形从而界定出场区；再在本来会出现鸟嘴的部分注入氮原子，由此形成防氧化层。

一种制造薄膜晶体管的方法，包括：备置氧化层；蚀刻氧化层的一部分，以形成一个凹槽；由此形成第１沟道层；在包含凹槽区域部分的第１沟道层上形成第１栅氧化层；由此形成一多晶硅层，填入凹槽中；深蚀刻多晶硅层直至第１栅氧化层的部分表面，留下已从第１...

一种半导体器件的制造方法，能够确保位线与存储节接点之间的对准裕度，它包括：在ＭＯＳ半导体衬底上淀积第一绝缘层；形成位线图形；淀积第二绝缘层；顺序淀积有不同腐蚀速率的第三和第四绝缘层；掩模腐蚀出Ｔ形绝缘层图形；在Ｔ形绝缘层图形的侧壁处形成...