检测晶片缺陷的方法技术

一检测晶片缺陷的方法，它包括下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，该边缘部分没有图案芯片；将该晶片装到一缺陷检测仪中；调整假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；并实施后续工序，按此采用检测的缺陷，观测后续工序中的缺陷，从而可以方便地监测晶片缺陷和加工缺陷之间以及加工缺陷自身之间的有机联系。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的说来涉及一种，更详细地说，涉及一平面晶片边缘部分的假芯片形成，该假芯片用作校准标记，从而在以后的处理过程中可以保持晶片缺陷的数据。半导体器件是通过在晶片上实施许多加工处理步骤而获得的。用缺陷检测装置通过检测每一步骤中可能产生的各种缺陷，并快速而顺畅地分析这些缺陷的原因，可以提高半导体器件的可靠性和产量。为了得到一个平整晶片(如一完好晶片、一良好成形的晶片或一薄膜淀积的晶片)，从半导体器件制作方法的开始步骤起至形成元件隔离膜之前的那一步骤，是没有较准标记在晶片上形成的。当通过一检测仪器来检测没有较准标记的平整晶片时，要确定平整晶片上缺陷的大小和座标(x，y)。然而，当从仪器上取下晶片以后检验晶片缺陷时，因为晶片缺陷的检验是在没有校准标记(晶片参考基准)的情况下进行的，所以无法找到那些预先确定的座标。这就是说，可以预计没有校准标记的晶片在缺陷数据的应用中是不起作用的。这是由于尽管在元件隔离步骤之前存在检测到的缺陷座标和大小之类的信息，但是晶片中没有参考座标无法使检测到的座标和大小正确地与元件隔离步骤之前采用图案中某一特定点作为参考基准进行检验的缺陷数据联系在一起。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测晶片缺陷的方法，其特征在于，它包含下述步骤： 在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，所述边缘部分没有图案芯片； 将所述晶片放到一缺陷检测仪内； 调整所述假芯片的边缘部分； 观测晶片缺陷，给出缺陷数据；以及 实施后续工序。

【技术特征摘要】
KR 1994-7-14 94-169591.一种检测晶片缺陷的方法，其特征在于，它包含下述步骤在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，所述边缘部分没有图案芯片；将所述晶片放到一缺陷检测仪内；调整所述假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；以及实施后续工序。2.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵相满，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]