半导体器件场氧化层的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种能最大限度地减少鸟嘴出现的半导体器件场氧化层形成方法，减少鸟嘴的具体措施是：在氮化层上绘制线路图形从而界定出场区；再在本来会出现鸟嘴的部分注入氮原子，由此形成防氧化层。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件场氧化层的一种形成方法，更具体地说，涉及一种能最大限度地减少鸟嘴形部分的出现的，减少鸟嘴形部分的具体措施是在氮化层与氧化垫层之间形成多晶硅垫层；在氮化层上绘制线路图形从而界定出场区；再在会出现鸟嘴形部分处注入氮原子，由此形成防氧化层。通常，形成一场氧化层以将各半导体元件隔离开来。附图说明图1的半导体器件剖视图用以说明现有技术形成场氧化层的方法。参看图1，场氧化层是这样形成的在硅基片1上形成氧化垫层2和氮化层3，再在氮化层3和氧化垫层2上绘制线路图形从而界定出场区，然后用离子注入法在硅基片1上形成沟道截断区4。由于形成场氧化层5时，从场氧化层5的边缘至有源区形成有鸟嘴形部分B，有源区缩小了，这给超高集成度集成电路器件的制造带来了很大的障碍。因此，本专利技术的目的是提供一种通过降止鸟嘴形部分在有源区的出现能提高半导体器件的产量和可靠性的。为达到此目的，本专利技术的场氧化层形成法包括下列步骤依次在硅基片上形成氧化垫层、多晶硅层和氮化层；在氮化层上绘制线路图形，限定出场区，然后形成沟道截断区；在露出的多晶硅垫层经选定的部分上绘制光致抗蚀剂图形，然后往暴露在光致抗蚀剂图形边缘的多晶硅垫层中注入氮原子；除去光致抗蚀剂图形之后进行热氧化处理，并除去氮化层、多晶硅垫层和氧化垫层，由此形成场氧化层。为全面了解本专利技术的本质和目的，应结合附图参阅下面的详细说明。附图中图1是说明现有技术形成场氧化层的方法的剖视图；图2A至图2E是说明形成本专利技术的半导体器件中场氧化层的各步骤的剖视图；附图各视图中类似的编号表示类似的部分参看图2A，在硅基片11上依次形成氧化垫层12、多晶硅垫层13和氮化层14。参看图2B，用蚀刻法利用隔离掩模极度刻蚀氮化层14使多晶硅垫层13暴露出来，从而界定出场区，再用离子注入法在硅基片11上形成保护区15。参看图2C，在露出的多晶硅垫层13经选择的部分上形成光致抗蚀剂图形16，再在10至30千电子伏特和1×1012～1×1015原子/平方厘米的条件下往光致抗蚀剂图形16形缘露出的多晶硅垫层13中以离子注入的方式注入氮原子。氮原子以离子注入的方式注入多晶硅垫层13中在热氧化处理过程中起防氧化层的作用。这里可以用NH或NO气来代替氮原子形成防氧化层17。参看图2D，光致抗蚀剂16除去之后，用热氧化法形成预定厚度的场氧化层。这样，由于注入氮原子形成了防氧化层17，因而不会产生鸟嘴形部分。参看图2E，除去剩下的氮化层14、多晶硅垫层13和氧化垫层12，于是就形成了场氧化层18。综上所述，本专利技术用防氧化层防止了鸟嘴形部分的出现，从而提高了半导体器件的产量和可靠性。虽然本专利技术就其最佳实施例进行介绍是有一定程度的特殊性，但本
的行家们都知道，这里所公开的最佳实施例仅仅是举例而已，在不脱离本专利技术的精神实质和范围的前提下是可以对其各部分在结构、组合和配置上作种种修改的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
形成半导体器件场氧化层的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：在硅基片上依次形成氧化垫层、多晶硅垫层和氮化层；在所述氮化层上绘制线路图形界定场区之后，形成沟道截断区；在所述露出的多晶硅垫层经选定的部分形成光致抗蚀剂图形，再往所述 光致抗蚀剂图形边缘外露出的所述多晶硅垫层注入氮原子，形成防氧化层；除去所述光致抗蚀剂图形之后进行热氧化处理，然后除去所述氮化层、多晶硅垫层和氧化垫层，由此形成氧化层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1994-7-6 16087/941.形成半导体器件场氧化层的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤在硅基片上依次形成氧化垫层、多晶硅垫层和氮化层；在所述氮化层上绘制线路图形界定场区之后，形成沟道截断区；在所述露出的多晶硅垫层经选定的部分形成光致抗蚀剂图形，再往所述光致抗蚀剂图形边缘外露出的所述多晶硅垫层注入氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相勋，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]