【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体集成电路中使用的槽型元件分离结构的制造方法以及槽型元件。在半导体集成电路中，为了消除工作时的元件间的电干扰，完全独立地控制各元件，在元件间进行元件分离，特别是槽型元件分离结构是在槽的内部充填绝缘物的结构，几乎不发生“鸟嘴”(bird beak)，所以在实现半导体集成电路的微细化方面是不可缺少的元件分离结构。附图说明图13是以往的槽型元件分离结构的形成方法的工序剖面图，首先，如图13(a)所示，在硅衬底1上，依次层叠地形成下层氧化膜2、氮化硅膜3以后，以照相制版图形(未图示)为掩膜，依次对氮化硅膜3、下层氧化膜2进行图形刻蚀，在硅衬底1上形成槽。接着，如图13(b)所示，用热氧化方法在槽的内壁上形成热氧化膜10以后，通过CVD方法全面地淀积埋入氧化膜11。接着，如图13(c)所示，通过使用以氮化硅膜3为阻挡层的CMP方法除去在氮化硅膜3上部形成的埋入氧化膜11，仅在槽内部留下埋入氧化膜11。接着，如图13(d)所示，在用热磷酸除去氮化硅膜3以后，用CVD方法全面地淀积CVD氧化膜20。接着，如图13(e)所进行各向异性刻蚀，仅在埋入氧化膜...
【技术保护点】
一种槽型元件分离结构的制造方法，该方法在形成于硅衬底上的槽内经由热氧化膜埋入了从上述硅衬底表面向上方突出的埋入氧化膜，其特征在于包括： 在上述硅衬底上经由下层氧化膜形成了非单晶硅膜以后，形成从上述非单晶硅膜表面到上述硅衬底内的槽，使得该非单晶硅膜具有与上述硅衬底的槽壁部分连续的侧壁部分的槽形成工序； 在包含上述槽侧壁部分的上述槽内部的表面以及上述非单晶硅膜的上述侧壁部分上形成热氧化膜的热氧化工序；和 除去不包括上述被热氧化了的侧壁部分的上述非单晶硅膜的除去工序； 形成上述埋入氧化膜，使得上述埋入氧化膜的从上述硅衬底表面向上方突出的侧面上也形成上述热氧化膜。
【技术特征摘要】
JP 1997-7-17 192269/97;JP 1997-4-11 93600/971.一种槽型元件分离结构的制造方法，该方法在形成于硅衬底上的槽内经由热氧化膜埋入了从上述硅衬底表面向上方突出的埋入氧化膜，其特征在于包括在上述硅衬底上经由下层氧化膜形成了非单晶硅膜以后，形成从上述非单晶硅膜表面到上述硅衬底内的槽，使得该非单晶硅膜具有与上述硅衬底的槽壁部分连续的侧壁部分的槽形成工序；在包含上述槽侧壁部分的上述槽内部的表面以及上述非单晶硅膜的上述侧壁部分上形成热氧化膜的热氧化工序；和除去不包括上述被热氧化了的侧壁部分的上述非单晶硅膜的除去工序；形成上述埋入氧化膜，使得上述埋入氧化膜的从上述硅衬底表面向上方突出的侧面上也形成上述热氧化膜。2.权利要求1记述的槽型元件分离结构的制造方法，其特征在于在上述制造方法中，在上述热氧化工序和上述除去工序之间，还包括在上述槽内部以及上述非单晶硅膜上淀积上述埋入氧化膜的淀积工序和从上述埋入氧化膜的上表面减少膜厚直到露出上述非单晶硅膜的薄膜化工序，形成上述埋入氧化膜，该膜从上述硅衬底表面上向上方突出，而且在该突出的侧壁上也被设置了上述热氧化膜。3.权利要求2记述的槽型元件分离结构的制造方法，其特征在于上述制造方法还包括在上述槽两侧的上述非单晶硅膜上形成氮化硅膜的工序，进而，在上述薄膜化工序中，还包括以上述氮化硅膜作为阻挡层减少上述埋入氧化膜的膜厚，仅在上述槽内部留下上述埋入氧化膜以后除去上述氮化硅膜的除去工序。4.权利要求2记述的槽型元件分离结构的制造方法，其特征在于在上述制造方法中，在上述淀积工序和上述薄膜化工序之间还包括从上述非单晶硅膜的上表面到下方的预定位置，从上部除去上述埋入氧化膜以及上述热氧化膜的工序和在上述槽内部以及上述非单晶硅膜上淀积上层埋入氧化膜的工序。5.权利要求2记述的槽型元件分离结构的制造方法，其特征在于上述制造方法在上述淀积工序和上述薄膜化工序之间包括从上部除去上述埋入氧化膜以及上述热氧化膜直到上述非单晶硅膜的上表面和底面之间的预定位置，使得上述非单晶硅膜的至少一部分侧面以及上表面露出的工序；通过对上述非单晶硅膜的上述露出来的侧面以及上表面进行热氧化，把上述埋入氧化膜两侧的热氧化膜的前端部分加厚的工序；和在把上述热氧化膜的前端部分加厚了以后，全面地淀积上层埋入氧化膜的工序。6.权利要求2记述的槽型元件分离结构的制造方法，其特征在于在上述制造方法中，在上述薄膜化工序和上述除去工序之间还包括通过对上述非单晶硅膜的上述露出的上表面进行热氧化把上述非单晶硅膜的侧壁部分的热氧化膜的上端部分加厚的工序；和在把上述热氧化膜的上端部分加厚了以后，除去上述非单晶硅膜的上表面部分的热氧化膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀田胜之，黑井隆，酒井舞子，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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