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提供一种在槽型元件分离的埋入氧化膜的边缘部分不发生凹洼的槽型元件分离结构的制造方法。解决的方法是不仅在硅衬底上形成的槽内部的埋入氧化膜的周围、而且在从硅衬底表面向上方突出的埋入氧化膜的侧面也形成耐刻蚀性比ＣＶＤ膜高的热氧化膜。...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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