【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的工艺，尤其是制造一种具有一沟槽隔离，能够使图形图象被精确地转换到其上伸开的光刻胶层上的半导体器件的工艺。集成电路的电路元件被按比例缩小，而且电路元件之间的隔离也变窄。为了隔离所常规使用的是硅的局部氧化(LOCOS)工艺。然而，在通过局部氧化工艺产生的场二氧化物层的边缘周围不可避免地产生一鸟嘴喙状物。此鸟嘴喙状物对于有源区的缩减是一障碍。沟槽隔离实质上是无鸟嘴喙状物的，并且是在超大规模集成中被采用。附图说明图1A至1F说明了形成沟槽隔离的已有技术工艺，在后面图1A至1F所示的工艺称作“第一已有技术工艺”。该已有技术从制备一片硅基片1开始。在该硅基片1的主表面上热生长二氧化硅至10毫微米厚，并形成一层二氧化硅层2。通过使用化学汽相淀积在二氧化硅层2整个表面上方淀积氮化硅至100毫微米厚，并在二氧化硅层2上叠上一层氮化硅层3。通过使用石版印刷技术在氮化硅层3上制出光刻胶刻蚀掩膜图形(未示出)，而且氮化硅层3部分地没有被光刻胶刻蚀掩膜覆盖。氮化硅层3的暴露部分被刻蚀掉，并且如图1A所示在氮化硅层3中形成一开口4。用氮化硅层3作为掩膜...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的工艺，其特征在于包括步骤：ａ）制备可氧化材料构成的一基片（４１；６１）；ｂ）在所述基片的主表面上形成第一材料的第一分层（４２；６２）；ｃ）在所述第一分层上形成不可氧化材料的一第二分层（４３；６３）；ｄ）在 所述第二分层中形成一第一开口（４４；６４）以致使所述第一分层对所述第一开孔暴露；ｅ）在所述第二分层的内壁上形成一侧壁隔离层（４６；６６）以便于在所述第一开口中形成套叠在其中的一第二开口，所述基片的一区域向所述第二开口暴露；ｆ）形成从 所述第二开口穿入所述基片的一沟槽（４７；６９）；ｇ）氧化限定所述沟槽的所述基...
【技术特征摘要】
JP 1997-2-6 23605/971.一种制造半导体器件的工艺，其特征在于包括步骤a)制备可氧化材料构成的一基片(41；61)；b)在所述基片的主表面上形成第一材料的第一分层(42；62)；c)在所述第一分层上形成不可氧化材料的一第二分层(43；63)；d)在所述第二分层中形成一第一开口(44；64)以致使所述第一分层对所述第一开孔暴露；e)在所述第二分层的内壁上形成一侧壁隔离层(46；66)以便于在所述第一开口中形成套叠在其中的一第二开口，所述基片的一区域向所述第二开口暴露；f)形成从所述第二开口穿入所述基片的一沟槽(47；69)；g)氧化限定所述沟槽的所述基片的表面部分，以便形成限定第二沟槽(52；71)的和具有上表面周缘部分比其下部厚的氧化壁(49；70)；h)用第二材料(53；72)填充所述第二沟槽并具有与所述主表面的上表面共平面或接近的上表面以便在所述基片中形成沟槽隔离(49/53；70/72)。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于所述步骤f)包括步骤f-1)用所述侧壁隔离层(46)和所述第二分层(42)作为掩膜刻蚀所述基片(41)以便形成所述沟槽(47)；f-2)除去所述侧壁隔离层(46)和所述侧壁隔离层下面的所述第一分层部分，以便于向所述第一开口暴露限定所述沟槽的所述基片的周缘区(48)；及在所述步骤g)中自所述周缘区(48)氧化处理进入所述基片(41)以便形成所述上周缘部分。3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于所述上周缘部分和所述基片之间的交界部(51)是被圆化的。4.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于所述可氧化材料是硅，且所述氧化是在摄氏980度至1100度进行的以便于圆化所述上周缘部分和所述基片之间的交界部。5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于还包括步骤i)在所述步骤h)之后除去所述第二分层(43)。6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于还包括步骤j)在所述沟槽(49/53)的一侧的一有源区上制造一...
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