【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及电可擦可编程序只读存储器(下文称为“EEPROM”),更具体地说,涉及在低的外加电压下具有高电荷耦合效率和编程效率的EEPROM。而且,本专利技术还涉及EEPROM的简单制造方法。通常,EEPROM被称为能够电写入和擦除数据的半导体器件。至于它的结构,是把其上累积电荷的浮栅设置在控制栅和栅氧化膜之间。如果在控制栅和漏极之间在正向方向施加高电压,则在漏电极周围产生的高能电子,越过薄栅氧化膜的势垒,通过热载流子注入到浮栅中。晶体管的阈值电压随注入电荷的数量,记录数据变化。另一方面,如果控制栅和漏电极之间在反方向施加高电压,则注入到浮栅的电子穿过隧道氧化膜进入半导体衬底,这被称为Fowler-Nordheim隧道现象,擦除在浮栅中记录的数据。上述的EEPROM中,位于浮栅下面的栅氧化膜起隧道氧化膜的作用,是非常的薄,可使电子通过,而使它可以记录和擦除数据。此外,在确定隧道氧化膜时,应考虑晶体管的穿通电压和阈值电压。为了更好地了解本专利技术的背景,下面结合某些附图叙述常规技术。参看附图说明图1,它表示一个常规EEPROM的例子。如该图所示,氧化膜2和岛状浮栅3叠置在半导体衬底1上面,在半导体衬底1中,在浮栅3的右下方、形成漏电极4。在浮栅3和半导体衬底1的表面,形成层间绝缘层5,在其上的控制栅7纵向延伸,以便防护浮栅3。在半导体衬底1中形成的源极4′位于控制栅7的左下方,控制栅7作为浮栅3和源极4′之间的选择栅。上述常规的EEPROM,借助于保护浮栅的控制栅,有利于提高电荷耦合效率。然而,其缺点是,即为了在半导体衬底的各自区域形成漏极和源极 ...
【技术保护点】
一种制造EEPROM的方法,包括下列步骤: 在半导体衬底上形成栅氧化膜; 在栅氧化膜上面形成浮栅; 在浮栅的整个表面和露出的半导体衬底上面形成第1层间绝缘膜; 在第1层间绝缘膜的区域,从半导体衬底的一部分到浮栅上表面的一部分形成选择栅; 利用浮栅和选择栅作为掩模,把杂质注入到半导体衬底,形成源极和漏极,所述的杂质与半导体衬底中杂质类型不同; 在最终获得的结构的整个表面形成第2层间绝缘膜; 腐蚀位于选择栅上面的部分第2层间绝缘膜,以便露出接触孔,通过该接触孔使选择栅露出; 形成控制栅,它通过接触孔和选择栅相互接触,并且保护浮栅的未覆盖的上表面。
【技术特征摘要】
KR 1994-7-18 94-172971.一种制造EEPROM的方法,包括下列步骤在半导体衬底上形成栅氧化膜;在栅氧化膜上面形成浮栅;在浮栅的整个表面和露出的半导体衬底上面形成第1层间绝缘膜;在第1层间绝缘膜的区域,从半导体衬底的一部分到浮栅上表面的一部分形成选择栅;利用浮栅和选择栅作为掩模,把杂质注入到半导体衬底,形成源极和漏极,所述的杂质与半导体衬底中杂质类型不同;在最终获得的结构的整个表面形成第2层间绝缘膜;腐蚀位于选择栅上面的部分第2层间绝缘膜,以便露出接触孔,通过该接触孔使选择栅露出;形成控制栅,它通过接触孔和选择栅相互接触,并且保护浮栅的未覆盖的上表面。2.按照权利要求1的一种方法,其特征是栅氧化膜的厚度是100或更薄,以便作为隧道氧化膜。3.按照权利要求1的一种方法,其特征是形成的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:申起秀,崔寿汉,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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