【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造LDD结构的MOS晶体管的方法,尤其涉及一种制造不对称LDD(轻掺杂漏)结构的MOS晶体管的方法。通常,在NMOS晶体管的源和漏之间存在着很大差别的寄生效应。源一侧的寄生电阻使有效栅电压有很大程度地减小,但对漏一侧的漏电流却只有很小的影响。因此,由于源和漏间的寄生效应的差别便产生了使VLSI半导体器件的驱动力减弱和热载流子效应增加的问题。因此,本专利技术的目的是提供一种制造不对称LDD结构的MOS晶体管的方法,以增加半导体器件的驱动力,减小热载流子效应。为实现上述目的,制造LDD结构的MOS晶体管的方法包括以下步骤通过第一离子注入工艺,将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内;通过第二离子注入工艺,将N+型杂质离子注入到在其上形成源极的半导体基片区域内;进行退火工艺,激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子,由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。制造LDD结构的MOS晶体管的方法包括以下步骤通过第一离子注入工艺,将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内;通过第二离子注入工艺,将N+型杂质离子注入到在其上形成漏极的半导体基片区域之外的区域内;和进行退火工艺,激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子,由此形成由N-型杂质区及N+杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。为了充分理解本专利技术的性质和目的,下面将参照附图对本专利技术进行详细描述。附图说明图1A~1C是用来解释根据本专利技术的第一个实施例制造LDD结构的MOS晶体管方法的器件剖面图。图2A~2C是用来解释根据本专利技术的第 ...
【技术保护点】
1 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法,包括以下步骤:通过第一离子注入工艺,将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内;通过第二离子注入工艺,将N+型杂质离子注入到在其上将要形成源的半导体基片内;和进行退火工艺,激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子,由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。2 根据权利要求1的制造LDD结构MOS晶体管的方法,其,所用剂量为1.5E13,所用能量为60KeV。
【技术特征摘要】
KR 1995-3-22 6094/951 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法,包括以下步骤通过第一离子注入工艺,将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内;通过第二离子注入工艺,将N+型杂质离子注入到在其上将要形成源的半导体基片内;和进行退火工艺,激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子,由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。2 根据权利要求1的制造LDD结构MOS晶体管的方法,其特征是所说第一离子注入工艺所用N-型杂质离子是P31,所用P31剂量为1.5E13,所用能量为60KeV。3 根据权利要求1的制造LDD结构MOS晶体管的方法,其特征是所说第二离子注入工艺所用N+型杂质离子是As75,所用As75剂量为6.0E15,所用能量为60KeV。4 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法,包括以下步骤通过第一离子注入工艺,将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内;通过第二离子注入工艺,将N+型杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄儁,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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